RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B43252B5227M000	7.3900	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	B43252	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	450 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.11 A @ 120 Hz	1.72 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41693A8227Q003	-	RFQ	2505	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41693A8227Q003			1
B32522C1105K289	1.0700	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	컷 컷 (CT)	활동적인	1 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	1,170	63V	100V	"
B37950K1104K072	-	RFQ	2775	epcos -tdk 전자 장치	B37950K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.1 µF	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	-		표면 표면, MLCC	1210 (3225 메트릭)	-		x7r	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	32,000
B43540E2108M7	-	RFQ	5921	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	250 v	70mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.96 A @ 100 Hz		85 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32912A4823M000	-	RFQ	3565	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B3 -X1 표준	대부분	쓸모없는	0.082 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	1,200	440V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B25610A5108J000	-	RFQ	8993	epcos -tdk 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B25610A5108J000	쓸모없는		1
B25666S6167A375	-	RFQ	6286	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수		영향을받습니다	495-B2566S6167A375	쓸모없는		1
B32561J0105J189	-	RFQ	2335	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	대부분	쓸모없는	1 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C			범용				0.394 "(10.00mm)	0.433 "L x 0.138"W (11.00mm x 3.50mm)	0.244 "(6.20mm)		구멍을 구멍을	방사형		PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B32561J0105J189	귀 99	8532.25.0010	1	40V	63V	"
B43624C5157M000	3.7061	RFQ	4732	epcos -tdk 전자 장치	B43624	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	720mohm @ 100Hz	8000 @ @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.21 A @ 100 Hz		1.1	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43624C5157M000	귀 99	8532.22.0040	160
B41795A5188Q001	-	RFQ	7945	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41795A5188Q001			1
B43725B4159M000	219.1400	RFQ	5870	epcos -tdk 전자 장치	B43725	대부분	활동적인	15000 µF	± 20%	350 v	5.1mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	42.8 A @ 100 Hz			1.248 "(31.70mm)	3.543 "DIA (90.00mm)	7.795 "(198.00mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B43725B4159M	귀 99	8532.22.0085	18
B43508B9477M80	-	RFQ	7718	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	400 v	260mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.62 A @ 100 Hz		370 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.465 "(37.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508B9477M 80	귀 99	8532.22.0040	120
B32621A6472K289	0.1910	RFQ	8559	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	테이프 & t (TB)	활동적인	4700 pf	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	400V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B41791A8128Q001	-	RFQ	8847	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41791A8128Q001			1
B41856A8476M000	-	RFQ	5132	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41856A8476M000			1
B41696A5688Q001	-	RFQ	5988	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41696A5688Q001			1
B41231A6338M000	2.1300	RFQ	5212	epcos -tdk 전자 장치	B41231	대부분	활동적인	3300 µF	± 20%	50 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.97 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B25673A5162Z720B1	-	RFQ	3391	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B25673A5162Z720B1	쓸모없는		1
B43501C5277M82	-	RFQ	4086	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	490mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.7 A @ 100 Hz		590 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32529C3272M289	0.0659	RFQ	2172	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	2700 PF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	12,800	-	-	폴리 폴리, 에스테르
B43255A4397M	-	RFQ	9484	epcos -tdk 전자 장치	B43255	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	350 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.59 A @ 120 Hz	2.464 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43255A4397M000	귀 99	8532.22.0040	120
B32520C6123J	0.1071	RFQ	1269	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	새로운 새로운 아닙니다	0.012 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32520C6123J000	귀 99	8532.25.0070	10,000	200V	400V	"
B32559C1223K	-	RFQ	8633	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B32559C1223K	쓸모없는		1,500
B32672L9102J000	0.2301	RFQ	7475	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	1000 pf	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	고온	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32672L9102J000	귀 99	8532.25.0030	4,000	900V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32529C6822J289	0.1091	RFQ	4028	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	8200 pf	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	10,800	200V	400V	"
B32621A6223J000	0.8700	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	0.022 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0030	1,000	400V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B43504B2827M002	-	RFQ	6989	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	쓸모없는	820 µF	± 20%	250 v	160mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.4 a @ 100 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32776H6225K000	2.8982	RFQ	6614	epcos -tdk 전자 장치	B3277* H* -MKP DC -LINK 습도	대부분	활동적인	2.2 µF	± 10%		23.4 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 0.709"W (42.00mm x 18.00mm)	1.280 "(32.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32776H6225K000	귀 99	8532.25.0070	720	-	1500V (1.5kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43501A9477M002	13.4200	RFQ	109	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	400 v	140mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.6 A @ 100 Hz		230 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²