전화 : +86-0755-83501315
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B32529C3104J189 | 0.1633 | ![]() | 34 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3252* -MKT 범용 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0.1 µF | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차; EMI, RFI r | 0.197 "(5.00mm) | 0.287 "L x 0.177"W (7.30mm x 4.50mm) | 0.374 "(9.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 495-2530-2 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 1,500 | 160V | 250V | " | |||||||||||||
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![]() | B43540B5127M80 | - | ![]() | 5636 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43540 | 대부분 | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 450 v | 800mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.21 A @ 100 Hz | 1.14 옴 | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.268 "(32.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | |||||||||||
![]() | B32620A3104K289 | 0.2628 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3262* -MKP High Pulse (스택) | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 0.1 µF | ± 10% | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 높은 높은, DV/DT | 0.295 "(7.50mm) | 0.406 "LX 0.236"W (10.30mm x 6.00mm) | 0.472 "(12.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 5,200 | 140V | 250V | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택 | |||||||||||||
![]() | B43508C9277M2 | - | ![]() | 9617 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 270 µF | ± 20% | 400 v | 460mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.13 A @ 100 Hz | 640 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508C9277M 2 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||||||||
B32559C6822K289 | - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B32559 | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 8200 pf | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 높은 높은, DV/DT | 0.197 "(5.00mm) | 0.276 "L x 0.118"W (7.00mm x 3.00mm) | 0.276 "(7.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 3,200 | 200V | 400V | 폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET) - 스택 | ||||||||||||||
![]() | B43305D9337M82 | - | ![]() | 8455 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 400 v | 410mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.55 A @ 100 Hz | 560 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | Radial, can -snap -in -3 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | |||||||||||
![]() | B43508A5477M7 | - | ![]() | 9091 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 450 v | 260mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2 A @ 100 Hz | 370 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 2.244 "(57.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508A5477M 7 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||||||||
![]() | B32560J8332K289 | 0.1201 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3256* - MKT SilverCap ™ | 테이프 & t (TB) | 새로운 새로운 아닙니다 | 3300 pf | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 0.295 "(7.50mm) | 0.354 "L x 0.098"W (9.00mm x 2.50mm) | 0.217 "(5.50mm) | 구멍을 구멍을 | 2-DIP | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 12,600 | 400V | 630V | " | |||||||||||||
![]() | B32682A6473K189 | 1.7500 | ![]() | 597 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3268* -MFP 매우 높은 펄스 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0.047 µF | ± 10% | -55 ° C ~ 100 ° C | - | DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스 | 0.591 "(15.00mm) | 0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm) | 0.689 "(17.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 700 | 300V | 630V | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 | |||||||||||||
![]() | B43456A9478M000 | 121.4800 | ![]() | 2120 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43456 | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 4700 µF | ± 20% | 400 v | 100Hz 16mohm | 12000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 14 a @ 100 Hz | 17 Mohms | 1.248 "(31.70mm) | 3.028 "dia (76.90mm) | 4.161 "(105.70mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 16 | |||||||||||
![]() | B41896C7687M008 | 0.7803 | ![]() | 7266 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41896 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 35 v | 41mohm @ 10khz | 7000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 2.28 A @ 100 kHz | 38 Mohms | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 495-B41896C7687M008TB | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,500 | ||||||||||
![]() | B43601C2827M82 | - | ![]() | 1652 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43601 | 대부분 | 활동적인 | 820 µF | ± 20% | 200 v | 120mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.4 a @ 100 Hz | 160 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.268 "(32.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | Radial, can -snap -in -3 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43601C2827M082 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고