전화 : +86-0755-83501315
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B37987F1473K051 | - | ![]() | 4580 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B37987F | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0.047 µF | ± 10% | 100V | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 0.197 "(5.00mm) | 0.256 "L x 0.197"W (6.50mm x 5.00mm) | 0.098 "(2.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | x7r | - | 형성 형성 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.24.0060 | 2,500 | |||||||||||||||||
![]() | B32377A5406J030 | - | ![]() | 5516 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Mkd ac-3 ac 델타 연결 | 대부분 | 활동적인 | 40 µf | ± 5% | -40 ° C ~ 70 ° C | - | 3 단계 | 0.591 "(15.00mm) | 2.953 "DIA (75.00mm) | 10.925 "(277.50mm) | 섀시, 마운트 스터드 | 방사형, 캔 | - | 터미널 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0030 | 30 | 530V | 1350V (1.35kV) | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 | ||||||||||||||||
B43508G2687M67 | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43508 | 대부분 | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 250 v | 170mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.61 A @ 100 Hz | 230 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B43508G2687M 67 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||||||||||||
![]() | B43540A5477M82 | - | ![]() | 1633 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43540 | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 450 v | 210mohm @ 100Hz | 10000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.15 A @ 100 Hz | 290 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 2.055 "(52.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | ||||||||||||||
![]() | B37871K5272J060 | - | ![]() | 7718 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B37871K | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 2700 PF | ± 5% | 50V | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | - | 표면 표면, MLCC | 1206 (3216 메트릭) | - | C0G, NP0 | 0.035 "(0.90mm) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.24.0020 | 20,000 | ||||||||||||||||
![]() | B43504D2687M87 | - | ![]() | 2786 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43504 | 대부분 | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 250 v | 190mohm @ 100Hz | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.06 A @ 100 Hz | 230 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.268 "(32.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 120 | ||||||||||||||
![]() | B44066T0200E402 | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 장착 장착 | 타원형은 타원형은 할 타이핑 있습니다 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 495-B44066T0200E402 | 쓸모없는 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
B32529C0222K289 | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3252* -MKT 범용 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 2200 PF | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차; EMI, RFI r | 0.197 "(5.00mm) | 0.287 "L x 0.098"W (7.30mm x 2.50mm) | 0.256 "(6.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0010 | 3,200 | 40V | 63V | " | |||||||||||||||||
![]() | B41888C8127M008 | - | ![]() | 1285 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 495-B4188C8127M008 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B32674D8105J000 | 2.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3267* - MKP DC -Link 고전력 | 대부분 | 활동적인 | 1 µF | ± 5% | 22.2 Mohms | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q200 | DC 링크, DC 필터링 | 1.083 "(27.50mm) | 1.240 "L x 0.531"W (31.50mm x 13.50mm) | 0.906 "(23.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | 긴 긴 | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 260 | - | 875V | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 | |||||||||||||||
![]() | B32652J1332J289 | - | ![]() | 5653 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3265* -MKP 범용 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 3300 pf | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | AEC-Q200 | 자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스 | 0.591 "(15.00mm) | 0.709 "L x 0.236"W (18.00mm x 6.00mm) | 0.433 "(11.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 3,840 | 700V | 1600V (1.6kV) | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 | ||||||||||||||||
![]() | B43305E2567M67 | - | ![]() | 8345 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 250 v | 230mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.13 a @ 100 Hz | 310 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 320 | ||||||||||||||
![]() | B32520C0474J289 | 0.1879 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3252* -MKT 범용 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 0.47 µF | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차; EMI, RFI r | 0.295 "(7.50mm) | 0.394 "LX 0.118"W (10.00mm x 3.00mm) | 0.315 "(8.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0010 | 10,400 | 40V | 63V | " | ||||||||||||||||
![]() | B32621A0222K289 | 0.2100 | ![]() | 9588 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3262* -MKP High Pulse (스택) | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 2200 PF | ± 10% | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 높은 높은, DV/DT | 0.394 "(10.00mm) | 0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm) | 0.276 "(7.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 4,000 | 500V | 1000V (1KV) | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택 | ||||||||||||||||
![]() | B41252B8338M | 1.8931 | ![]() | 9393 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41252 | 대부분 | 활동적인 | 3300 µF | ± 20% | 63 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.53 A @ 120 Hz | 0.394 "(10.00mm) | 1.000 "dia (25.40mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | B41252B8338M000 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 260 | ||||||||||||||
![]() | B43510A6108M000 | - | ![]() | 3075 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43510 | 대부분 | 쓸모없는 | 1000 µF | ± 20% | 500 v | 120mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.8 a @ 100 Hz | 160 Mohms | 0.984 "(25.00mm) | 1.575 "DIA (40.00mm) | 3.622 "(92.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 66 | ||||||||||||||
![]() | B25856K7155K13 | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B25856 | 대부분 | 쓸모없는 | 1.5 µF | ± 10% | -25 ° C ~ 85 ° C | - | 스 스 | - | 3.661 "DIA (93.00mm) | 3.110 "(79.00mm) | 섀시 섀시, 마운트/브래킷이 필요합니다 | 축, 수 할 있습니다 | - | 나사, 여성 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.25.0040 | 1 | 2500V (2.5kV) | 3000V (3KV) | - | |||||||||||||||||
![]() | B32620A4273J289 | 0.2158 | ![]() | 2072 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B3262* -MKP High Pulse (스택) | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 0.027 µF | ± 5% | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 높은 높은, DV/DT | 0.295 "(7.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 6,400 | 200V | 400V | 폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택 | |||||||||||||||||
![]() | B43521C0108M000 | - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43521 | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 420 v | 160mohm @ 100Hz | 12000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 5.3 a @ 100 Hz | 160 Mohms | - | 1.575 "DIA (40.00mm) | 3.307 "(84.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, -5 can 할 수 있습니다 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 66 | ||||||||||||||
![]() | B32559C3823K289 | - | ![]() | 5502 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B32559 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 0.082 µF | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 높은 높은, DV/DT | 0.197 "(5.00mm) | 0.276 "L x 0.118"W (7.00mm x 3.00mm) | 0.315 "(8.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 | - | PC 핀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.25.0070 | 9,200 | 160V | 250V | 폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET) - 스택 | ||||||||||||||||
![]() | B37950K2473K062 | - | ![]() | 7045 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B37950K | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0.047 µF | ± 10% | 200V | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | - | 표면 표면, MLCC | 1210 (3225 메트릭) | - | x7r | 0.067 "(1.70mm) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.24.0020 | 8,000 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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