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커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32529E6154K000	0.2641	RFQ	7606	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	0.15 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.307 "L x 0.307"W (7.80mm x 7.80mm)	0.512 "(13.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	200V	400V	"
B43504E0227M002	-	RFQ	9727	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	쓸모없는	220 µF	± 20%	420 v	610mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.12 a @ 100 Hz		730 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.465 "(37.20mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B43501A9227M82	-	RFQ	7286	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	400 v	300mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.41 A @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	130
B41605A0478M008	-	RFQ	6040	epcos -tdk 전자 장치	B41605	대부분	쓸모없는	4700 µF	± 20%	55 v	18mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	자동차		9 a @ 10 kHz		0.331 "(8.40mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	112
B32656S0684K565	9.2600	RFQ	182	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.68 µF	± 10%		6 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	스 스				0.866 "(22.00mm)	1.654 "L x 0.630"W (42.00mm x 16.00mm)	1.122 "(28.50mm)		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESL	나사 나사				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	48	480V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41859C8477M008	-	RFQ	9447	epcos -tdk 전자 장치	B41859	대부분	쓸모없는	470 µF	± 20%	63 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		2.3 A @ 100 kHz	28 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	1
B32672P5155K000	1.4500	RFQ	9015	epcos -tdk 전자 장치	B3267* p* -mkp 전력 계수 보정	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	전력 전력 보정 (PFC)				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.433"W (18.00mm x 11.00mm)	0.728 "(18.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	300	200V	520V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32373A6506J060	62.6375	RFQ	2886	epcos -tdk 전자 장치	mkd ac--단계	대부분	활동적인	50 µF	± 5%				-40 ° C ~ 70 ° C		-	범용				1.378 "(35.00mm)	3.346 "DIA (85.00mm)	5.689 "(144.50mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	나사산, 남성				-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0030	20	660V	1650V (1.65kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43508H2687M62	-	RFQ	3565	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	250 v	170mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.35 A @ 100 Hz		230 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508H2687M 62	귀 99	8532.22.0040	120
B37572K7475K62	-	RFQ	3994	epcos -tdk 전자 장치	B37572K	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	4.7 µF	± 10%	6.3V			-55 ° C ~ 85 ° C		-	범용				-	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	-		표면 표면, MLCC	1206 (3216 메트릭)	-		x5r	0.071 "(1.80mm)	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0020	2,000
B32912B5103M000	1.0300	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B5 -X1 530V	대부분	활동적인	10000 PF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	1,000	530V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32561J6473K289	-	RFQ	4629	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	테이프 & t (TB)	쓸모없는	0.047 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.394 "(10.00mm)	0.453 "LX 0.102"W (11.50mm x 2.60mm)	0.236 "(6.00mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	6,240	200V	400V	"
B43252A9227M	-	RFQ	9920	epcos -tdk 전자 장치	B43252	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	400 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.06 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43252A9227M000	귀 99	8532.22.0040	160
B43630B5227M000	4.7143	RFQ	9734	epcos -tdk 전자 장치	B43630	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	450 v	530mohm @ 100Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.49 a @ 100 Hz		820 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43630B5227M	귀 99	8532.22.0040	260
B43457B5478M003	-	RFQ	3682	epcos -tdk 전자 장치	B43457	대부분	쓸모없는	4700 µF	± 20%	450 v	23mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	11.7 a @ 100 Hz		28 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	5.677 "(144.20mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	32
B43851F2475M	-	RFQ	7675	epcos -tdk 전자 장치	B43851	대부분	활동적인	4.7 µF	± 20%	250 v	71ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-	극선	-	범용	49 MA @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.531 "(13.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43851F2475M000	귀 99	8532.22.0020	3,000
B37979G1330J054	-	RFQ	7767	epcos -tdk 전자 장치	B37979G	테이프 & t (TB)	쓸모없는	33 PF	± 5%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				0.197 "(5.00mm)	0.217 "L x 0.197"W (5.50mm x 5.00mm)	0.217 "(5.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.24.0060	10,000
B32621A0472J000	0.7900	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	4700 pf	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0040	1,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B43547B5277M000	10.1100	RFQ	245	epcos -tdk 전자 장치	B43547	쟁반	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	280mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.9 a @ 100 Hz		410 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	60
B41858C7567M000	0.2692	RFQ	4257	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	활동적인	560 µF	± 20%	35 v	73mohm @ 10khz	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		1.202 A @ 100 kHz	62 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,500
B32653A4334K289	0.5102	RFQ	2540	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	테이프 & t (TB)	활동적인	0.33 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.276"W (26.50mm x 7.00mm)	0.630 "(16.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	2,320	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43642A5687M000	15.8800	RFQ	591	epcos -tdk 전자 장치	B43642	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	450 v	120mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.03 a @ 100 Hz		180 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	60
B43821A1685M008	-	RFQ	2429	epcos -tdk 전자 장치	B43821	대부분	마지막으로 마지막으로	6.8 µF	± 20%	160 v	27ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	65 MA @ 120 Hz		11 옴	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						-				495-B43821A1685M008	귀 99	8532.22.0020	1
B32520C1473J189	-	RFQ	7171	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0010	11,200	63V	100V	"
B41022A8334M	-	RFQ	8855	epcos -tdk 전자 장치	B41022	대부분	쓸모없는	0.33 µF	± 20%	63 v	-	1000 @ @ 105 ° C	-	극선	-	범용	5 ma @ 120 Hz			0.059 "(1.50mm)	0.157 "DIA (4.00mm)	0.315 "(8.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41022A8334M000	귀 99	8532.22.0020	10,000
B32926C3335M000	3.1600	RFQ	180	epcos -tdk 전자 장치	B3292*C/D -X2 표준	대부분	활동적인	3.3 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				1.476 "(37.50mm)	1.634 "L x 0.630"W (41.50mm x 16.00mm)	1.122 "(28.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	200	305V	630V	폴리 폴리 (pp)
B32529C5334J	-	RFQ	1512	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	쓸모없는	0.33 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.118"W (7.20mm x 3.00mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-1085	귀 99	8532.25.0010	2,000	32V	50V	"
B32653A6334J000	1.6400	RFQ	9764	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.33 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.413"W (26.50mm x 10.50mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	540	250V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32559C8102M489	-	RFQ	5115	epcos -tdk 전자 장치	B32559	테이프 & t (TB)	쓸모없는	1000 pf	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C			범용				0.197 "(5.00mm)	0.276 "L x 0.118"W (7.00mm x 3.00mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0070	12,800	400V	630V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET) - 스택
B41827A5475M	-	RFQ	9055	epcos -tdk 전자 장치	B41827	대부분	쓸모없는	4.7 µF	± 20%	25 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용				-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		B41827A5475M000	귀 99	8532.22.0020	5,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²