SIC
close

커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
HBV100M1JTR-0606S Surge HBV100M1JTR-0606S 0.1810
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 63 v 120mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 100 ma @ 120 Hz 1 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV100M1JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RLD561M2CBK-1850S Surge RLD561M2CBK-1850S 2.1366
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 560 µF ± 20% 160 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.945 A @ 120 Hz 4.376 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD561M2CBK-1850S 귀 99 8532.22.0020 50
RXK102M1ABK-1020S Surge RXK102M1ABK-1020S 0.1651
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1 MF ± 20% 10 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 832 ma @ 120 Hz 1.04 a @ 100 kHz 62 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK102M1ABK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
VEH102M0JTR-1010S Surge VEH102M0JTR-1010S 0.1667
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 536 ma @ 120 Hz 670 ma @ 100 kHz 250 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH102M0JTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
RZW152M1ABK-1316S Surge RZW152M1ABK-1316S 0.2896
RFQ
 ECAD 2556 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 10 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 870 ma @ 120 Hz 1.45 A @ 100 kHz 49 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW152M1ABK-1316S 귀 99 8532.22.0020 250
LSK331M2W---3535S Surge LSK331M2W --- 3535S 4.6337
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 330 µf ± 20% 450 v 603mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.44 a @ 120 Hz 2.016 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK331M2W --- 3535S 3A001 8532.22.0040 40
RXQ330M2WBK-1820S Surge RXQ330M2WBK-1820S 0.8343
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 33 µF ± 20% 450 v - 10000 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 380 ma @ 120 Hz 950 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ330M2WBK-1820S 귀 99 8532.22.0020 100
VEZ220M1HTR-0605S Surge VEZ220M1HTR-0605S 0.0760
RFQ
 ECAD 7807 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 56 MA @ 120 Hz 70 ma @ 100 kHz 2 옴 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ220M1HTR-0605STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG471M2V---3045S Surge LSG471M2V --- 3045S 3.6830
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 470 µF ± 20% 350 v 423mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.48 A @ 120 Hz 2.1164 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG471M2V --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
RXK821M1VBK-1325S Surge RXK821M1VBK-1325S 0.3032
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.448 A @ 120 Hz 1.81 A @ 100 kHz 34 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1VBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM101M2P---2525S Surge LSM101M2P --- 2525S 1.4707
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 100 µf ± 20% 420 v 1.99ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 630 ma @ 120 Hz 882 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM101M2P --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
RLD151M2VBK-1840S Surge RLD151M2VBK-1840S 1.5804
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 150 µF ± 20% 350 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 985 ma @ 120 Hz 2.216 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD151M2VBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
LSG153M1V---3035S Surge LSG153M1V --- 3035S 2.4046
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 15 MF ± 20% 35 v 35mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.24 A @ 120 Hz 3.888 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG153M1V --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
RXW103M1CBK-1840S Surge RXW103M1CBK-1840S 1.1984
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 10 MF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.66 A @ 120 Hz 3.8 a @ 100 kHz 14 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW103M1CBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
RLD121M2DBK-1050S Surge RLD121M2DBK-1050S 0.7240
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 120 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 640 ma @ 120 Hz 1.44 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD121M2DBK-1050S 귀 99 8532.22.0020 200
LSM121M2P---2530S Surge LSM121M2P --- 2530S 1.8541
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 120 µF ± 20% 420 v 1.659ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 780 ma @ 120 Hz 1.092 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM121M2P --- 2530S 3A001 8532.22.0040 65
LSM151M2P---2050S Surge LSM151M2P --- 2050 년대 1.9651
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 150 µF ± 20% 420 v 1.327ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 920 ma @ 120 Hz 1.288 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM151M2P --- 2050 년대 3A001 8532.22.0040 100
RXW330M1CBK-0511S Surge RXW330M1CBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 3796 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 33 µF ± 20% 16 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75.6 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW330M1CBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM820M2P---2225S Surge LSM820M2P --- 2225S 1.1934
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 82 µF ± 20% 420 v 2.427ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 530 ma @ 120 Hz 742 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM820M2P --- 2225S 3A001 8532.22.0040 90
VEU102M1HTR-1816S Surge VEU102M1HTR-1816S 0.7514
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 780 ma @ 120 Hz 1.092 A @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU102M1HTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
VUP470M1VTR-0607S Surge VUP470M1VTR-0607S 0.0986
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 급등하다 vup 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 98.5 ma @ 120 Hz 197 ma @ 100 khz 500 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vup470m1vtr-0607str 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSR101M2W---2525S Surge LSR101M2W --- 2525S 1.5221
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 1.194ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.04 a @ 120 Hz 1.456 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR101M2W --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
LSG562M1J---3035S Surge LSG562M1J --- 3035S 2.2922
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 5.6 MF ± 20% 63 v 71mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.91 A @ 120 Hz 3.492 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG562M1J --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
VZL151M1ETR-0810S Surge vzl151m1etr-0810s 0.1212
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 420 MA @ 120 Hz 600 ma @ 100 kHz 160 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzl151m1etr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
VUA101M1CTR-0806S Surge vua101m1ctr-0806s 0.1115
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 16 v - 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 75 ma @ 120 Hz 105 ma @ 10 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.268 "(6.80mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA101M1CTR-0806ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
HBW220M1HTR-0606S Surge HBW220M1HTR-0606S 0.1936
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 급등하다 HBW 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 50 v 80mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 75 ma @ 120 Hz 750 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBW220M1HTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VUJ681M1ATR-1313S Surge vuj681m1atr-1313s 0.4136
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 급등하다 vuj 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 10 v - 150 ° C @ 150 ° C -55 ° C ~ 150 ° C 극선 - 범용 536 ma @ 120 Hz 800 ma @ 100 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUJ681M1AT-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
RXJ681M1VBK-1325S Surge RXJ681M1VBK-1325S 0.3207
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 680 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.085 A @ 120 Hz 1.355 A @ 100 kHz 70 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ681M1VBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
VUP331M1ETR-1010S Surge vup331m1etr-1010s 0.2093
RFQ
 ECAD 6872 0.00000000 급등하다 vup 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 25 v - 125 ° C @ 3000 시간 -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 250 ma @ 120 Hz 500 ma @ 100 kHz 150 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vup331m1etr-1010str 귀 99 8532.22.0020 500
RXK561M0JBK-0815S Surge RXK561M0JBK-0815S 0.0970
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 560 µF ± 20% 6.3 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 396 MA @ 120 Hz 495 ma @ 100 kHz 160 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK561M0JBK-0815S 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다