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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32520C6222J	-	RFQ	3083	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	쓸모없는	2200 PF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.25.0010	10,000	200V	400V	"
B41853W7568M	-	RFQ	7213	epcos -tdk 전자 장치	B41853	대부분	쓸모없는	5600 µF	± 20%	35 v	40mohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		4.2 a @ 100 kHz	26 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B41853W7568M	귀 99	8532.22.0020	1
B43305E2477M60	-	RFQ	5480	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	250 v	270mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.9 a @ 100 Hz		370 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B43041A1156M	-	RFQ	1361	epcos -tdk 전자 장치	B43041	대부분	쓸모없는	15 µF	± 20%	160 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	40 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.531 "(13.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	2,000
B37950K5104K072	-	RFQ	2207	epcos -tdk 전자 장치	B37950K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.1 µF	± 10%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	-		표면 표면, MLCC	1210 (3225 메트릭)	-		x7r	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	32,000
B41002A4336M	-	RFQ	2548	epcos -tdk 전자 장치	B41002	대부분	쓸모없는	33 µF	± 20%	16 v	-	1000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	55 MA @ 120 Hz	66 ma @ 10 kHz		0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.315 "(8.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41002A4336M000	귀 99	8532.22.0020	7,500
B32652J1103K000	0.3452	RFQ	9639	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	10000 PF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)	0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm)	0.689 "(17.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,000	700V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B41888D8687M	-	RFQ	1603	epcos -tdk 전자 장치	B41888	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	63 v	77mohm @ 10khz	10000 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		1.46 A @ 100 kHz	70 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41888D8687M000	귀 99	8532.22.0020	750
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B41505A628M002	2.2210	RFQ	3927	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	50 v	85mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.4 a @ 100 Hz		90 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
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B32921C3333M289	0.4700	RFQ	197	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	컷 컷 (CT)	활동적인	0.033 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B33331I6156J080	10.1800	RFQ	8143	epcos -tdk 전자 장치	B33331I6	대부분	활동적인	15 µF	± 5%				-40 ° C ~ 85 ° C		-	모터 모터				-	1.181 "DIA (30.00mm)	3.425 "(87.00mm)		섀시 섀시	방사형, 캔	-	빠른 연결 -0.250 "(6.3mm)				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B3331I6156J080	귀 99	8532.25.0020	64	450V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43511C4108M007	-	RFQ	6651	epcos -tdk 전자 장치	B43511	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	350 v	90mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.8 A @ 100 Hz		110 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	3.228 "(82.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	66
B43630B9397M000	5.8013	RFQ	1661	epcos -tdk 전자 장치	B43630	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	400 v	300mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.07 A @ 100 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	B43630B9397M	귀 99	8532.22.0040	160
B43501A9337M67	-	RFQ	9734	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	200mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2 A @ 100 Hz		330 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	80
B43508B2477M67	-	RFQ	9348	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	200 v	250mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.35 A @ 100 Hz		340 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508B2477M 67	귀 99	8532.22.0040	130
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B43501B5397M60	-	RFQ	1726	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	450 v	340mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.31 A @ 100 Hz		410 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B41042A6108M	-	RFQ	7426	epcos -tdk 전자 장치	B41042	대부분	쓸모없는	1000 µF	± 20%	50 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.698 A @ 120 Hz	2.123 A @ 100 kHz	76 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41042A6108M000	귀 99	8532.22.0020	250
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B43305E2277M000	-	RFQ	3306	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	250 v	470mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.33 A @ 100 Hz		640 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B43510B9687M80	-	RFQ	9315	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	400 v	95mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.68 A @ 100 Hz		110 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.449 "(62.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510B9687M080	귀 99	8532.22.0040	66
B43305B5567M000	-	RFQ	9312	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	450 v	240mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.65 A @ 100 Hz		340 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²