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커패시터 (1738)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VZT220M1ETR-0406S Surge VZT220M1ET-0406S 0.0751
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 104 ma @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT220M1ET-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSM472M1H---3030S Surge LSM472M1H --- 3030 년대 1.9302
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 50 v 99mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.42 a @ 120 Hz 3.388 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM472M1H --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
VEU100M1VTR-0506S Surge VEU100M1VTR-0506S 0.0695
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 35 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 27 MA @ 120 Hz 37.8 ma @ 10 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU100M1VTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RLD181M2VBK-1845S Surge RLD181M2VBK-1845S 2.1470
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 180 µF ± 20% 350 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.09 a @ 120 Hz 2.453 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD181M2VBK-1845S 귀 99 8532.22.0020 50
RA-100M1CBK-0511S Surge RA-100M1CBK-0511S 0.0436
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 10 µF ± 20% 16 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 35 MA @ 120 Hz 66.5 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-100M1CBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK680M1JBK-1016S Surge RXK680M1JBK-1016S 0.1454
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 68 µF ± 20% 63 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 366 MA @ 120 Hz 523 ma @ 100 kHz 210 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK680M1JBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
VEU152M1VTR-1816S Surge VEU152M1VTR-1816S 0.7183
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 1.5 MF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.035 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU152M1VTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
VEU470M1HTR-0810S Surge VEU470M1HTR-0810S 0.1212
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 141 ma @ 120 Hz 197.4 ma @ 10 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU470M1HTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXW682M1CBK-1836S Surge RXW682M1CBK-1836S 0.9757
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 6.8 MF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.576 A @ 120 Hz 3.68 A @ 100 kHz 15 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW682M1CBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
RXJ470M1HBK-0811S Surge RXJ470M1HBK-0811S 0.0814
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 320 ma @ 120 Hz 400 ma @ 100 kHz 330 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ470M1HBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM153M1C---2545S Surge LSM153M1C --- 2545S 1.7808
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 15 MF ± 20% 16 v 44mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.83 A @ 120 Hz 3.962 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM153M1C --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
VUX821M1VTR-1616S Surge vux821M1VTR-1616S 0.6984
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 820 µF ± 20% 35 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 600 ma @ 120 Hz 1.2 a @ 100 kHz 60 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUX821M1VTR-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
RXW470M1VBK-0611S Surge RXW470M1VBK-0611S 0.0654
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 145 MA @ 120 Hz 290 ma @ 100 kHz 250 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW470M1VBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXW102M0JBK-1012S Surge RXW102M0JBK-1012S 0.1103
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 1 MF ± 20% 6.3 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 453 ma @ 120 Hz 755 ma @ 100 kHz 90 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW102M0JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
LSM681M2C---2240S Surge LSM681M2C --- 2240 년대 1.6944
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 680 µF ± 20% 160 v 195mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.62 A @ 120 Hz 2.268 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM681M2C --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
LSM103M1C---2535S Surge LSM103M1C --- 2535S 1.5578
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 10 MF ± 20% 16 v 66mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.25 A @ 120 Hz 3.15 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM103M1C --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
RA-4R7M1JBK-0511S Surge RA-4R7M1JBK-0511S 0.0453
RFQ
 ECAD 5584 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 4.7 µF ± 20% 63 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 32 ma @ 120 Hz 60.8 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-4R7M1JBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW122M1ABK-1020S Surge RZW122M1ABK-1020S 0.1951
RFQ
 ECAD 1358 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 10 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 840 ma @ 120 Hz 1.4 a @ 100 kHz 46 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW122M1ABK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RXW272M1VBK-1832S Surge RXW272M1VBK-1832S 0.8470
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 2.7 MF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.5445 A @ 120 Hz 3.635 A @ 100 kHz 16 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW272M1VBK-1832S 귀 99 8532.22.0020 100
VEZ220M1ETR-0605S Surge VEZ220M1ET-0605S 0.0743
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 25 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 136 MA @ 120 Hz 170 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ220M1ET-0605ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK470M1JBK-0811S Surge RXK470M1JBK-0811S 0.0783
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 47 µF ± 20% 63 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 193 ma @ 120 Hz 275 ma @ 100 kHz 490 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK470M1JBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RUA220M1JBK-1012S Surge RUA220M1JBK-1012S 0.1160
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 22 µF ± 20% 63 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 149 ma @ 120 Hz 372.5 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA220M1JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
LHM101M2G---2225S Surge lhm101m2g --- 2225s 1.2358
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 급등하다 LHM 상자 활동적인 100 µf ± 20% 400 v 1.99ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 680 ma @ 120 Hz 952 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-lhm101m2g --- 2225s 3A001 8532.22.0040 90
LSG332M1J---2240S Surge LSG332M1J --- 2240 년대 1.5481
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 63 v 121mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.99 a @ 120 Hz 2.388 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG332M1J --- 2240 년대 3A001 8532.22.0040 90
VZH822M1ATR-1821S Surge vzh822m1atr-1821s 1.0151
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 8.2 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.225 A @ 120 Hz 1.75 A @ 100 kHz 38 Mohms - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH822M1ATR-1821STR 귀 99 8532.22.0020 100
RXW122M1ABK-1020S Surge RXW122M1ABK-1020S 0.1818
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 10 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 732 ma @ 120 Hz 1.22 A @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW122M1ABK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RXJ391M0JBK-0811S Surge RXJ391M0JBK-0811S 0.0767
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 390 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 320 ma @ 120 Hz 400 ma @ 100 kHz 330 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ391M0JBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VUA331M1HTR-1616S Surge vua331m1htr-1616s 0.6015
RFQ
 ECAD 1570 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 910 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA331M1HTR-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
VZR100M1VTR-0507S Surge VZR100M1VTR-0507S 0.0776
RFQ
 ECAD 1321 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 47.5 ma @ 120 Hz 95 MA @ 100 kHz 2.2 옴 - 0.197 "dia (5.00mm) 0.287 "(7.30mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZR100M1VTR-0507ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK821M1JBK-1632S Surge RXK821M1JBK-1632S 0.6408
RFQ
 ECAD 8585 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.512 A @ 120 Hz 1.89 a @ 100 kHz 46 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1JBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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