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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32774D0205K189	2.2129	RFQ	3892	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	테이프 & tr (TR)	활동적인	2 µF	± 10%		26.3 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.492"W (31.50mm x 12.50mm)	0.846 "(21.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,200	-	1100V (1.1kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B25667C2627A375	-	RFQ	7936	epcos -tdk 전자 장치	PHASECAP®	대부분	쓸모없는	208.7 µF	-5%, +10%				-40 ° C ~ 85 ° C		-	3 계수, 전력 단계 보정 (PFC)				0.827 "(21.00mm)	4.567 "DIA (116.00mm)	6.457 "(164.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	터미널 터미널	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-B2567C2627A375	귀 99	8532.25.0010	1	230V	-	폴리 폴리 (pp)
B43254A1158M	-	RFQ	7145	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	160 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.81 A @ 120 Hz	4.356 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.000 "dia (25.40mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43254A1158M000	귀 99	8532.22.0040	260
B32320I0157K000	17.8000	RFQ	3333	epcos -tdk 전자 장치	B32320I- 3 DC- 링크	대부분	활동적인	150 µF	± 10%		4.3 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	범용				-	2.362 "DIA (60.00mm)	4.724 "(120.00mm)		구멍을 구멍을	방사형, -5 can 할 수 있습니다	긴 긴	솔더 솔더	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	21	-	1100V (1.1kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B41866C4127M000	-	RFQ	7066	epcos -tdk 전자 장치	B41866	대부분	마지막으로 마지막으로	120 µF	± 20%	16 v	1.789ohm @ 120Hz	125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		297 ma @ 100 kHz	573 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-				495-B41866C4127M000	귀 99	8532.22.0020	1
B43540C9277M82	-	RFQ	9360	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	400 v	230mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.18 A @ 100 Hz		270 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	120
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B43252A2397M	-	RFQ	6725	epcos -tdk 전자 장치	B43252	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	200 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.24 a @ 120 Hz	1.922 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43252A2397M000	귀 99	8532.22.0040	320
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B43252A2687M	-	RFQ	2846	epcos -tdk 전자 장치	B43252	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	200 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.88 A @ 120 Hz	2.914 A @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43252A2687M000	귀 99	8532.22.0040	320
B43252D9127M	-	RFQ	6183	epcos -tdk 전자 장치	B43252	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	400 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	710 ma @ 120 Hz	1.1 a @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43252D9127M000	귀 99	8532.22.0040	120
B32672L7333J289	0.2560	RFQ	7931	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	테이프 & t (TB)	활동적인	0.033 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.335"W (18.00mm x 8.50mm)	0.571 "(14.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,720	500V	1300V (1.3kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B32559C8152J189	-	RFQ	5171	epcos -tdk 전자 장치	B32559	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	1500 PF					-55 ° C ~ 125 ° C			범용				0.197 "(5.00mm)	0.276 "L x 0.118"W (7.00mm x 3.00mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형		PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B32559C8152J189tr	쓸모없는		1,900
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B32559C3333K1	-	RFQ	8747	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B32559C3333K1	쓸모없는		1,500
B43821A2474M	-	RFQ	3912	epcos -tdk 전자 장치	B43821	대부분	쓸모없는	0.47 µF	± 20%	200 v	395ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	15 ma @ 120 Hz			0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.472 "(12.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B43821A2474M000	귀 99	8532.22.0020	5,000
B43508G2827M60	-	RFQ	7487	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	140mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.65 A @ 100 Hz		200 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508G2827M 60	귀 99	8532.22.0040	120
B43540E2337M7	-	RFQ	3557	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	250 v	220mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.76 A @ 100 Hz		260 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43540E2567M80	-	RFQ	6477	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	250 v	130mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.48 A @ 100 Hz		160 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.661 "(42.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	230
B43501A2128M	-	RFQ	8669	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	85mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.8 a @ 100 Hz		110 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.244 "(57.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43501A2128M000	귀 99	8532.22.0040	160
B43504A227M002	-	RFQ	9132	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	250 v	580mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	890 ma @ 100 Hz		700 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B43505A2687M80	-	RFQ	2101	epcos -tdk 전자 장치	B43505	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	250 v	190mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.3 A @ 100 Hz		230 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.858 "(47.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
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B25631A1107K100	55.5279	RFQ	8185	epcos -tdk 전자 장치	LSI	대부분	새로운 새로운 아닙니다	100 µf	± 10%				-55 ° C ~ 70 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				1.772 "(45.00mm)	3.346 "DIA (85.00mm)	2.598 "(66.00mm)		섀시 섀시	방사형, 캔	-	나사산, 남성	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	24	-	1100V (1.1kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41605E7109M9	-	RFQ	2609	epcos -tdk 전자 장치	B41605	대부분	활동적인	10000 µf	± 20%	40 v	13mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		9.9 a @ 10 kHz		0.331 "(8.40mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	1
B43504B9277M7	-	RFQ	9929	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	400 v	320mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.29 a @ 100 Hz		410 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B41896C6276M006	-	RFQ	6625	epcos -tdk 전자 장치	B41896	대부분	마지막으로 마지막으로	27 µF	± 20%	50 v	4.678ohm @ 120Hz	125 ° C @ 2500 시간	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		260 ma @ 100 kHz	702 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-				495-B41896C6276M006	귀 99	8532.22.0020	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²