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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RJA2R2M1HBK-0511S Surge RJA2R2M1HBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 2.2 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 20 ma @ 120 Hz 30 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA2R2M1HBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW122M1JBK-1640S Surge RZW122M1JBK-1640S 1.1015
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 63 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.04 A @ 120 Hz 3.4 a @ 100 kHz 25 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW122M1JBK-1640S 귀 99 8532.22.0020 100
RXK122M1ABK-1025S Surge RXK122M1ABK-1025S 0.1909
RFQ
 ECAD 8137 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 10 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.134 A @ 120 Hz 1.26 A @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK122M1ABK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
VUK471M1CTR-1313S Surge vuk471m1ctr-1313s 0.3601
RFQ
 ECAD 1892 0.00000000 급등하다 vuk 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 250 ma @ 120 Hz 325 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vuk471m1ctr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
RA-330M1ABK-0511S Surge RA-330M1ABK-0511S 0.0420
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 33 µF ± 20% 10 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 60 ma @ 120 Hz 114 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-330M1ABK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZH221M1VTR-1010S Surge VZH221M1VTR-1010S 0.1757
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 469 ma @ 120 Hz 670 ma @ 100 kHz 90 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH221M1VTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
LSM153M1C---3530S Surge LSM153M1C --- 3530S 2.3483
RFQ
 ECAD 4009 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 15 MF ± 20% 16 v 44mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.82 A @ 120 Hz 3.948 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM153M1C --- 3530S 3A001 8532.22.0040 40
LSG122M2D---3045S Surge LSG122M2D --- 3045S 3.2588
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1.2 MF ± 20% 200 v 166MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.37 a @ 120 Hz 3.555 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG122M2D --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
RXW181M1HBK-1016S Surge RXW181M1HBK-1016S 0.1530
RFQ
 ECAD 2019 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 180 µF ± 20% 50 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 425 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz 119 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW181M1HBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
RUA331M1ABK-1016S Surge RUA331M1ABK-1016S 0.1424
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 330 µf ± 20% 10 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 462 ma @ 120 Hz 924 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA331M1ABK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
LSG681M2W---3555S Surge LSG681M2W --- 3555S 7.0033
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 680 µF ± 20% 450 v 293mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.35 A @ 120 Hz 3.3605 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG681M2W --- 3555S 3A001 8532.22.0040 40
RXK471M1JBK-1330S Surge RXK471M1JBK-1330S 0.4101
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 470 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.12 a @ 120 Hz 1.36 A @ 100 kHz 68 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK471M1JBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
RXW821M0JBK-1012S Surge RXW821M0JBK-1012S 0.1089
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 820 µF ± 20% 6.3 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 453 ma @ 120 Hz 755 ma @ 100 kHz 90 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW821M0JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
LSG561M2E---2545S Surge LSG561M2E --- 2545S 2.1836
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 560 µF ± 20% 250 v 355mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.79 a @ 120 Hz 2.685 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG561M2E --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
RUA100M2VBK-1025S Surge RUA100M2VBK-1025S 0.2163
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 10 µF ± 20% 350 v - 3000 시간 @ 130 ° C -25 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 85 ma @ 120 Hz 153 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA100M2VBK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
LSG391M2E---2240S Surge LSG391M2E --- 2240 년대 1.6417
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 390 µF ± 20% 250 v 510mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.13 A @ 120 Hz 1.695 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG391M2E --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
VEU471M1KTR-1816S Surge VEU471M1KTR-1816S 0.8795
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 80 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 910 ma @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU471M1KTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
VZT151M1CTR-0606S Surge VZT151M1CTR-0606S 0.1002
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 195 MA @ 120 Hz 300 ma @ 100 kHz 260 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT151M1CTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZU561M1VTR-1010S Surge VZU561M1VTR-1010S 0.2875
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 급등하다 VZU 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 833 ma @ 120 Hz 1.19 a @ 100 kHz 60 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZU561M1VTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXK181M1EBK-1012S Surge RXK181M1EBK-1012S 0.1075
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 180 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 438 ma @ 120 Hz 625 ma @ 100 kHz 120 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK181M1EBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
RJA222M1ABK-1020S Surge RJA222M1ABK-1020S 0.1667
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 2.2 MF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 760 ma @ 120 Hz 874 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA222M1ABK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RA-102M1VBK-1325S Surge RA-102M1VBK-1325S 0.2827
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 1 MF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 920 ma @ 120 Hz 1.334 A @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-102M1VBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
LSR221M2G---2535S Surge LSR221M2G --- 2535S 2.1521
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 543mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.65 A @ 120 Hz 2.31 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR221M2G --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
RZW272M1CBK-1330S Surge RZW272M1CBK-1330S 0.4695
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 2.7 MF ± 20% 16 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.855 A @ 120 Hz 2.65 A @ 100 kHz 24 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW272M1CBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
VES3R3M1HTR-0405S Surge VES3R3M1HTR-0405S 0.0642
RFQ
 ECAD 4935 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 µF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 12 ma @ 120 Hz 16.8 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VES3R3M1HTR-0405ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSM391M2D---2035S Surge LSM391M2D --- 2035 년대 1.3559
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 390 µF ± 20% 200 v 340mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.24 a @ 120 Hz 1.736 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM391M2D --- 2035S 3A001 8532.22.0040 110
RUK221M1VBK-1325S Surge RUK221M1VBK-1325S 0.3222
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 급등하다 루크 가방 활동적인 220 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 403 ma @ 120 Hz 664.95 MA @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUK221M1VBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
VZS101M0JTR-0506S Surge VZS101M0JTR-0506S 0.0792
RFQ
 ECAD 8114 0.00000000 급등하다 VZS 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZS101M0JTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG223M1E---3525S Surge LSG223M1E --- 3525S 2.1704
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 22 MF ± 20% 25 v 27mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.07 A @ 120 Hz 3.684 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG223M1E --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
VZH332M1ETR-1821S Surge vzh332m1etr-1821s 1.0166
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 MF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.225 A @ 120 Hz 1.75 A @ 100 kHz 38 Mohms - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzh332m1etr-1821str 귀 99 8532.22.0020 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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