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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VZL151M0JTR-0606S Surge VZL151M0JTR-0606S 0.0840
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZL151M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG271M2V---2545S Surge LSG271M2V --- 2545S 2.3684
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 270 µF ± 20% 350 v 737mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.17 a @ 120 Hz 1.6731 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG271M2V --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
RA-332M1VBK-1836S Surge RA-332M1VBK-1836S 0.7711
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 3.3 MF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.65 A @ 120 Hz 1.848 A @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-332M1VBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
LHM471M2V---2550S Surge LHM471M2V --- 2550S 3.2451
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 급등하다 LHM 상자 활동적인 470 µF ± 20% 350 v 423mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.4 A @ 120 Hz 1.96 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LHM471M2V --- 2550S 3A001 8532.22.0040 65
VZT331M1HTR-1010S Surge VZT331M1HTR-1010S 0.3097
RFQ
 ECAD 9275 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 585 ma @ 120 Hz 900 ma @ 100 kHz 120 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT331M1HTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
VZR221M1ETR-0810S Surge vzr221m1etr-0810s 0.1394
RFQ
 ECAD 1480 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 300 ma @ 120 Hz 600 ma @ 100 kHz 220 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzr221m1etr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
RA-331M2ABK-1625S Surge RA-331M2ABK-1625S 0.4333
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 330 µf ± 20% 100 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 700 ma @ 120 Hz 1.015 a @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-331M2ABK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
VES101M0JTR-0605S Surge VES101M0JTR-0605S 0.0727
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 61 ma @ 120 Hz 85.4 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-Ves101M0JTR-0605STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
RUA470M1JBK-1020S Surge RUA470M1JBK-1020S 0.1924
RFQ
 ECAD 1861 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 47 µF ± 20% 63 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 260 ma @ 120 Hz 650 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA470M1JBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RUK221M1JBK-1320S Surge RUK221M1M1JBK-1320S 0.2856
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 급등하다 루크 가방 활동적인 220 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 279 ma @ 120 Hz 460.35 MA @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUK221M1JBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
VEJ470M2ETR-1616S Surge VEJ470M2ET-1616S 0.5969
RFQ
 ECAD 1996 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 250 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 220 ma @ 120 Hz 308 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ470M2ET-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
VEU471M1VTR-1316S Surge VEU471M1VTR-1316S 0.3632
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 410 ma @ 120 Hz 574 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.650 "(16.50mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU471M1VTR-1316ST 귀 99 8532.22.0020 200
HUW470M1HTR-0810S Surge HUW470M1HTR-0810S 0.2805
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 급등하다 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HUW470M1HTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXK561M0JBK-1012S Surge RXK561M0JBK-1012S 0.1046
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 560 µF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 540 ma @ 120 Hz 675 ma @ 100 kHz 120 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK561M0JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
RXW681M1JBK-1335S Surge RXW681M1JBK-1335S 0.5034
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 680 µF ± 20% 63 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.2458 A @ 120 Hz 2.265 A @ 100 kHz 47 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW681M1JBK-1335S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM153M1E---3035S Surge LSM153M1E --- 3035S 2.2592
RFQ
 ECAD 5458 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 15 MF ± 20% 25 v 40mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.11 a @ 120 Hz 4.354 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM153M1E --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
LSG183M1C---2235S Surge LSG183M1C --- 2235S 1.2669
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 18 MF ± 20% 16 v 37mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.49 a @ 120 Hz 2.988 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG183M1C --- 2235S 3A001 8532.22.0040 90
LSG821M2E---3045S Surge LSG821M2E --- 3045S 3.3133
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 820 µF ± 20% 250 v 243mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.3 A @ 120 Hz 3.45 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG821M2E --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
VUX331M1ETR-1010S Surge vux331m1etr-1010s 0.2036
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 250 ma @ 120 Hz 500 ma @ 100 kHz 150 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux331m1etr-1010str 귀 99 8532.22.0020 500
RXJ681M0JBK-1016S Surge RXJ681M0JBK-1016S 0.1364
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 680 µF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 510 ma @ 120 Hz 635 ma @ 100 kHz 190 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ681M0JBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
VUK681M1CTR-1313S Surge vuk681m1ctr-1313s 0.3742
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 급등하다 vuk 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 280 ma @ 120 Hz 364 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vuk681m1ctr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
LSR561M2W---3550S Surge LSR561M2W --- 3550S 6.5507
RFQ
 ECAD 7681 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 560 µF ± 20% 450 v 120Hz 213MOHM 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.85 A @ 120 Hz 3.99 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR561M2W --- 3550S 3A001 8532.22.0040 40
VEZ470M1ATR-0605S Surge VEZ470M1ATR-0605S 0.0727
RFQ
 ECAD 8958 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 10 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 136 MA @ 120 Hz 170 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ470M1ATT-0605STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSK181M2G---2535S Surge LSK181M2G --- 2535S 2.1704
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 180 µF ± 20% 400 v 1.106ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 780 ma @ 120 Hz 1.092 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK181M2G --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
RLD121M2VBK-1832S Surge RLD121M2VBK-1832S 1.2443
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 120 µF ± 20% 350 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 840 ma @ 120 Hz 1.89 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD121M2VBK-1832S 귀 99 8532.22.0020 100
VEH100M1CTR-0406S Surge VEH100M1CTR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 52 ma @ 120 Hz 65 MA @ 100 kHz 3.2 옴 - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH100M1CTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VZH101M1JTR-1010S Surge VZH101M1JTR-1010S 0.1742
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 315 MA @ 120 Hz 450 ma @ 10 kHz 250 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH101M1JTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXK181M1ABK-0611S Surge RXK181M1ABK-0611S 0.0604
RFQ
 ECAD 8746 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 180 µF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 179 ma @ 120 Hz 255 ma @ 100 kHz 380 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK181M1ABK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG820M2H---2530S Surge LSG820M2H --- 2530S 1.7896
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 82 µF ± 20% 500 v 2.427ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 810 ma @ 120 Hz 1.1583 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG820M2H --- 2530S 3A001 8532.22.0040 65
HBV220M1HTR-0606S Surge HBV220M1HTR-0606S 0.1909
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 50 v 80mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 110 ma @ 120 Hz 1.1 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV220M1HTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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