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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RZW122M1VBK-1620S Surge RZW122M1VBK-1620S 0.5696
RFQ
 ECAD 3995 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 35 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.518 A @ 120 Hz 2.53 A @ 100 kHz 27 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW122M1VBK-1620S 귀 99 8532.22.0020 150
RZW681M0JBK-0811S Surge RZW681M0JBK-0811S 0.1002
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 680 µF ± 20% 6.3 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 352 MA @ 120 Hz 640 ma @ 100 kHz 110 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW681M0JBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW822M0JBK-1632S Surge RZW822M0JBK-1632S 0.6954
RFQ
 ECAD 9137 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 8.2 MF ± 20% 6.3 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.415 a @ 120 Hz 3.45 A @ 100 kHz 17 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW822M0JBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
VZH100M1VTR-0506S Surge VZH100M1VTR-0506S 0.0727
RFQ
 ECAD 3148 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 105 ma @ 120 Hz 150 ma @ 100 kHz 800 Mohms - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH100M1VTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
HBW330M1KTR-1010S Surge HBW330M1KTR-1010S 0.3000
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 급등하다 HBW 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 80 v 36mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 136 MA @ 120 Hz 1.36 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBW330M1KTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
LSM151M2W---3030S Surge LSM151M2W --- 3030 년대 2.4773
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 150 µF ± 20% 450 v 1.327ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 930 ma @ 120 Hz 1.302 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM151M2W --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
LHM331M2G---2545S Surge LHM331M2G --- 2545S 2.9666
RFQ
 ECAD 6769 0.00000000 급등하다 LHM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 603mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.44 a @ 120 Hz 2.016 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LHM331M2G --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
VES220M1ETR-0605S Surge VES220M1ET-0605S 0.0727
RFQ
 ECAD 4429 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 25 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 36 MA @ 120 Hz 50.4 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VES220M1ET-0605ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW681M1VBK-1616S Surge RZW681M1VBK-1616S 0.3789
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 680 µF ± 20% 35 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.067 A @ 120 Hz 1.94 A @ 100 kHz 42 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW681M1VBK-1616S 귀 99 8532.22.0020 150
RXW181M1JBK-1020S Surge RXW181M1JBK-1020S 0.1879
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 180 µF ± 20% 63 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 442.5 ma @ 120 Hz 885 ma @ 100 kHz 147 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW181M1JBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RXW391M2ABK-1825S Surge RXW391M2ABK-1825S 0.7650
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 390 µF ± 20% 100 v - 7000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 693 ma @ 120 Hz 1.26 A @ 100 kHz 83 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW391M2ABK-1825S 귀 99 8532.22.0020 100
RXK102M0JBK-0820S Surge RXK102M0JBK-0820S 0.1103
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1 MF ± 20% 6.3 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 560 ma @ 120 Hz 700 ma @ 100 kHz 110 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK102M0JBK-0820S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM681M2V---3550S Surge LSM681M2V --- 3550S 5.4567
RFQ
 ECAD 7798 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 680 µF ± 20% 350 v 293mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.95 A @ 120 Hz 2.73 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM681M2V --- 3550S 3A001 8532.22.0040 40
LSM152M2A---2535S Surge LSM152M2A --- 2535S 1.6036
RFQ
 ECAD 3714 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1.5 MF ± 20% 100 v 177mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.85 a @ 120 Hz 2.59 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM152M2A --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
RXK222M1HBK-1840S Surge RXK222M1HBK-1840S 1.2817
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 2.2 MF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.385 A @ 120 Hz 2.65 A @ 100 kHz 20 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK22MM1HBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
LSG471M2D---2235S Surge LSG471M2D --- 2235S 1.5982
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 423mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.23 A @ 120 Hz 1.845 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG471M2D --- 2235S 3A001 8532.22.0040 90
LSR181M2G---3025S Surge LSR181M2G --- 3025S 2.1719
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 180 µF ± 20% 400 v 664mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.68 A @ 120 Hz 2.352 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR181M2G --- 3025S 3A001 8532.22.0040 50
LSM152M1K---2530S Surge LSM152M1K --- 2530S 1.5934
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1.5 MF ± 20% 80 v 221mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.54 A @ 120 Hz 2.156 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM152M1K --- 2530S 3A001 8532.22.0040 65
LSG391M2W---3535S Surge LSG391M2W --- 3535S 4.3554
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 390 µF ± 20% 450 v 510mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.47 A @ 120 Hz 2.1021 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG391M2W --- 3535S 3A001 8532.22.0040 40
RXW472M1EBK-1836S Surge RXW472M1EBK-1836S 0.9620
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 4.7 MF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.576 A @ 120 Hz 3.68 A @ 100 kHz 15 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW472M1EBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
VUA331M1CTR-1313S Surge vua331m1ctr-1313s 0.3632
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 16 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 480 ma @ 120 Hz 672 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA331M1CTR-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
VZH101M0JTR-0606S Surge VZH101M0JTR-0606S 0.0760
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 161 ma @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 440 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RLD221M2EBK-1640S Surge RLD221M2EBK-1640S 1.4508
RFQ
 ECAD 3986 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 220 µF ± 20% 250 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.16 A @ 120 Hz 2.61 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD221M2EBK-1640S 귀 99 8532.22.0020 100
RXK152M0JBK-1025S Surge RXK152M0JBK-1025S 0.1939
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.134 A @ 120 Hz 1.26 A @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK152M0JBK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
VZT152M0JTR-0810S Surge VZT152M0JTR-0810S 0.1909
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 1.5 MF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 595 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz 80 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT152M0JTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
HBV101M1VTR-0608S Surge HBV101M1VTR-0608S 0.2141
RFQ
 ECAD 2504 0.00000000 급등하다 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV101M1VTR-0608ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXQ331M2DBK-1836S Surge RXQ331M2DBK-1836S 1.4014
RFQ
 ECAD 3301 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 330 µf ± 20% 200 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.43 a @ 120 Hz 3.218 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ331M2DBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
RZW682M0JBK-1625S Surge RZW682M0JBK-1625S 0.5712
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 6.8 MF ± 20% 6.3 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.051 A @ 120 Hz 2.93 A @ 100 kHz 21 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW682M0JBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
VEH101M0JTR-0606S Surge VEH101M0JTR-0606S 0.0760
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 136 MA @ 120 Hz 170 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXQ470M2VBK-1620S Surge RXQ470M2VBK-1620S 0.6105
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 47 µF ± 20% 350 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 430 ma @ 120 Hz 1.075 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ470M2VBK-1620S 귀 99 8532.22.0020 150
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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