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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32529C3153J189	0.0735	RFQ	3244	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.015 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.098"W (7.20mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	11,200	160V	250V	"
B32653A4444J000	0.5310	RFQ	8331	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.44 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,040	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32559C3823K1	-	RFQ	6909	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B32559C3823K1	쓸모없는		1,500
B41795A5508Q	-	RFQ	5076	epcos -tdk 전자 장치	B41795	대부분	쓸모없는																								-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41795A5508Q000	귀 99	8532.22.0040	324
B32656J1474K000	10.2061	RFQ	1122	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.47 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				1.476 "(37.50mm)	1.654 "LX 1.102"W (42.00mm x 28.00mm)	1.457 "(37.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32656J1474K000	귀 99	8532.25.0030	440	600V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32529C6153K189	0.0756	RFQ	7994	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	0.015 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	8,000	200V	400V	"
B43652B5277M050	7.4200	RFQ	236	epcos -tdk 전자 장치	B43652	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	390mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차	1.54 A @ 100 Hz		590 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32620A5473J000	0.2002	RFQ	2807	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.157"W (10.00mm x 4.00mm)	0.335 "(8.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32620A5473J	귀 99	8532.25.0010	6,000	90V	160V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B37986G5103J058	-	RFQ	3705	epcos -tdk 전자 장치	B37986G	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	10000 PF	± 5%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				0.197 "(5.00mm)	0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
B32560J9102J289	0.2871	RFQ	8455	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	테이프 & t (TB)	새로운 새로운 아닙니다	1000 pf	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)		-		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	8,000	500V	1000V (1KV)	"
B43508D5227M67	-	RFQ	8892	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	450 v	560mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.07 a @ 100 Hz		790 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508D5227M 67	귀 99	8532.22.0040	120
B32672L8102J289	0.1897	RFQ	7855	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	테이프 & t (TB)	활동적인	1000 pf	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,680	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43305B2827M80	-	RFQ	6620	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	200 v	150mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.42 A @ 100 Hz		210 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43305F2827M62	-	RFQ	8043	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	150mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.41 A @ 100 Hz		210 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32654A0105J000	4.2400	RFQ	6728	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.827"W (31.50mm x 21.00mm)	1.220 "(31.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	180	250V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32776Z1166K000	7.3300	RFQ	135	epcos -tdk 전자 장치	B32776Z	대부분	활동적인	16 µF	± 10%		6 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 1.299"W (42.00mm x 33.00mm)	1.890 "(48.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	긴 긴	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	45	-	1200V (1.2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32529C0103M289	0.0600	RFQ	4641	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	10000 PF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	12,800	40V	63V	"
B32652A4224K189	0.2813	RFQ	6788	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.22 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.276"W (18.00mm x 7.00mm)	0.492 "(12.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,600	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32563J6155M000	0.9110	RFQ	9451	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	대부분	새로운 새로운 아닙니다	1.5 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.886 "(22.50mm)	0.945 "L x 0.406"W (24.00mm x 10.30mm)	0.520 "(13.20mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32563J6155M	귀 99	8532.25.0070	2,640	200V	400V	"
B43455A9478M3	-	RFQ	3516	epcos -tdk 전자 장치	B43455	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	400 v	27mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	9.9 a @ 100 Hz		32 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43455A9478M003	귀 99	8532.22.0085	32
B43866C1686M	-	RFQ	3304	epcos -tdk 전자 장치	B43866	대부분	활동적인	68 µF	± 20%	160 v	-	5000 시간 @ 125 ° C	-40 ° C ~ 125 ° C	극선	-	범용		370 ma @ 100 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43866C1686M000	귀 99	8532.22.0020	750
B32529C3273M289	0.0841	RFQ	7104	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	0.027 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	12,800	-	-	폴리 폴리, 에스테르
B37950K1153K062	-	RFQ	4593	epcos -tdk 전자 장치	B37950K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.015 µF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	-		표면 표면, MLCC	1210 (3225 메트릭)	-		x7r	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	8,000
B32922C3154M000	0.5500	RFQ	17	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	대부분	활동적인	0.15 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.236"W (18.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	1,000	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B32559H3683K489Z1	-	RFQ	5070	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B3259H3683K489Z1TB	쓸모없는		3,000
B37950K1473K062	-	RFQ	5402	epcos -tdk 전자 장치	B37950K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.047 µF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	-		표면 표면, MLCC	1210 (3225 메트릭)	-		x7r	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	8,000
B32922C3473M289	0.2098	RFQ	7925	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	테이프 & t (TB)	활동적인	0.047 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,680	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B32674D6505K000	4.6300	RFQ	3672	epcos -tdk 전자 장치	B3267* - MKP DC -Link 고전력	대부분	활동적인	5 µF	± 10%		5.8 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.866"W (31.50mm x 22.00mm)	1.437 "(36.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	160	-	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32653A2123J000	0.7300	RFQ	1578	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.012 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,160	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41684A4337T000	-	RFQ	2295	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41684A4337T000			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²