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0805J0160122GFR Knowles Syfer 0805J0160122GFR -
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 ECAD 6316 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1200 PF ± 2% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J C0G, NP0 - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160122MDT Knowles Syfer 0805J0160122222MDT -
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 ECAD 7604 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1200 PF ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160123JXT Knowles Syfer 0805J0160123JXT 0.1161
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 ECAD 3227 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.012 µF ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160123MDR Knowles Syfer 0805J0160123MDR -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.012 µF ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160123MXT Knowles Syfer 0805J0160123MXT 0.0946
RFQ
 ECAD 9460 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.012 µF ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160124JDR Knowles Syfer 0805J0160124JDR -
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 ECAD 5922 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.12 µF ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160150JCT Knowles Syfer 0805J0160150JCT -
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 ECAD 6744 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 15 pf ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160150JFR Knowles Syfer 0805J0160150JFR -
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 ECAD 8519 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 15 pf ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J C0G, NP0 - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160151FFT Knowles Syfer 0805J0160151FFT -
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 ECAD 5048 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 pf ± 1% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J C0G, NP0 - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160151MDR Knowles Syfer 0805J0160151MDR -
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 ECAD 1517 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 pf ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160152FCR Knowles Syfer 0805J0160152FCR -
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 ECAD 9459 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1500 PF ± 1% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160152GCT Knowles Syfer 0805J0160152GCT -
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 ECAD 3483 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1500 PF ± 2% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160152JFT Knowles Syfer 0805J0160152JFT -
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 ECAD 6104 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1500 PF ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J C0G, NP0 - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160152KFR Knowles Syfer 0805J0160152KFR -
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 ECAD 5743 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1500 PF ± 10% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J C0G, NP0 - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160153JDT Knowles Syfer 0805J0160153JDT -
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 ECAD 6068 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.015 µF ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160154KXR Knowles Syfer 0805J0160154KXR -
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 ECAD 1458 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.15 µF ± 10% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160154MDR Knowles Syfer 0805J0160154MDR -
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 ECAD 3295 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.15 µF ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160181FCR Knowles Syfer 0805J0160181FCR -
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 ECAD 6048 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 180 pf ± 1% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160181GCT Knowles Syfer 0805J0160181GCT -
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 ECAD 9549 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 180 pf ± 2% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160181MDR Knowles Syfer 0805J0160181MDR -
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 ECAD 9853 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 180 pf ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160181MXT Knowles Syfer 0805J0160181MXT 0.0934
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 ECAD 3159 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 180 pf ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160182GCT Knowles Syfer 0805J0160182GCT -
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 ECAD 9767 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1800 PF ± 2% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160182KCT Knowles Syfer 0805J0160182KCT -
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 ECAD 8285 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1800 PF ± 10% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J C0G, NP0 (1B) - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160182KDR Knowles Syfer 0805J0160182KDR -
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 ECAD 6614 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1800 PF ± 10% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160182KFR Knowles Syfer 0805J0160182KFR -
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 ECAD 2883 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 1800 PF ± 10% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J C0G, NP0 - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160183MDT Knowles Syfer 0805J0160183MDT -
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 ECAD 1725 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.018 µF ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160183MXT Knowles Syfer 0805J0160183MXT 0.0951
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 ECAD 7832 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.018 µF ± 20% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160184JXR Knowles Syfer 0805J0160184JXR -
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 ECAD 2503 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.18 µF ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
0805J0160184JXT Knowles Syfer 0805J0160184JXT 0.5438
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 ECAD 6739 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.18 µF ± 5% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) - 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 3,000
0805J0160184KDR Knowles Syfer 0805J0160184KDR -
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Knowles Syfer - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0.18 µF ± 10% 16V -55 ° C ~ 125 ° C - 높은 높은 - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) - 표면 표면, MLCC 0805 (2012 5) 고온 0805J x7r - 0.051 "(1.30mm) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0020 12,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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