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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VUK332M1ATR-1821S Surge vuk332m1atr-1821s 1.1075
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 급등하다 vuk 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 770 ma @ 120 Hz 1.001 A @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vuk332m1atr-1821str 귀 99 8532.22.0020 100
VUK331M1JTR-1816S Surge VUK331M1JTR-1816S 0.7735
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 급등하다 vuk 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 320 ma @ 120 Hz 448 ma @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vuk331m1jtr-1816str 귀 99 8532.22.0020 150
LSM472M1K---3535S Surge LSM472M1K --- 3535S 2.9664
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 80 v 71mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.8 A @ 120 Hz 3.92 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM472M1K --- 3535S 3A001 8532.22.0040 40
VZH101M0JTR-0606S Surge VZH101M0JTR-0606S 0.0760
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 161 ma @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 440 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG471M2D---2235S Surge LSG471M2D --- 2235S 1.5982
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 423mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.23 A @ 120 Hz 1.845 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG471M2D --- 2235S 3A001 8532.22.0040 90
LSK471M2E---2545S Surge LSK471M2E --- 2545S 2.5721
RFQ
 ECAD 1718 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 470 µF ± 20% 250 v 423mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.15 a @ 120 Hz 1.61 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK471M2E --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
VUA471M1JTR-1816S Surge VUA471M1JTR-1816S 0.7438
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 63 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 800 ma @ 120 Hz 1.04 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA471M1JTR-1816STR 귀 99 8532.22.0020 150
RLD101M2DBK-1045S Surge RLD101M2DBK-1045S 0.6519
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 100 µf ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 565 ma @ 120 Hz 1.271 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD101M2DBK-1045S 귀 99 8532.22.0020 200
RUK331M1ABK-1016S Surge RUK331M1ABK-1016S 0.1424
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 급등하다 루크 가방 활동적인 330 µf ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 308 ma @ 120 Hz 508.2 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUK331M1ABK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
VZH471M1VTR-1316S Surge VZH471M1VTR-1316S 0.3710
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 665 ma @ 120 Hz 950 ma @ 100 kHz 60 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.650 "(16.50mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH471M1VTR-1316ST 귀 99 8532.22.0020 200
RXQ470M2WBK-1825S Surge RXQ470M2WBK-1825S 0.9474
RFQ
 ECAD 7817 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 47 µF ± 20% 450 v - 10000 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 480 ma @ 120 Hz 1.2 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ470M2WBK-1825S 귀 99 8532.22.0020 100
HBV271M1CTR-0810S Surge HBV271M1CTR-0810S 0.2597
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF ± 20% 16 v 27mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 230 ma @ 120 Hz 2.3 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV271M1CTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXQ101M2GBK-1832S Surge RXQ101M2GBK-1832S 1.1878
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 100 µf ± 20% 400 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 765 ma @ 120 Hz 1.721 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ101M2GBK-1832S 귀 99 8532.22.0020 100
RXJ220M1JBK-0611S Surge RXJ220M1JBK-0611S 0.0620
RFQ
 ECAD 1288 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 22 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 100 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 1.2 옴 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ220M1JBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK821M1HBK-1335S Surge RXK821M1HBK-1335S 0.4610
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.624 A @ 120 Hz 2.03 a @ 100 kHz 33 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1HBK-1335S 귀 99 8532.22.0020 250
VEJ3R3M1HTR-0406S Surge VEJ3R3M1HTR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 7245 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 14 MA @ 120 Hz 19.6 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ3R3M1HTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VEH100M1ETR-0506S Surge veh100m1etr-0506s 0.0695
RFQ
 ECAD 2984 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 88 ma @ 120 Hz 110 ma @ 100 kHz 1.5 옴 - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH100M1ET-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW681M1HBK-1330S Surge RZW681M1HBK-1330S 0.4765
RFQ
 ECAD 9966 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 680 µF ± 20% 50 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.2705 A @ 120 Hz 2.31 A @ 100 kHz 39 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW681M1HBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM472M1E---2230S Surge LSM472M1E --- 2230 년대 1.1741
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 25 v 127mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.61 A @ 120 Hz 2.254 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM472M1E --- 2230S 3A001 8532.22.0040 90
LSR681M2G---3550S Surge LSR681M2G --- 3550S 6.0323
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 680 µF ± 20% 400 v 176mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.21 A @ 120 Hz 4.494 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR681M2G --- 3550S 3A001 8532.22.0040 40
VZH681M1ETR-1313S Surge vzh681m1etr-1313s 0.3460
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 574 ma @ 120 Hz 820 ma @ 100 kHz 70 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzh681m1etr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
LSK331M2H---3540S Surge LSK331M2H --- 3540S 7.1110
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 330 µf ± 20% 500 v 603mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.28 a @ 120 Hz 1.792 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK331M2H --- 3540S 3A001 8532.22.0040 40
LSK182M2D---3555S Surge LSK182M2D --- 3555S 5.7350
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 1.8 MF ± 20% 200 v 111mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.7 A @ @ 120 Hz 3.78 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK182M2D --- 3555S 3A001 8532.22.0040 40
VUA222M1ATR-1616S Surge vua222m1atr-1616s 0.6121
RFQ
 ECAD 1886 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 MF ± 20% 10 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 845 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA222M1AT-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
VZH331M1HTR-1313S Surge VZH331M1HTR-1313S 0.3601
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 455 MA @ 120 Hz 650 ma @ 100 kHz 120 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH331M1HTR-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
HUW330M1JTR-0810S Surge HUW330M1JTR-0810S 0.2694
RFQ
 ECAD 4275 0.00000000 급등하다 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HUW330M1JTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
VZH822M0JTR-1621S Surge VZH822M0JTR-1621S 0.7878
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 8.2 MF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.141 A @ 120 Hz 1.63 A @ 100 kHz 38 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH822M0JTR-1621STR 귀 99 8532.22.0020 100
VEH470M1VTR-0810S Surge VEH470M1VTR-0810S 0.1212
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 360 ma @ 120 Hz 450 ma @ 100 kHz 450 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH470M1VTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
VUX102M1ETR-1313S Surge vux102m1etr-1313s 0.5499
RFQ
 ECAD 9623 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 375 ma @ 120 Hz 750 ma @ 100 kHz 80 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux102m1etr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
VZH682M1ATR-1621S Surge vzh682m1atr-1621s 0.8136
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 6.8 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.141 A @ 120 Hz 1.63 A @ 100 kHz 38 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzh682m1atr-1621str 귀 99 8532.22.0020 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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