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 | B43501A1687M007 | - | | 1880 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43501 | 대부분 | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 160 v | 170mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.4 a @ 100 Hz | 240 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | ||||||||
| B32653A6105K000 | 1.3835 | | 3236 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3265* -MKP 범용 | 대부분 | 활동적인 | 1 µF | ± 10% | -55 ° C ~ 100 ° C | AEC-Q200 | DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스 | 0.886 "(22.50mm) | 1.043 "L x 0.571"W (26.50mm x 14.50mm) | 1.161 "(29.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | ESL | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | B32653A6105K | 귀 99 | 8532.25.0070 | 1,040 | 250V | 630V | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 | |||||||||
 | B32523Q1335M000 | 0.7397 | | 9453 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3252* -MKT 범용 | 대부분 | 활동적인 | 3.3 µF | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차; EMI, RFI r | 0.886 "(22.50mm) | 1.043 "L x 0.236"W (26.50mm x 6.00mm) | 0.591 "(15.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | B32523Q1335M | 귀 99 | 8532.25.0010 | 2,880 | 63V | 100V | " | |||||||||
| B43508F2567M7 | - | | 6600 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 250 v | 210mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.62 A @ 100 Hz | 280 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.457 "(37.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508F2567M 7 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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