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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32529C1152J289	0.3500	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	컷 컷 (CT)	활동적인	1500 PF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r			0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.098"W (7.20mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	3,200	63V	100V	"
B43540E2108M2	-	RFQ	3085	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	250 v	70mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.96 A @ 100 Hz	85 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B25673L5082A320	-	RFQ	5457	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																							-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	495-B25673L5082A320	쓸모없는		1
B32561S6473J525	-	RFQ	3148	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	대부분	쓸모없는						-55 ° C ~ 125 ° C			범용							구멍을 구멍을	방사형		PC 핀				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B32561S6473J525	쓸모없는		1
B32522C3154K000	0.1884	RFQ	5690	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.15 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r			0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	160V	250V	"
B32561S3105K519	-	RFQ	5187	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	대부분	쓸모없는						-55 ° C ~ 125 ° C			범용							구멍을 구멍을	방사형		PC 핀				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B32561S3105K519	쓸모없는		1
B43508A2188M2	-	RFQ	7737	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	1800 µF	± 20%	200 v	65mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.02 a @ 100 Hz	90 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B25750C4587A008	-	RFQ	7342	epcos -tdk 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는		-				-		-	-			-	-	-		-	-	-	-				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1	-	-	-
B43310A9109M000	182.6800	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B43310	대부분	새로운 새로운 아닙니다	10000 µf	± 20%	400 v	19mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	18.5 a @ 120 Hz		1.248 "(31.70mm)	3.583 "DIA (91.00mm)	6.181 "(157.00mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	8
B32654A6155K000	3.6400	RFQ	520	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT			1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.709"W (31.50mm x 18.00mm)	1.083 "(27.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	200	250V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B43504A5187M62	-	RFQ	6405	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	450 v	750mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.02 a @ 100 Hz	890 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32522C3155K000	1.3800	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r			0.591 "(15.00mm)	0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm)	0.689 "(17.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	500	160V	250V	"
B25667C4337A375	-	RFQ	1512	epcos -tdk 전자 장치	PHASECAP®	대부분	쓸모없는	111 µF	-5%, +10%				-40 ° C ~ 85 ° C		-	3 계수, 전력 단계 보정 (PFC)			0.827 "(21.00mm)	4.567 "DIA (116.00mm)	7.874 "(200.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	터미널 터미널				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-B2567C4337A375	귀 99	8532.25.0020	1	440V	-	폴리 폴리 (pp)
B43501A0187M002	-	RFQ	6554	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	쓸모없는	180 µF	± 20%	420 v	740mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.21 A @ 100 Hz	890 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
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B32923D3334K289	0.8400	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	컷 컷 (CT)	활동적인	0.33 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r			0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.276"W (26.50mm x 7.00mm)	0.630 "(16.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	580	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B37987M5683K051	-	RFQ	5187	epcos -tdk 전자 장치	B37987m	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.068 µF	± 10%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차			0.098 "(2.50mm)	0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B32529C0104M189	0.3200	RFQ	7481	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.1 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r			0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	11,200	40V	63V	"
B37979N1221J051	-	RFQ	3102	epcos -tdk 전자 장치	B37979N	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	220 pf	± 5%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파			0.098 "(2.50mm)	0.217 "L x 0.197"W (5.50mm x 5.00mm)	0.217 "(5.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B32559C1683K289	-	RFQ	4625	epcos -tdk 전자 장치	B32559	테이프 & t (TB)	쓸모없는	0.068 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	높은 높은, DV/DT			0.197 "(5.00mm)	0.276 "L x 0.118"W (7.00mm x 3.00mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	14,000	63V	100V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET) - 스택
B32529C8102K189	0.1082	RFQ	6357	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	1000 pf	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r			0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	11,200	400V	630V	"
B41868R4228M012	-	RFQ	3969	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																							-				495-B41868R4228M012			1
B32621A0682J000	0.8700	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	6800 pf	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT			0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.197"W (13.00mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0040	1,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B32672L8223J000	1.1600	RFQ	3256	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	0.022 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT			0.591 "(15.00mm)	0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm)	0.689 "(17.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	500	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B37987F5154K054	-	RFQ	6101	epcos -tdk 전자 장치	B37987F	컷 컷 (CT)	쓸모없는	0.15 µF	± 10%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차			0.197 "(5.00mm)	0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm)	0.098 "(2.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,500
B32921C3104M000	0.5800	RFQ	146	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	대부분	활동적인	0.1 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r			0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B32796G3206J	-	RFQ	1958	epcos -tdk 전자 장치	B32796	대부분	쓸모없는	20 µF	± 5%		3.1 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; EMI, RFI r			1.476 "(37.50mm)	1.654 "LX 1.102"W (42.00mm x 28.00mm)	1.457 "(37.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1	300V	700V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43455A0228M003	-	RFQ	4040	epcos -tdk 전자 장치	B43455	대부분	쓸모없는	2200 µF	± 20%	400 v	-	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용			1.122 "(28.50mm)	2.532 "dia (64.30mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	50
B25631B0187K800	60.8800	RFQ	12	epcos -tdk 전자 장치	LSI	대부분	활동적인	180 µF	± 10%		1.3 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	DC 링크, DC 필터링			1.772 "(45.00mm)	3.346 "DIA (85.00mm)	2.559 "(65.00mm)		섀시 섀시	방사형, 캔	-	나사산, 남성				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B25631B0187K800	귀 99	8532.25.0070	6	-	800V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²