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커패시터 (26616)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32529C6152J289	0.3700	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	컷 컷 (CT)	활동적인	1500 PF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r				0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.098"W (7.20mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,200	200V	400V	"
B43515A5108M080	-	RFQ	5850	epcos -tdk 전자 장치	B43515	쟁반	쓸모없는	1000 µF	± 20%	450 v	150mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.77 a @ 100 Hz		190 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	3.228 "(82.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	66
B32024B3474M000	1.9093	RFQ	7088	epcos -tdk 전자 장치	B3202* -y2 표준	대부분	활동적인	0.47 µF	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		Y2	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.709"W (31.50mm x 18.00mm)	1.083 "(27.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	800	300V	1500V (1.5kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43508B5107M000	3.5171	RFQ	1979	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	100 µf	± 20%	450 v	1.23ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	670 ma @ 100 Hz		1.73 옴	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B43504E2827M007	-	RFQ	6171	epcos -tdk 전자 장치	B43504	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	200 v	160mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.2 A @ 100 Hz		190 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B32778H2905K000	6.2618	RFQ	6730	epcos -tdk 전자 장치	B3277* H* -MKP DC -LINK 습도	대부분	활동적인	9 µF	± 10%		11.5 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링				2.067 "(52.50mm)	2.264 "L x 1.181"W (57.50mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B32778H2905K000	귀 99	8532.25.0070	280	-	1400V (1.4kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41458B8109M000	-	RFQ	7021	epcos -tdk 전자 장치	B41458	대부분	쓸모없는	10000 µf	± 20%	63 v	31mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	7.7 a @ 100 Hz		30 Mohms	0.500 "(12.70mm)	1.406 "DIA (35.70mm)	3.217 "(81.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	36
B32924F3335K	-	RFQ	1714	epcos -tdk 전자 장치	B3292*h/j -x2 높은 습도	대부분	쓸모없는	3.3 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.591"W (31.50mm x 15.00mm)	0.945 "(24.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-3825	귀 99	8532.25.0020	420	305V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41560A8689M003	-	RFQ	4355	epcos -tdk 전자 장치	B41560	대부분	활동적인	68000 µF	± 20%	63 v	5MOHM @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	19 a @ @ 100 Hz		7.8 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.028 "dia (76.90mm)	4.201 "(106.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	32
B43584E2339M003	-	RFQ	5175	epcos -tdk 전자 장치	B43584	대부분	활동적인	33000 µf	± 20%	200 v	4MOHM @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	44.8 a @ 100 Hz		5 Mohms	1.248 "(31.70mm)	3.583 "DIA (91.00mm)	8.740 "(222.00mm)	-	섀시, 마운트 스터드	방사형, 나사 - 캔 터미널			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	18
B41821A2228M000	-	RFQ	1882	epcos -tdk 전자 장치	B41821	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	6.3 v	230mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1 A @ @ @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,500
B32671L0562J000	0.6300	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	5600 pf	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.197"W (13.00mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32621A5473J000	0.2359	RFQ	4267	epcos -tdk 전자 장치	B3262* -MKP High Pulse (스택)	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.276 "(7.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	4,000	90V	160V	폴리 폴리 (pp), 금속 화 - 스택
B32652A1182J000	0.1939	RFQ	7622	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1800 PF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	자동차; DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	4,000	500V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B25832F4475K1	-	RFQ	4400	epcos -tdk 전자 장치	B25832	대부분	쓸모없는	4.7 µF	± 10%				-25 ° C ~ 85 ° C		-	범용				-	1.181 "DIA (30.00mm)	3.150 "(80.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	빠른 연결 -0.250 "(6.3mm)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.25.0030	20	640V	-	-
B43851K2336M000	-	RFQ	8464	epcos -tdk 전자 장치	B43851	대부분	활동적인	33 µF	± 20%	250 v	5.6ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	161 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43851K2336M	귀 99	8532.22.0020	1,050
B43501A9227M002	-	RFQ	3902	epcos -tdk 전자 장치	B43501	대부분	활동적인	220 µF	± 20%	400 v	300mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.41 A @ 100 Hz		490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	260
B25667C5197H375	-	RFQ	6591	epcos -tdk 전자 장치	PHASECAP®	대부분	쓸모없는		-				-		-	전력 전력 보정 (PFC)				-	-	-		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	터미널 터미널	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다	495-B2567C5197H375	귀 99	8532.25.0020	1	-	-	-
B43697B5336Q007	-	RFQ	8090	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B43697B5336Q007	쓸모없는		1
B43821F2335M006	-	RFQ	5488	epcos -tdk 전자 장치	B43821	대부분	마지막으로 마지막으로	3.3 µF	± 20%	250 v	56ohm @ 120Hz	3000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	50 ma @ 120 Hz		22 옴	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-				495-B43821F2335M006	귀 99	8532.22.0020	1
B41858C5187M008	-	RFQ	4071	epcos -tdk 전자 장치	B41858	대부분	마지막으로 마지막으로	180 µF	± 20%	25 v	982mohm @ 120Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	자동차		590 ma @ 100 kHz		0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-				495-B41858C5187M008	귀 99	8532.22.0020	1
B41896W6476M8	-	RFQ	8852	epcos -tdk 전자 장치	B41896	대부분	쓸모없는	47 µF	± 20%	50 v	2.8ohm @ 120Hz	2000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		440 ma @ 100 kHz		0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B41896W6476M8	귀 99	8532.22.0020	1
B41793A8337Q000	-	RFQ	6187	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는																					-	Rohs3 준수	1 (무제한)		495-B41793A8337Q000	쓸모없는		1
B43640E2128M007	5.8125	RFQ	2548	epcos -tdk 전자 장치	B43640	대부분	활동적인	1200 µF	± 20%	250 v	70mohm @ 100Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.68 A @ 100 Hz		100 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B41896W3337M	-	RFQ	2204	epcos -tdk 전자 장치	B41896	대부분	쓸모없는	330 µf	± 20%	10 v	800mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		500 ma @ 100 kHz		0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B41896W3337M	귀 99	8532.22.0020	1
B43254A2157M000	3.1900	RFQ	522	epcos -tdk 전자 장치	B43254	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	200 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	630 ma @ 120 Hz	976.5 ma @ 20 kHz		0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	160
B32656A7155J000	11.4487	RFQ	8986	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				1.476 "(37.50mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	400	500V	1250V (1.25kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32560J1564J000	0.2294	RFQ	9549	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	대부분	새로운 새로운 아닙니다	0.56 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)		-		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	4,000	63V	100V	"
B41505A7338M002	1.8997	RFQ	6660	epcos -tdk 전자 장치	B41505	대부분	활동적인	3300 µF	± 20%	35 v	56mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.5 A @ 100 Hz		60 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	320
B41896C6686M008	-	RFQ	1962	epcos -tdk 전자 장치	B41896	대부분	마지막으로 마지막으로	68 µF	± 20%	50 v	1.858ohm @ 120Hz	125 ° C @ 2500 시간	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차		440 ma @ 100 kHz	268 Mohms	0.138 "(3.50mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.512 "(13.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			-				495-B41896C6686M008	귀 99	8532.22.0020	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²