RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

커패시터 (62912)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	작동 작동	등급	응용 응용	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준
K102K15x7RH5BH5	0.0446	RFQ	2181	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	1000 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K102K15X7RK53H5	0.0659	RFQ	9104	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	1000 pf	± 10%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K102K15X7RK5UH5	0.0659	RFQ	2908	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	1000 pf	± 10%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K102K15x7RL5th5	0.1074	RFQ	9319	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	1000 pf	± 10%	500V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K102K20C0GH5UL2	0.2375	RFQ	4304	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	1000 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K102M10X7RH5UL2	0.0386	RFQ	9435	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	1000 pf	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K102M15X7RF55L2	0.0431	RFQ	6094	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	1000 pf	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K102M15X7RF5TL2	0.0431	RFQ	9893	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	1000 pf	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K102M15x7RH53H5	0.0446	RFQ	6085	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	1000 pf	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K102M15x7RH5th5	0.0446	RFQ	5357	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	1000 pf	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K102M15x7RH5UH5	0.0446	RFQ	1064	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	1000 pf	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K102M15X7RK53L2	0.0659	RFQ	3390	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	1000 pf	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K102M15X7RK5TL2	0.0659	RFQ	3146	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	1000 pf	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K102M15X7RK5UL2	0.0659	RFQ	2920	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	1000 pf	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K103K10X7RF5TL2	0.0376	RFQ	9321	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	10000 PF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103K15x7RF5BH5	0.0431	RFQ	5230	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	10000 PF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K103K15X7RF5UL2	0.2500	RFQ	978	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	컷 컷 (CT)	활동적인	10000 PF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K103K15X7RK5UL2	0.0968	RFQ	3431	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	10000 PF	± 10%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K103M10X7RH5TL2	0.0448	RFQ	8263	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	10000 PF	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103M10X7RH5UH5	0.0448	RFQ	4459	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	10000 PF	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K103M15X7RF53L2	0.2500	RFQ	30	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	10000 PF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K103M15X7RF5th5	0.0431	RFQ	5447	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	10000 PF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103M15X7RF5TL2	0.0431	RFQ	9203	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	10000 PF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103M15X7RK5th5	0.0968	RFQ	7657	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	10000 PF	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103M20X7RL5UH5	0.1597	RFQ	3052	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	10000 PF	± 20%	500V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K103Z10Y5VF53H5	0.0448	RFQ	1243	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	10000 PF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K103Z10Y5VF5th5	0.0448	RFQ	8069	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	10000 PF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103Z10Y5VF5TL2	0.0448	RFQ	6386	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	10000 PF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K103z10y5vf5uh5	0.0448	RFQ	7048	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로	10000 PF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K104J15X7RF5UH5	-	RFQ	8721	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.1 µF	± 5%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (62912)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²