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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RXJ102M1EBK-1325S Surge RXJ102M1EBK-1325S 0.3163
RFQ
 ECAD 9452 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 1 MF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.08 A @ 120 Hz 1.355 A @ 100 kHz 70 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ102M1EBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
VZH100M1JTR-0606S Surge VZH100M1JTR-0606S 0.0776
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 91 ma @ 120 Hz 130 ma @ 100 kHz 1.2 옴 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.268 "(6.80mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH100M1JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VUA220M1JTR-0810S Surge vua220m1jtr-0810s 0.1273
RFQ
 ECAD 5214 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 63 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 100 ma @ 120 Hz 140 ma @ 10 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA220M1JTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RUK470M1HBK-1016S Surge RUK470M1HBK-1016S 0.1545
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 급등하다 루크 가방 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 159 ma @ 120 Hz 318 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUK470M1HBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
RZW152M1EBK-1325S Surge RZW152M1EBK-1325S 0.3577
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 25 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.338 A @ 120 Hz 2.23 A @ 100 kHz 27 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW152M1EBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
HBW560M1ETR-0606S Surge HBW560M1ET-0606S 0.1827
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 급등하다 HBW 테이프 & tr (TR) 활동적인 56 µF ± 20% 25 v 50mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 90 ma @ 120 Hz 900 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBW560M1etr-0606S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ221M1CTR-0607S Surge VEJ221M1CTR-0607S 0.0905
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 120 MA @ 120 Hz 168 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ221M1CTR-0607STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM560M2P---2025S Surge LSM560M2P --- 2025 년대 1.0308
RFQ
 ECAD 6289 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 56 µF ± 20% 420 v 3.554ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 410 ma @ 120 Hz 574 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM560M2P --- 2025S 3A001 8532.22.0040 110
RXW220M1VBK-0511S Surge RXW220M1VBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 22 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75.6 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW220M1VBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM391M2D---2525S Surge LSM391M2D --- 2525S 1.3968
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 390 µF ± 20% 200 v 340mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.31 a @ 120 Hz 1.834 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM391M2D --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
LSK151M2W---2535S Surge LSK151M2W --- 2535S 2.2568
RFQ
 ECAD 2411 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 150 µF ± 20% 450 v 1.327ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 870 ma @ 120 Hz 1.218 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK151M2W --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
VEU152M1VTR-1816S Surge VEU152M1VTR-1816S 0.7183
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 1.5 MF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.035 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU152M1VTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
VZH151M1VTR-1008S Surge VZH151M1VTR-1008S 0.1712
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 315 MA @ 120 Hz 450 ma @ 100 kHz 170 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.315 "(8.00mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH151M1VTR-10008STR 귀 99 8532.22.0020 500
LSG271M2D---2225S Surge LSG271M2D --- 2225S 1.0039
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 270 µF ± 20% 200 v 737mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 950 ma @ 120 Hz 1.425 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG271M2D --- 2225S 3A001 8532.22.0040 90
VEJ470M1ETR-0806S Surge VEJ470M1ET-0806S 0.1083
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 79 ma @ 120 Hz 110.6 ma @ 10 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.268 "(6.80mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ470M1ET-0806ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
HUE560M1JTR-1010S Surge HUE560M1JTR-1010S 0.3222
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 급등하다 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-hue560m1jtr-1010str 귀 99 8532.22.0020 500
VUX332M1ETR-1821S Surge vux332m1etr-1821s 1.4054
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 MF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 1.1 A @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz 35 Mohms - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux332m1etr-1821str 귀 99 8532.22.0020 100
LSM392M2A---3540S Surge LSM392M2A --- 3540S 3.5118
RFQ
 ECAD 5184 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 3.9 MF ± 20% 100 v 68mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.38 A @ 120 Hz 4.732 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM392M2A --- 3540S 3A001 8532.22.0040 40
LSM102M2C---3525S Surge LSM102M2C --- 3525S 2.4377
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1 MF ± 20% 160 v 199MOHM @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.98 A @ 120 Hz 2.772 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM102M2C --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
LSG123M1V---3525S Surge LSG123M1V --- 3525S 1.9771
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 12 MF ± 20% 35 v 44mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.75 a @ 120 Hz 3.3 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG123M1V --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
LSM391M2D---2035S Surge LSM391M2D --- 2035 년대 1.3559
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 390 µF ± 20% 200 v 340mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.24 a @ 120 Hz 1.736 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM391M2D --- 2035S 3A001 8532.22.0040 110
RXW122M1VBK-1330S Surge RXW122M1VBK-1330S 0.4002
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.386 A @ 120 Hz 2.31 A @ 100 kHz 25 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW122M1VBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
RXW220M1HBK-0511S Surge RXW220M1HBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 22 µF ± 20% 50 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 71.4 ma @ 120 Hz 170 ma @ 100 kHz 1.2 옴 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW220M1HBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG181M2G---3025S Surge LSG181M2G --- 3025S 2.0430
RFQ
 ECAD 4682 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 180 µF ± 20% 400 v 1.106ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 830 ma @ 120 Hz 1.1869 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG181M2G --- 3025S 3A001 8532.22.0040 50
RXK182M1HBK-1640S Surge RXK182M1HBK-1640S 0.8979
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.8 MF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.466 A @ 120 Hz 2.74 a @ 100 kHz 21 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK182M1HBK-1640S 귀 99 8532.22.0020 100
VES220M0JTR-0405S Surge VES220M0JTR-0405S 0.0642
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 21 ma @ 120 Hz 29.4 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VES220M0JTR-0405ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSK561M2D---3030S Surge LSK561M2D --- 3030 년대 2.3515
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 560 µF ± 20% 200 v 355mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.17 a @ 120 Hz 1.638 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK561M2D --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
RUA330M2CBK-1025S Surge RUA330M2CBK-1025S 0.2050
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 33 µF ± 20% 160 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 154 ma @ 120 Hz 277.2 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA330M2CBK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
VZU561M1VTR-1010S Surge VZU561M1VTR-1010S 0.2875
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 급등하다 VZU 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 833 ma @ 120 Hz 1.19 a @ 100 kHz 60 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZU561M1VTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
RA-101M1JBK-1012S Surge RA-101M1M1JBK-1012S 0.1032
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 100 µf ± 20% 63 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 225 ma @ 120 Hz 427.5 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-101M1JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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