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B43508G2827M7	-	RFQ	4095	epcos -tdk 전자 장치	B43508	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	250 v	140mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.65 A @ 100 Hz		200 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43508G2827M 7	귀 99	8532.22.0040	120
B32684A0473K000	0.7950	RFQ	6290	epcos -tdk 전자 장치	B3268* -MFP 매우 높은 펄스	대부분	활동적인	0.047 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 스 스				1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.433"W (31.50mm x 11.00mm)	0.748 "(19.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,280	400V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B43511C5397M87	-	RFQ	1493	epcos -tdk 전자 장치	B43511	대부분	활동적인	390 µF	± 20%	450 v	390mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.6 A @ 100 Hz		390 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.055 "(52.20mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43511C5397M087	귀 99	8532.22.0040	66
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B32912A3154K000	1.2700	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B3 -X1 표준	대부분	활동적인	0.15 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.335"W (18.00mm x 8.50mm)	0.571 "(14.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	500	330V	760V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B32911A5332M	-	RFQ	5183	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B3 -X1 표준	대부분	쓸모없는	3300 pf	± 20%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-6699	귀 99	8532.25.0020	1,000	530V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
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B3252C624K289	0.2963	RFQ	3380	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	테이프 & t (TB)	새로운 새로운 아닙니다	0.22 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)		-		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	3,320	200V	400V	"
B43513B5827M000	16.1733	RFQ	1835	epcos -tdk 전자 장치	B43513	대부분	활동적인	820 µF	± 20%	450 v	120mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.53 A @ 100 Hz		180 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	2.638 "(67.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B43513B5827M	귀 99	8532.22.0055	66
B43509A2477M000	2.5940	RFQ	8046	epcos -tdk 전자 장치	B43509	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	200 v	210mohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.43 A @ 100 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔						다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B43509A2477M	귀 99	8532.22.0040	320

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²