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 | B32933A3564K289 | 0.6224 | | 4290 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3293* -x2 헤비 듀티 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 0.56 µF | ± 10% | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q200, X2 | 자동차; EMI, RFI r | 0.886 "(22.50mm) | 1.043 "L x 0.413"W (26.50mm x 10.50mm) | 0.650 "(16.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | 85C/85% 습도 | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0020 | 1,560 | 305V | - | 폴리 폴리, 에스테르 | ||||||||||
| B43584A2229M3 | - | | 4852 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43584 | 대부분 | 활동적인 | 22000 µF | ± 20% | 250 v | 5MOHM @ 100Hz | 15000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 39.8 A @ 100 Hz | 6 Mohms | 1.248 "(31.70mm) | 3.028 "dia (76.90mm) | 8.728 "(221.70mm) | - | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43584A2229M003 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 24 | |||||||
 | B43305F2337M | - | | 4865 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 250 v | 380mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.5 A @ 100 Hz | 520 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43305F2337M000 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | |||||||
| B43580A5338M000 | - | | 5825 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43580 | 대부분 | 활동적인 | 3300 µF | ± 20% | 450 v | 56mohm @ 100Hz | 6000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | 범용 | 45 Mohms | 1.248 "(31.70mm) | 3.028 "dia (76.90mm) | 5.146 "(130.70mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43580A5338M | 귀 99 | 8532.22.0085 | 32 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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