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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
B32656S0155K566	10.5858	RFQ	1336	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%		5 Mohms		-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	스 스		0.945 "(24.00mm)	1.654 "L x 1.181"W (42.00mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESL	나사 나사	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	48	480V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32776E4406J000	14.1900	RFQ	3624	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	40 µf	± 5%		5.6 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		1.476 "(37.50mm)	1.654 "LX 1.102"W (42.00mm x 28.00mm)	1.457 "(37.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	440	-	450V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32776G0206J000	11.0162	RFQ	8636	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	20 µF	± 5%		6 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 1.181"W (42.00mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	400	-	1100V (1.1kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32778G9506K000	18.2400	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	50 µF	± 10%		5.6 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.378"W (57.50mm x 35.00mm)	1.969 "(50.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	27	-	900V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32656J2474K000	12.9602	RFQ	5783	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.47 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스		1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 1.181"W (42.00mm x 30.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	ESL	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32656J2474K	귀 99	8532.25.0070	400	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32778G5806J000	15.3530	RFQ	1465	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	80 µF	± 5%		4.4 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.378"W (57.50mm x 35.00mm)	1.969 "(50.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32778G5806J	귀 99	8532.25.0070	108	-	575V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32778G5806K000	15.3530	RFQ	1041	epcos -tdk 전자 장치	B3277* - MKP DC -LINK	대부분	활동적인	80 µF	± 10%		4.4 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		2.067 "(52.50mm)	2.264 "LX 1.378"W (57.50mm x 35.00mm)	1.969 "(50.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	긴 긴	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32778G5806K	귀 99	8532.25.0070	108	-	575V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32361A4256J080	23.6142	RFQ	5401	epcos -tdk 전자 장치	MKP AC	대부분	활동적인	25 µF	± 5%				-40 ° C ~ 70 ° C		-	범용		1.378 "(35.00mm)	2.500 "DIA (63.50mm)	3.307 "(84.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	나사산, 남성	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.25.0080	120	480V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32523Q3225M000	0.5756	RFQ	2703	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	2.2 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r		0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.413"W (26.50mm x 10.50mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32523Q3225M	귀 99	8532.25.0070	2,160	160V	250V	"
B32561J0475K000	-	RFQ	8565	epcos -tdk 전자 장치	SilverCap ™ B32561	대부분	쓸모없는	4.7 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용		0.394 "(10.00mm)	0.433 "L x 0.287"W (11.00mm x 7.30mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	200	40V	63V	"
B32673Z6155K000	0.8109	RFQ	3443	epcos -tdk 전자 장치	B3267* Z* - 고전류 PFC	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200			0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.571"W (26.50mm x 14.50mm)	1.161 "(29.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32673Z6155K	귀 99	8532.25.0070	1,040	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32562H8474J000	1.1380	RFQ	6876	epcos -tdk 전자 장치	B3256* - MKT SilverCap ™	대부분	새로운 새로운 아닙니다	0.47 µF	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용		0.591 "(15.00mm)	0.650 "L x 0.531"W (16.50mm x 13.50mm)	0.642 "(16.30mm)		구멍을 구멍을	2-DIP	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32562H8474J	귀 99	8532.25.0070	720	350V	630V	"
B32933A3105M000	2.4100	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	B3293* -x2 헤비 듀티	대부분	활동적인	1 µF	± 20%				-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200, X2	자동차; EMI, RFI r		0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.472"W (26.50mm x 12.00mm)	0.866 "(22.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	85C/85% 습도	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0020	450	305V	-	폴리 폴리, 에스테르
B32653A3155K000	0.9576	RFQ	8719	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스		0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.433"W (26.50mm x 11.00mm)	0.807 "(20.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	ESL	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32653A3155K	귀 99	8532.25.0070	2,040	160V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32522C1335M000	0.7236	RFQ	9871	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	3.3 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r		0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.335"W (18.00mm x 8.50mm)	0.571 "(14.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32522C1335M	귀 99	8532.25.0010	2,000	63V	100V	"
B32913A5154K000	1.0117	RFQ	1076	epcos -tdk 전자 장치	B3291*A/B5 -X1 530V	대부분	활동적인	0.15 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		x1	EMI, RFI r		0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.335"W (26.50mm x 8.50mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32913A5154K	귀 99	8532.25.0020	2,040	530V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32524Q6155M000	0.8419	RFQ	5146	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 20%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r		1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.433"W (31.50mm x 11.00mm)	0.748 "(19.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32524Q6155M	귀 99	8532.25.0070	1,280	200V	400V	"
B32524Q3155K000	0.7821	RFQ	5791	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	1.5 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		AEC-Q200	자동차; EMI, RFI r		1.083 "(27.50mm)	1.240 "L x 0.433"W (31.50mm x 11.00mm)	0.827 "(21.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32524Q3155K	귀 99	8532.25.0070	1,280	160V	250V	"
B32023B3224K000	1.2035	RFQ	8021	epcos -tdk 전자 장치	B3202* -y2 표준	대부분	활동적인	0.22 µF	± 10%				-40 ° C ~ 110 ° C		Y2	EMI, RFI r		0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.571"W (26.50mm x 14.50mm)	1.161 "(29.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32023B3224K	귀 99	8532.25.0020	1,040	300V	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32653A8153K000	1.3639	RFQ	9865	epcos -tdk 전자 장치	B3265* -MKP 범용	대부분	활동적인	0.015 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		AEC-Q200	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스		0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.571"W (26.50mm x 14.50mm)	1.161 "(29.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	ESL	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	B32653A8153K	귀 99	8532.25.0040	1,040	1000V (1KV)	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B41851K7688M000	-	RFQ	1685	epcos -tdk 전자 장치	B41851	대부분	활동적인	6800 µF	± 20%	35 v	60mohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2 A @ 120 Hz	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	B41851K7688M	귀 99	8532.22.0020	375
B32526R0227K000	24.9062	RFQ	5116	epcos -tdk 전자 장치	B3252* -MKT 범용	대부분	활동적인	220 µF	± 10%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	자동차; EMI, RFI r		1.476 "(37.50mm)	1.634 "LX 1.102"W (41.50mm x 28.00mm)	1.673 "(42.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	440	40V	63V	폴리 폴리 폴리, 에스테르 테레 프탈레이트 (PET), 금속 화
B25620B0977K883	123.9839	RFQ	9489	epcos -tdk 전자 장치	MKP DC c	대부분	활동적인	970 µF	± 10%		1.9 Mohms		-55 ° C ~ 75 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		1.969 "(50.00mm)	4.567 "DIA (116.00mm)	4.724 "(120.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	나사, 여성	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0080	64	-	900V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B25620B0128K743	166.1083	RFQ	8719	epcos -tdk 전자 장치	MKP DC c	대부분	활동적인	1240 µF	± 10%		1.3 Mohms		-55 ° C ~ 75 ° C		-	DC 링크, DC 필터링		1.969 "(50.00mm)	4.567 "DIA (116.00mm)	4.724 "(120.00mm)		섀시, 마운트 스터드	방사형, 캔	-	나사, 여성	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0080	64	-	700V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L0392J000	0.6000	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	3900 pf	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT		0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.157"W (13.00mm x 4.00mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L0103J000	0.6400	RFQ	10	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	10000 PF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT		0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L0123J000	0.6600	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	0.012 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT		0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	500V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L1332J000	0.6300	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	3300 pf	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT		0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	600V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32671L1392J000	0.6500	RFQ	3583	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	3900 pf	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT		0.394 "(10.00mm)	0.512 "L x 0.236"W (13.00mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	600V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
B32672L1622J000	0.6500	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	B3267* l* -mkp 고전류	대부분	활동적인	6200 pf	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT		0.591 "(15.00mm)	0.709 "L x 0.197"W (18.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,000	600V	1600V (1.6kV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (26616)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

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