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커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32652A2472J000	0.9400	RFQ	4508	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	4700 pf	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)	0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm)	0.689 "(17.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,000	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43305B5187M67	-	RFQ	3322	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	450 v	750mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.23 A @ 100 Hz		1.06 옴	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32332I6156J080	11.3000	RFQ	281	epcos -tdk 전자 장치	B32332* -S2 모터 런	대부분	활동적인	15 µF	± 5%				-25 ° C ~ 85 ° C		-	모터 모터				-	1.181 "DIA (30.00mm)	3.189 "(81.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	빠른 빠른, 연결				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	49	450V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41570E4689Q000	-	RFQ	5246	epcos -tdk 전자 장치	B41570	대부분	쓸모없는	68000 µF	-10%, +30%	16 v	13mohm @ 100Hz	20000 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	17 a @ 100 Hz		13 Mohms	1.122 "(28.50mm)	2.532 "dia (64.30mm)	3.217 "(81.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	50
B32560J1225K000	1.8800	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	대부분	새로운 새로운 아닙니다	2.2 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)	0.354 "L x 0.335"W (9.00mm x 8.50mm)	0.362 "(9.20mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	300	63V	100V	"
B37941K8105K62	-	RFQ	2819	epcos -tdk 전자 장치	B37941K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	1 µF	± 10%	10V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm)	-		표면 표면, MLCC	0805 (2012 5)	-		x7r	0.053 "(1.35mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	3,000
B43501B2128M60	-	RFQ	6949	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	85mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.72 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
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B41002A4107M	-	RFQ	1818	epcos -tdk 전자 장치	B41002	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	16 v	-	1000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	100 ma @ 120 Hz	120 ma @ 10 kHz		0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.335 "(8.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41002A4107M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B32673Z6684J289	0.6616	RFQ	5857	epcos -tdk 전자 장치	B3267* Z* - 고전류 PFC	테이프 & t (TB)	활동적인	0.68 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200					0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.413"W (26.50mm x 10.50mm)	0.728 "(18.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,560	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43763B5478M000	162.5033	RFQ	8457	epcos -tdk 전자 장치	B43763	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	450 v	19mohm @ 100Hz	6000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	21.9 a @ 100 Hz		30 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43763B5478M000	귀 99	8532.22.0085	18
B43564B4109M3	-	RFQ	4105	epcos -tdk 전자 장치	B43564	대부분	활동적인	10000 µf	± 20%	350 v	20mohm @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	21.5 a @ 100 Hz		16 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.583 "DIA (91.00mm)	5.728 "(145.50mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43564B4109M003	귀 99	8532.22.0085	18
B43305F2337M82	-	RFQ	9016	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	250 v	380mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.5 A @ 100 Hz		520 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32923C3394K000	0.2834	RFQ	1040	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	대부분	활동적인	0.39 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.886 "(22.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,520	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B41858C9107M2	-	RFQ	2261	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	활동적인	100 µf	± 20%	100 v	305mohm @ 10khz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		647 ma @ 100 kHz	281 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41858C9107M002	귀 99	8532.22.0020	1,050
B43510C9108M87	-	RFQ	8996	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	400 v	65mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.48 A @ 100 Hz		80 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.843 "(72.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510C9108M087	귀 99	8532.22.0040	56
B43305A5567M60	-	RFQ	5705	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	450 v	240mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.81 A @ 100 Hz		340 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32924P3225M000	2.1800	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B3292*P/Q -X2 높은 온도	대부분	활동적인	2.2 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.551"W (31.50mm x 14.00mm)	0.965 "(24.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	260	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B43305F2827M87	-	RFQ	8789	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	150mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.41 A @ 100 Hz		210 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43858C9335M8	-	RFQ	5441	epcos -tdk 전자 장치	B43858	테이프 & t (TB)	활동적인	3.3 µF	± 20%	400 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용		130 ma @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.669 "(17.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43858C9335M008	귀 99	8532.22.0020	1,500
B43510C5108M000	-	RFQ	2773	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	450 v	110mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.78 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	4.016 "(102.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	56
B32922C3473M189	0.7100	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.047 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,300	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B32561S6224K503	-	RFQ	9401	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	대부분	쓸모없는						-55 ° C ~ 125 ° C			범용								구멍을 구멍을	방사형		PC 핀				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B32561S6224K503	쓸모없는		1
B32560J3563J000	0.1156	RFQ	5960	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	대부분	새로운 새로운 아닙니다	0.056 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)		-		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	7,600	160V	250V	"
B43510B0158M007	-	RFQ	5311	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	420 v	80mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.2 A @ 100 Hz		120 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	3.622 "(92.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	56

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²