RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B41821A9477M000	-	RFQ	9971	epcos -tdk 전자 장치	B41821	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	100 v	350mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1 A @ @ @ 120 Hz			0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	600
B32672L6473J189	0.1788	RFQ	5120	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	5,200	250V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32520C0225K189	1.4700	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	2.2 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.406 "LX 0.236"W (10.30mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	1,100	40V	63V	"
B32361A2506J050	30.5800	RFQ	6714	epcos -tdk 전자 장치	MKP AC	대부분	활동적인	50 µF	± 5%				-40 ° C ~ 70 ° C		-	범용				1.378 "(35.00mm)	2.500 "DIA (63.50mm)	2.756 "(70.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	나사산, 남성				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.25.0010	12	250V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32354S2356K010	10.2400	RFQ	45	epcos -tdk 전자 장치	B32354* -mkp ac 박스	대부분	활동적인	35 µF	± 10%		6.5 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	EMI, RFI r				2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.575"W (57.50mm x 40.00mm)	2.008 "(51.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	24	275V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B37940K5330J070	-	RFQ	8652	epcos -tdk 전자 장치	B37940K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	33 PF	± 5%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				-	0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm)	-		표면 표면, MLCC	0805 (2012 5)	-		C0G, NP0	0.028 "(0.70mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	100,000
B43510B6827M87	-	RFQ	6290	epcos -tdk 전자 장치	B43510	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	500 v	140mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.16 A @ 100 Hz		200 Mohms	0.984 "(25.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	4.024 "(102.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43510B6827M087	귀 99	8532.22.0040	66
B41858C8397M	-	RFQ	2582	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	쓸모없는	390 µF	± 20%	63 v	124mohm @ 10khz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		1.118 A @ 100 kHz	112 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41858C8397M000	귀 99	8532.22.0020	750
B32320I4276K000	7.3400	RFQ	150	epcos -tdk 전자 장치	B32320I- 3 DC- 링크	대부분	활동적인	27 µF	± 10%		4 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	범용				-	1.378 "DIA (35.00mm)	2.087 "(53.00mm)		구멍을 구멍을	방사형, -5 can 할 수 있습니다	긴 긴	솔더 솔더				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	84	-	450V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L1122J000	0.5800	RFQ	7951	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	1200 PF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	600V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41044A8336M	-	RFQ	9130	epcos -tdk 전자 장치	B41044	대부분	쓸모없는	33 µF	± 20%	63 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-	극선	-	범용		233 ma @ 100 kHz	600 Mohms	0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41044A8336M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B43231A6227M	-	RFQ	3671	epcos -tdk 전자 장치	B43231	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	500 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.22 a @ 120 Hz	1.891 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43231A6227M000	귀 99	8532.22.0040	160
B32521C6104K	0.7100	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	새로운 새로운 아닙니다	0.1 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	200V	400V	"
B32676E3306K000	7.0992	RFQ	3316	epcos -tdk 전자 장치	B32676	대부분	활동적인	30 µF	± 10%				-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 1.181"W (42.00mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	400	-	300V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B33364A5126J550	-	RFQ	6798	epcos -tdk 전자 장치	CBB66	대부분	쓸모없는	12.5 µF	± 5%				-40 ° C ~ 70 ° C		-	모터 모터				0.787 "(20.00mm)	2.028 "L x 1.240"W (51.50mm x 31.50mm)	3.031 "(77.00mm)		섀시 섀시, 마운트/브래킷이 필요합니다	방사형, 캔	-	빠른 빠른, 연결				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-4340	귀 99	8532.25.0020	120	440V	-	폴리 폴리 (pp)
B41695A8687Q001	-	RFQ	7386	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41695A8687Q001			1
B32529C0392K000	0.0633	RFQ	5256	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	3900 pf	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	8,000	40V	63V	"
B32758G4156K000	18.5400	RFQ	7929	epcos -tdk 전자 장치	B3275* -mkp ac -filter	대부분	활동적인	15 µF	± 10%		3.3 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	범용				2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.496"W (57.50mm x 38.00mm)	2.264 "(57.50mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	24	400V	800V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32537B8224K	-	RFQ	8314	epcos -tdk 전자 장치	B32537	대부분	쓸모없는	0.22 µF	± 10%				-55 ° C ~ 85 ° C		-	-				-	0.461 "dia x 0.827"L (11.70mm x 21.00mm)	-		구멍을 구멍을	축	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B32537B8224K000	귀 99	8532.25.0070	20	200V	630V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B25673L5302A20	-	RFQ	9469	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B25673L5302A20	쓸모없는		1
B41866D0337M004	-	RFQ	8135	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-				495-B41866D0337M004	귀 99	8532.22.0020	1
B32620A4472J289	0.1865	RFQ	8512	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	테이프 & t (TB)	활동적인	4700 pf	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	8,000	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B25655J4457KXX1	-	RFQ	6874	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B25655J4457KXX1	쓸모없는		1
B43644E5187M000	5.3713	RFQ	6458	epcos -tdk 전자 장치	B43644	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	450 v	590mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1 A @ 100 Hz		890 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43644E5187M000	귀 99	8532.22.0040	160
B25667C5277A375	-	RFQ	4478	epcos -tdk 전자 장치	PHASECAP®	대부분	쓸모없는	90 µF	-5%, +10%				-40 ° C ~ 85 ° C		-	3 계수, 전력 단계 보정 (PFC)				0.827 "(21.00mm)	5.354 "DIA (136.00mm)	7.874 "(200.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	터미널 터미널				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-B2567C5277A375	귀 99	8532.25.0020	1	570V	-	폴리 폴리 (pp)
B32798G8306K	-	RFQ	6166	epcos -tdk 전자 장치	B32798	대부분	쓸모없는	30 µF	± 10%		4 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; EMI, RFI r				2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.378"W (57.50mm x 35.00mm)	1.969 "(50.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-4395	귀 99	8532.25.0020	70	350V	875V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32621A6472K000	0.1910	RFQ	7633	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	4700 pf	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	400V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B43511A0477M007	-	RFQ	4750	epcos -tdk 전자 장치	B43511	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	420 v	320mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.9 a @ 100 Hz		340 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
B25673A6052A90B1	-	RFQ	8683	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B25673A6052A90B1	쓸모없는		1
B25856J7104M3	-	RFQ	4125	epcos -tdk 전자 장치	B25856	대부분	쓸모없는	0.1 µF	± 10%				-25 ° C ~ 85 ° C		-	스 스				-		-		섀시 섀시, 마운트/브래킷이 필요합니다	축, 수 할 있습니다	-	나사, 여성				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0040	1	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²