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커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32620A5683J000	0.2332	RFQ	9094	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	0.068 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.197"W (10.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	4,000	90V	160V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B43305B9337M000	-	RFQ	5492	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	쓸모없는	330 µf	± 20%	400 v	410mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.68 A @ 100 Hz		560 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B41827B7108M	-	RFQ	6313	epcos -tdk 전자 장치	B41827	대부분	쓸모없는	1000 µF	± 20%	35 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.158 A @ 120 Hz			-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41827B7108M000	귀 99	8532.22.0020	750
B41605A0278M002	-	RFQ	6297	epcos -tdk 전자 장치	B41605	쟁반	활동적인	2700 µF	± 20%	55 v	24mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		6.9 a @ 10 kHz	15 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.575 "(40.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
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B32529C1473J000	0.3500	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	2,000	63V	100V	"
B32923C3224M189	0.8600	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.22 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.236"W (26.50mm x 6.00mm)	0.591 "(15.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	700	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
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B32923H3474K000	0.6113	RFQ	2525	epcos -tdk 전자 장치	B3292*h/j -x2 높은 습도	대부분	활동적인	0.47 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200, X2	자동차; EMI, RFI r				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.413"W (26.50mm x 10.50mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	85C/85% 습도	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32923H3474K000	귀 99	8532.25.0020	2,160	305V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41866C8687M008	-	RFQ	4359	epcos -tdk 전자 장치	B41866	대부분	쓸모없는	680 µF	± 20%	63 v	279mohm @ 120Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		1.588 A @ 100 kHz	89 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1
B41888C6127M	-	RFQ	6000	epcos -tdk 전자 장치	B41888	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	50 v	615mohm @ 10khz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		500 ma @ 100 kHz	540 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41888C6127M000	귀 99	8532.22.0020	3,000
B41231B5688M067	1.0439	RFQ	7843	epcos -tdk 전자 장치	B41231	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	25 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.15 a @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
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B43501A337M87	-	RFQ	1190	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	420 v	400mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.96 A @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32562J1225K289	-	RFQ	6562	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	테이프 & t (TB)	활동적인	2.2 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.591 "(15.00mm)		0.315 "(8.00mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	4,760	63V	100V	"
B32653A1473K000	1.9900	RFQ	7292	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.047 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.433"W (26.50mm x 11.00mm)	0.807 "(20.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	510	500V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32656S7224K564	9.9200	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.22 µF	± 10%		11.5 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		-	스 스				0.984 "(25.00mm)		-		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESL	나사 나사	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	72	500V	1250V (1.25kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B25673A4201A	-	RFQ	1891	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	495-B25673A4201A	쓸모없는		1
B43508A5567M000	21.6200	RFQ	121	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	450 v	220mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.08 a @ 100 Hz		310 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	60
B41456B7479M000	30.0700	RFQ	168	epcos -tdk 전자 장치	B41456	대부분	활동적인	47000 µF	± 20%	40 v	12MOHM @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	13 a @ 100 Hz		10 Mohms	0.874 "(22.20mm)	2.032 "DIA (51.60mm)	3.177 "(80.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	36
B43508F2108M002	10.5512	RFQ	3680	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	250 v	120mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.23 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32796S2156K503	-	RFQ	9194	epcos -tdk 전자 장치	B32796	대부분	쓸모없는	15 µF	± 10%				-40 ° C ~ 85 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; EMI, RFI r				1.476 "(37.50mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	1	250V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32684A6224K000	2.8700	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	B3268* -MFP 매우 높은 펄스	대부분	활동적인		± 10%				-55 ° C ~ 110 ° C			높은 높은, DV/DT				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.531"W (31.50mm x 13.50mm)	0.906 "(23.00mm)		구멍을 구멍을		-		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	260	300V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43305A9337M82	-	RFQ	3092	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	410mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.69 A @ 100 Hz		560 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B25835K1684K7	-	RFQ	1546	epcos -tdk 전자 장치	B25835	대부분	쓸모없는	0.68 µF	± 10%				-25 ° C ~ 85 ° C		-	제동; 스 스				-		-		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	-	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0040	9	2100V (2.1KV)	-	-
B32529C1104K189	0.0723	RFQ	8	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.1 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	2,800	63V	100V	"
B25655A3107J020	-	RFQ	1624	epcos -tdk 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는		-				-		-	-				-	-	-		-	-	-	-	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1	-	-	-
B43501B9567M87	-	RFQ	6029	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	400 v	120mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.82 A @ 100 Hz		190 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²