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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	작동 작동	등급	응용 응용	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준
VY2472M49Y5US6TV0	0.4500	RFQ	91	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	vy2	테이프 & tr (TR)	활동적인	4700 pf	± 20%	440vac	-40 ° C ~ 125 ° C	x1, y2	안전	0.394 "(10.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.650 "(16.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-	Y5U (E)	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.23.0060	500
K223M15X7RF53H5	0.0450	RFQ	1547	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.022 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K223M15X7RF53L2	0.0450	RFQ	2417	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.022 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K223M15X7RK5TL2	0.2446	RFQ	3731	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.022 µF	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K223Z10Y5VF53H5	0.0507	RFQ	5092	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	0.022 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K223Z10Y5VF53L2	0.0507	RFQ	7505	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	0.022 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K224K20X7RH5UH5	0.4530	RFQ	4051	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.22 µF	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K224M20X7RF5UH5	0.1055	RFQ	5493	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.22 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K270J10C0GF53H5	0.0361	RFQ	8670	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	27 pf	± 5%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K270J10C0GF5th5	0.0361	RFQ	9332	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	27 pf	± 5%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K270J10C0GH5UH5	0.0405	RFQ	7126	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	27 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K270J15C0GH5th5	0.0636	RFQ	1949	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	27 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K270J15C0GH5TL2	0.0636	RFQ	1462	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	27 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K270J15C0GH5UL2	0.0636	RFQ	9492	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	27 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K270K10C0GF5TL2	0.0361	RFQ	5588	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	27 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K270K15C0GF53L2	0.0452	RFQ	6894	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	27 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K270K15C0GH53L2	0.0636	RFQ	6527	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	27 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K271J10C0GH53L2	0.0617	RFQ	3917	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	270 PF	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K271J15C0GF5th5	0.0622	RFQ	5757	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	270 PF	± 5%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K271J15C0GH5TL2	0.0742	RFQ	4436	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	270 PF	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K271J15C0GH5UL2	0.0742	RFQ	5803	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	270 PF	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K271J15C0GK5UH5	0.1047	RFQ	8933	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	270 PF	± 5%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K271J15C0GK5UL2	0.1047	RFQ	5911	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	270 PF	± 5%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K271J15C0GL53H5	0.1377	RFQ	5575	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	270 PF	± 5%	500V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K271K10C0GH53H5	0.0617	RFQ	9576	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	270 PF	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K271K10C0GH5UH5	0.0617	RFQ	9896	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	270 PF	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K271K15C0GH5th5	0.0742	RFQ	9427	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	270 PF	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K271K15C0GL53H5	0.1377	RFQ	2562	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	270 PF	± 10%	500V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K271K15C0GL5UH5	0.1377	RFQ	9754	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	270 PF	± 10%	500V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K271K15X7RF5UH5	0.0523	RFQ	7612	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	270 PF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (62912)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²