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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B43504A9476M87	-	RFQ	9220	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	47 µF	± 20%	400 v	1.86ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	390 ma @ 100 Hz		2.31 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.071 "(27.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B43455B9228M000	-	RFQ	5840	epcos -tdk 전자 장치	B43455	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	400 v	59mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	6.5 A @ 100 Hz		71 Mohms	0.874 "(22.20mm)	2.032 "DIA (51.60mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	72
B43540A9337M60	-	RFQ	6707	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	180mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.55 A @ 100 Hz		230 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32656S0105J561	11.1100	RFQ	6021	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1 µF	± 5%		6 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		-	스 스				1.476 "(37.50mm)		-		섀시 섀시	직사각형 직사각형		ESL	나사 나사				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	24	480V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43540B9157M7	-	RFQ	2159	epcos -tdk 전자 장치	B43540	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	400 v	420mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.39 a @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B37950K2472K062	-	RFQ	3245	epcos -tdk 전자 장치	B37950K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	4700 pf	± 10%	200V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	-		표면 표면, MLCC	1210 (3225 메트릭)		-		x7r	0.035 "(0.90mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	8,000
B43484A9688M000	-	RFQ	9047	epcos -tdk 전자 장치	B43484	쟁반	활동적인	6800 µF	± 20%	400 v	18mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	17.2 a @ 100 Hz		23 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	5.677 "(144.20mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	16
B43601A9277M60	-	RFQ	7422	epcos -tdk 전자 장치	B43601	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	400 v	400mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.61 A @ 100 Hz		550 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43601A9277M060	귀 99	8532.22.0040	320
B32232A3185K	-	RFQ	9109	epcos -tdk 전자 장치	B32232	대부분	쓸모없는	1.8 µF	± 10%				-40 ° C ~ 100 ° C		-	EMI, RFI r				-		-		구멍을 구멍을	축		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B32232A3185K000	귀 99	8532.25.0010	500	160V	250V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B32612A7682J008	-	RFQ	2181	epcos -tdk 전자 장치	B32612	대부분	쓸모없는	6800 pf	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.276"W (18.00mm x 7.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	500V	1250V (1.25kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41868W5337M001	-	RFQ	6664	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																									-				495-B41868W5337M001			1
B43821A5107M000	-	RFQ	1461	epcos -tdk 전자 장치	B43821	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	450 v	1.8ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	295 ma @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.787 "DIA (20.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	300
B32562J6474M289	0.3364	RFQ	4887	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	테이프 & t (TB)	새로운 새로운 아닙니다	0.47 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.591 "(15.00mm)	0.650 "L x 0.287"W (16.50mm x 7.30mm)	0.366 "(9.30mm)		구멍을 구멍을	2-DIP		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,160	200V	400V	"
B37979N1181J000	-	RFQ	6463	epcos -tdk 전자 장치	B37979N	대부분	쓸모없는	180 pf	± 5%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				0.098 "(2.50mm)	0.217 "L x 0.197"W (5.50mm x 5.00mm)	0.217 "(5.50mm)		구멍을 구멍을	방사형		-		C0G, NP0	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	2,000
B25667C7376A375	-	RFQ	4313	epcos -tdk 전자 장치	PHASECAP®	대부분	쓸모없는	12.4 µF	-5%, +10%				-40 ° C ~ 85 ° C		-	3 계수, 전력 단계 보정 (PFC)				0.827 "(21.00mm)	4.567 "DIA (116.00mm)	6.457 "(164.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔		-	터미널 터미널				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B2567C7376A375	귀 99	8532.25.0030	1	800V	-	폴리 폴리 (pp)
B43641B9687M050	10.0899	RFQ	2978	epcos -tdk 전자 장치	B43641	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	400 v	160mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.97 a @ 100 Hz		240 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.476 "(37.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43641B9687M050	귀 99	8532.22.0040	120
B43630A5127M062	2.7630	RFQ	2450	epcos -tdk 전자 장치	B43630	대부분	활동적인	120 µF	± 20%	450 v	900mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	980 ma @ 100 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B32923C3684M000	0.8400	RFQ	34	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	대부분	활동적인	0.68 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.413"W (26.50mm x 10.50mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	540	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B41789K5128Q001	-	RFQ	2405	epcos -tdk 전자 장치	B41789	대부분	활동적인	1200 µF	-10%, +30%	25 v	80mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		4.4 a @ 10 kHz	41 Mohms	0.728 "(18.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41789K5128Q1	귀 99	8532.22.0020	600
B32672L0473J000	0.3061	RFQ	8856	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.276"W (18.00mm x 7.00mm)	0.492 "(12.50mm)		구멍을 구멍을	방사형		고온	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32672L0473J000	귀 99	8532.25.0010	4,000	250V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32520C6222J189	-	RFQ	6526	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	2200 PF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0070	11,200	200V	400V	"
B40930A5477M000	2.5500	RFQ	4871	epcos -tdk 전자 장치	B40930	테이프 & tr (TR)	활동적인	470 µF	± 20%	25 v	20mohm	4000 시간 @ 125 ° C	-40 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차		3.6 a @ 100 kHz		-	0.394 "dia (10.00mm)	0.413 "(10.50mm)	0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm)	표면 표면	방사형, s -smd	잡종						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할					2,500
B32794D3505KN9	-	RFQ	7257	epcos -tdk 전자 장치	B32794	대부분	쓸모없는	5 µF	± 10%		6.7 Mohms		-40 ° C ~ 85 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.551"W (31.50mm x 14.00mm)	0.965 "(24.50mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32794D3505K N 9	쓸모없는	0000.00.0000	1	300V	700V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43641A9187M050	3.5723	RFQ	7610	epcos -tdk 전자 장치	B43641	대부분	활동적인	180 µF	± 20%	400 v	520mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	990 ma @ 100 Hz		750 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43641A9187M050	귀 99	8532.22.0040	320
B32621A322K289	0.1939	RFQ	1662	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	테이프 & t (TB)	활동적인	2200 PF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	140V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B32774D8126K000	6.6000	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	12 µF	± 10%		6.8 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.866"W (31.50mm x 22.00mm)	1.437 "(36.50mm)		구멍을 구멍을	방사형		긴 긴	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	196 년	-	800V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B37920K5040C760	-	RFQ	3857	epcos -tdk 전자 장치	B37920K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	4.7 pf	± 0.25pf	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차				-	0.039 "L x 0.020"W (1.00mm x 0.50mm)	-		표면 표면, MLCC	0402 (1005 메트릭)		-		C0G, NP0	0.022 "(0.55mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	150,000
B32756C7705K000	3.8488	RFQ	5718	epcos -tdk 전자 장치	B3275* -mkp ac -filter	대부분	활동적인	7 µF	± 10%		9.7 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	범용				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 0.709"W (42.00mm x 18.00mm)	1.280 "(32.50mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32756C7705K000	귀 99	8532.25.0010	720	275V	550V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43763A5228M000	78.1858	RFQ	4837	epcos -tdk 전자 장치	B43763	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	450 v	40mohm @ 100Hz	6000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	11.6 a @ 100 Hz		60 Mohms	0.874 "(22.20mm)	2.031 "DIA (51.60mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	495-B43763A5228M000	귀 99	8532.22.0085	50
B32520C3333J189	-	RFQ	4149	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.033 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형		-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0070	11,200	160V	250V	"

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²