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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RZW272M1CBK-1330S Surge RZW272M1CBK-1330S 0.4695
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 2.7 MF ± 20% 16 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.855 A @ 120 Hz 2.65 A @ 100 kHz 24 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW272M1CBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
RXJ6R8M1HBK-0511S Surge RXJ6R8M1HBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 6.8 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 55 MA @ 120 Hz 100 ma @ 100 khz 3 옴 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ6R8M1HBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXJ100M2ABK-0811S Surge RXJ100M2ABK-0811S 0.0767
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 10 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 305 MA @ 100 kHz 560 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ100m2ABK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
HBV330M1HTR-0608S Surge HBV330M1HTR-0608S 0.1991
RFQ
 ECAD 7932 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 50 v 40mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 160 ma @ 120 Hz 1.6 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV330M1HTR-0608ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK103M0JBK-1636S Surge RXK103M0JBK-1636S 0.7121
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 10 MF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.691 A @ 120 Hz 2.99 a @ 100 kHz 22 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK103M0JBK-1636S 귀 99 8532.22.0020 100
LSM181M2V---2045S Surge LSM181M2V --- 2045S 1.6776
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 180 µF ± 20% 350 v 1.106ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 810 ma @ 120 Hz 1.134 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM181M2V --- 2045S 3A001 8532.22.0040 100
VEJ330M1ETR-0606S Surge VEJ330M1ET-0606S 0.0743
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 46 MA @ 120 Hz 64.4 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ330M1ET-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK391M1EBK-0820S Surge RXK391M1EBK-0820S 0.1117
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 390 µF ± 20% 25 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 560 ma @ 120 Hz 700 ma @ 100 kHz 110 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK391M1EBK-0820S 귀 99 8532.22.0020 1,000
HBW330M1HTR-0607S Surge HBW330M1HTR-0607S 0.1991
RFQ
 ECAD 4343 0.00000000 급등하다 HBW 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 50 v 40mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 110 ma @ 120 Hz 1.1 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBW330M1HTR-0607ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RLD271M2DBK-1836S Surge RLD271M2DBK-1836S 1.2150
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 270 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.3 A @ 120 Hz 2.925 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD271M2DBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
VZT471M1ETR-0810S Surge vzt471m1etr-0810s 0.1937
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 552.5 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz 80 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT471M1etr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
LSG391M2G---3045S Surge LSG391M2G --- 3045S 4.0859
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 390 µF ± 20% 400 v 510mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.56 A @ 120 Hz 2.2308 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG391M2G --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
RXW102M0JBK-1012S Surge RXW102M0JBK-1012S 0.1103
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 1 MF ± 20% 6.3 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 453 ma @ 120 Hz 755 ma @ 100 kHz 90 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW102M0JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
LSK121M2P---2235S Surge LSK121M2P --- 2235S 1.7472
RFQ
 ECAD 9554 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 120 µF ± 20% 420 v 1.659ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 700 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK121M2P --- 2235S 3A001 8532.22.0040 90
HBW820M1CTR-0606S Surge HBW820M1CTR-0606S 0.1827
RFQ
 ECAD 3039 0.00000000 급등하다 HBW 테이프 & tr (TR) 활동적인 82 µF ± 20% 16 v 50mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 90 ma @ 120 Hz 900 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBW820M1CTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
HBV330M1JTR-0810S Surge HBV330M1JTR-0810S 0.2404
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 63 v 40mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 170 ma @ 120 Hz 1.7 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV330M1JTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
HUW151M1JTR-1016S Surge HUW151M1JTR-1016S 0.7363
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 급등하다 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HUW151M1JTR-1016ST 귀 99 8532.22.0020 300
RXJ471M1EBK-1020S Surge RXJ471M1EBK-1020S 0.1757
RFQ
 ECAD 5647 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 470 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 775 ma @ 120 Hz 965 ma @ 100 kHz 140 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ471M1EBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RLD271M2CBK-1636S Surge RLD271M2CBK-1636S 0.9078
RFQ
 ECAD 1006 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 270 µF ± 20% 160 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.24 a @ 120 Hz 2.79 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD271M2CBK-1636S 귀 99 8532.22.0020 100
RZW151M1VBK-0811S Surge RZW151M1VBK-0811S 0.0845
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 150 µF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 320 ma @ 120 Hz 640 ma @ 100 kHz 110 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW151M1VBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEH101M0JTR-0606S Surge VEH101M0JTR-0606S 0.0760
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 136 MA @ 120 Hz 170 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW682M0JBK-1625S Surge RZW682M0JBK-1625S 0.5712
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 6.8 MF ± 20% 6.3 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.051 A @ 120 Hz 2.93 A @ 100 kHz 21 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW682M0JBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
RXQ470M2VBK-1620S Surge RXQ470M2VBK-1620S 0.6105
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 47 µF ± 20% 350 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 430 ma @ 120 Hz 1.075 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ470M2VBK-1620S 귀 99 8532.22.0020 150
LSM681M2D---3030S Surge LSM681M2D --- 3030 년대 2.1366
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 680 µF ± 20% 200 v 195mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.96 A @ 120 Hz 2.744 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM681M2D --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
VZL331M1CTR-0810S Surge VZL331M1CTR-0810S 0.1227
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 420 MA @ 120 Hz 600 ma @ 100 kHz 160 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZL331M1CTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RUA330M1JBK-1016S Surge RUA330M1JBK-1016S 0.1561
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 33 µF ± 20% 63 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 200 ma @ 120 Hz 500 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA330M1JBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
RUA470M2CBK-1320S Surge RUA470M2CBK-1320S 0.3032
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 47 µF ± 20% 160 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 187 MA @ 120 Hz 280.5 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA470M2CBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RZW560M1JBK-0811S Surge RZW560M1JBK-0811S 0.0924
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 56 µF ± 20% 63 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 250 ma @ 120 Hz 500 ma @ 100 kHz 310 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW560M1JBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM221M2G---2250S Surge LSM221M2G --- 2250 년대 2.1875
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 905mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.17 a @ 120 Hz 1.638 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM221M2G --- 2250S 3A001 8532.22.0040 80
LSM681M2P---3560S Surge LSM681M2P --- 3560 년대 7.1534
RFQ
 ECAD 8199 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 680 µF ± 20% 420 v 293mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.31 A @ 120 Hz 3.234 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.441 "(62.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM681M2P --- 3560S 3A001 8532.22.0040 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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