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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	종료	명세서	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체	장치 장치
B32924A4185M000	2.9580	RFQ	4490	epcos -tdk 전자 장치	B3292*A/B -X2 고전류	대부분	활동적인	1.8 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.709"W (31.50mm x 18.00mm)	1.083 "(27.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	85C/85% 습도			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32924A4185M	귀 99	8532.25.0070	800	350V	650V	폴리 폴리 (pp)
B41866C8227M000	-	RFQ	1668	epcos -tdk 전자 장치	B41866	대부분	쓸모없는	220 µF	± 20%	63 v	176mohm @ 100khz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		824 ma @ 100 kHz	182 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41866C8227M	귀 99	8532.22.0020	1,050
B25673A4122A500B1	-	RFQ	5035	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																								-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B25673A4122A500B1	쓸모없는		1
B32922P3473K000	0.6000	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	B3292*P/Q -X2 높은 온도	대부분	활동적인	0.047 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	1,000	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B44030A0390B000	20.3724	RFQ	6177	epcos -tdk 전자 장치	B44030	대부분	활동적인																				장착 장착	라운드 라운드 유형		-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.90.0000	100				3.543 "DIA (90mm)
B32362A2407J050	63.9214	RFQ	3910	epcos -tdk 전자 장치	MKP AC	대부분	활동적인	400 µF	± 5%				-40 ° C ~ 70 ° C		-	범용				1.378 "(35.00mm)	3.346 "DIA (85.00mm)	7.756 "(197.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-			나사산, 남성		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.25.0010	120	250V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B43508E2567M82	-	RFQ	9165	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	250 v	210mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.67 A @ 100 Hz		280 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.858 "(47.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508E2567M 82	귀 99	8532.22.0040	320
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B25667C7127A335	-	RFQ	6682	epcos -tdk 전자 장치	PHASECAP®	대부분	쓸모없는		-				-		-	전력 전력 보정 (PFC)				-	-	-		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-			터미널 터미널		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B2567C7127A335	귀 99	8532.25.0030	1	-	-	-
B41858C9277M001	-	RFQ	1147	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	쓸모없는	270 µF	± 20%	100 v	374mohm @ 120Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		1.309 a @ 100 kHz	121 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	1
B32526R1686K000	10.5191	RFQ	8116	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	68 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				1.476 "(37.50mm)	1.634 "L x 0.709"W (41.50mm x 18.00mm)	1.280 "(32.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	720	63V	100V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B41888C6227M	-	RFQ	5885	epcos -tdk 전자 장치	B41888	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	50 v	129mohm @ 10khz	7000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		1.05 a @ 100 kHz	115 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.669 "(17.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41888C6227M000	귀 99	8532.22.0020	3,000
B43540B5157M82	-	RFQ	4556	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	450 v	640mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.35 A @ 100 Hz		910 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.268 "(32.20mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41868W3338M	-	RFQ	9520	epcos -tdk 전자 장치	B41868	대부분	쓸모없는	3300 µF	± 20%	10 v	52mohm @ 10khz	150 ° C @ 150 ° C	-	극선	-	자동차		1.475 A @ 100 kHz	49 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B41868W3338M000	귀 99	8532.22.0020	600
B32021H3103M000	0.8200	RFQ	4418	epcos -tdk 전자 장치	B3202*h/j -y2 자동 등급	대부분	활동적인	10000 PF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200, Y2	자동차; EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	1,000	300V	1500V (1.5kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41505A158M7	-	RFQ	1585	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	80 v	83mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용			89 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41505A0158M007	귀 99	8532.22.0040	260
B43564A4568M3	-	RFQ	6227	epcos -tdk 전자 장치	B43564	대부분	활동적인	5600 µF	± 20%	350 v	33mohm @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	14.2 a @ 100 Hz		26 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43564A4568M003	귀 99	8532.22.0085	32
B41505A228M2	-	RFQ	4627	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	80 v	56mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용			60 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41505A0228M002	귀 99	8532.22.0040	160
B32778J9217K000	56.6963	RFQ	4925	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	210 µF	± 10%		1.3 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 5.118"W (57.50mm x 130.00mm)	2.283 "(58.00mm)		구멍을 구멍을	12-DIP	긴 긴			-		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32778J9217K000	3A201A2	8532.25.0080	40	-	900V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B3252N6334K189	0.2532	RFQ	2624	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.33 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.276"W (18.00mm x 7.00mm)	0.492 "(12.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,600	200V	450V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B43642A5477M002	8.5857	RFQ	8181	epcos -tdk 전자 장치	B43642	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	450 v	180mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.2 A @ 100 Hz	1.5 A @ 100 kHz	270 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43305G2567M87	-	RFQ	6572	epcos -tdk 전자 장치	B43305	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	250 v	230mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.84 A @ 100 Hz		310 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32672Z4684J289	0.3493	RFQ	5229	epcos -tdk 전자 장치	B3267* Z* - 고전류 PFC	테이프 & t (TB)	활동적인	0.68 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	전력 전력 보정 (PFC)				0.591 "(15.00mm)	0.709 "LX 0.354"W (18.00mm x 9.00mm)	0.689 "(17.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,560	220V	450V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32620A6222M000	0.1870	RFQ	3126	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	2200 PF	± 20%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.157"W (10.00mm x 4.00mm)	0.335 "(8.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-			PC 핀		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32620A6222M	귀 99	8532.25.0070	6,000	400V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²