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커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32758G7256K000	9.3492	RFQ	8088	epcos -tdk 전자 장치	B3275* -mkp ac -filter	대부분	활동적인	25 µF	± 10%		3.3 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차				2.067 "(52.50mm)	2.264 "L x 1.181"W (57.50mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32758G7256K000	귀 99	8532.25.0010	280	275V	550V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L1222J000	0.6000	RFQ	52	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	2200 PF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.197"W (13.00mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	600V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41896C5478M000	1.6897	RFQ	3123	epcos -tdk 전자 장치	B41896	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	25 v	60mohm @ 120Hz	7000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		4.23 A @ 100 kHz	16 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	375
B43644J6107M000	3.3938	RFQ	2774	epcos -tdk 전자 장치	B43644	대부분	활동적인	100 µf	± 20%	500 v	790mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	720 ma @ 100 Hz		1.13 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43644J6107M000	귀 99	8532.22.0040	320
B43510C9158M007	-	RFQ	7721	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	400 v	90mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.2 A @ 100 Hz			-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	56
B32621A0472K189	0.2469	RFQ	5447	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	테이프 & tr (TR)	활동적인	4700 pf	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	6,800	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B43501D2337M67	-	RFQ	6521	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	250 v	300mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.6 A @ 100 Hz		390 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32559C6123K000	-	RFQ	4083	epcos -tdk 전자 장치	B32559	대부분	쓸모없는	0.012 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.197 "(5.00mm)	0.276 "L x 0.118"W (7.00mm x 3.00mm)	0.295 "(7.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,000	200V	400V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET) - 스택
B32778G4756K000	37.6900	RFQ	270	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	75 µF	± 10%		5.5 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				2.067 "(52.50mm)	2.264 "L x 1.181"W (57.50mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	70	-	450V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B43504E227M007	-	RFQ	4318	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	200 v	580mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	840 ma @ 100 Hz		700 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B41252B9158M	2.0942	RFQ	7657	epcos -tdk 전자 장치	B41252	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	100 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.28 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41252B9158M000	귀 99	8532.22.0040	260
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B41605D8568M2	-	RFQ	8705	epcos -tdk 전자 장치	B41605	대부분	쓸모없는	5600 µF	± 20%	63 v	100Hz 16mohm	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		9.8 a @ 10 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			-		1 (무제한)			귀 99	8532.22.0040	1
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B43254A1567M	-	RFQ	9473	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	160 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.48 A @ 120 Hz	2.294 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254A1567M000	귀 99	8532.22.0040	320
B41605E7159M9	-	RFQ	2295	epcos -tdk 전자 장치	B41605	대부분	활동적인	15000 µF	± 20%	40 v	100Hz @ 11Mohm	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		10.1 a @ 10 kHz		0.331 "(8.40mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	1
B41791B7687Q001	-	RFQ	4749	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-				495-B41791B7687Q001	귀 99	8532.22.0020	1
B32914A4334M189	-	RFQ	3599	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B3 -X1 표준	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.33 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	330V	760V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32656A8334K000	2.7368	RFQ	6589	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.33 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 0.472"W (42.00mm x 12.00mm)	0.866 "(22.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0030	1,620	450V	850V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43086A2826M	-	RFQ	9233	epcos -tdk 전자 장치	B43086	대부분	쓸모없는	82 µF	± 20%	200 v	-	10000 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		720 ma @ 100 kHz		0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B43086A2826M000	귀 99	8532.22.0020	375
B43763A4688M000	121.7244	RFQ	1334	epcos -tdk 전자 장치	B43763	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	350 v	14mohm @ 100Hz	6000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	24.2 a @ 100 Hz		22 Mohms	1.122 "(28.50mm)	2.531 "DIA (64.30mm)	5.185 "(131.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43763A4688M000	귀 99	8532.22.0085	32
B43508A9687M62	-	RFQ	3211	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	400 v	180mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.2 A @ 100 Hz		260 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.252 "(57.20mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508A9687M 62	귀 99	8532.22.0040	80
B32022A3823M000	1.8000	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	B3202* -y2 표준	대부분	활동적인	0.082 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		Y2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.433"W (18.00mm x 11.00mm)	0.728 "(18.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	300	300V	1500V (1.5kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32529C6153K289	0.0756	RFQ	6092	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	새로운 새로운 아닙니다	0.015 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	9,200	200V	400V	"
B41866C0337M002	-	RFQ	8837	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-				495-B41866C0337M002	귀 99	8532.22.0020	1
B43644E6107M000	-	RFQ	3180	epcos -tdk 전자 장치	B43644	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	500 v	840mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용				0.394 "(10.00mm)	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드			영향을받지 영향을받지	B43644E6107M	귀 99	8532.22.0040	260
B32924Q3475M000	3.8300	RFQ	225	epcos -tdk 전자 장치	B3292*P/Q -X2 높은 온도	대부분	활동적인	4.7 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.827"W (31.50mm x 21.00mm)	1.220 "(31.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	180	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B43501B5277M	-	RFQ	3775	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	490mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.77 a @ 100 Hz		590 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.244 "(57.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43501B5277M000	귀 99	8532.22.0040	260

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²