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커패시터 (62912)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	작동 작동	등급	응용 응용	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
PE0140WJ10238BJ2	1.0000	RFQ	1225	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	피	대부분	활동적인	1000 pf	± 20%	14000V (14KV)	-55 ° C ~ 100 ° C	-	rf, 레인지 전자, 고주파	-	5.512 "DIA (140.00mm)	-	보유자가 보유자가	디스크, 피팅 금속 - 나사산	-		R85		-	-	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8532.23.0040	1
BFC237036472	0.2064	RFQ	6874	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT370	테이프 & t (TB)	활동적인	4700 pf	± 5%		-55 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q200	자동차	0.200 "(5.08mm)	0.283 "L x 0.177"W (7.20mm x 4.50mm)	0.354 "(9.00mm)	구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	Q6603619T	귀 99	8532.25.0010	2,000	160V	250V	폴리 폴리, 에스테르
K683K10X7RF53L2	0.0410	RFQ	4640	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.068 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K683K10X7RF5TL2	0.0410	RFQ	1279	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.068 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	4,000
K683K10X7RF5UL2	0.0410	RFQ	5664	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.068 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K683K20X7RH5UL2	0.1216	RFQ	5228	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.068 µF	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K683M10X7RF53H5	0.0410	RFQ	1160	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.068 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K683M10X7RF53L2	0.0410	RFQ	7058	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.068 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K683M10X7RF5UH5	0.0410	RFQ	1420	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.068 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K683M10X7RF5UL2	0.0410	RFQ	8720	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.068 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K683M15X7RF53H5	0.0710	RFQ	3599	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.068 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K683M15X7RF5UH5	0.0710	RFQ	7222	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.068 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K683M20X7RH5th5	0.1216	RFQ	1722	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.068 µF	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	3,000
K683M20X7RH5UH5	0.1216	RFQ	9835	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.068 µF	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K684K20X7RF53H5	0.6051	RFQ	3868	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.68 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K684K20X7RF5UL2	0.6051	RFQ	8155	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.68 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K684Z20Y5VF53H5	0.1695	RFQ	5150	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	0.68 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K684Z20Y5VF5TL2	0.1695	RFQ	2499	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	0.68 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	3,000
K684Z20Y5VF5UL2	0.1695	RFQ	4247	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로	0.68 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K820J10C0GF5UL2	0.0361	RFQ	9692	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	82 pf	± 5%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K820J10C0GH53H5	0.0397	RFQ	1570	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	82 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K820J15C0GH5TL2	0.0636	RFQ	9248	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	82 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	4,000
K820J15C0GH5UL2	0.0636	RFQ	2353	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	82 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K820K10C0GF5th5	0.0361	RFQ	3079	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	82 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	4,000
K820K10C0GF5UL2	0.0361	RFQ	5509	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	82 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K820K10C0GH5TL2	0.0397	RFQ	5712	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	82 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	4,000
K820K15C0GF53L2	0.0452	RFQ	6160	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	82 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
K820K15C0GF5UH5	0.0452	RFQ	9896	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	82 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K820K15C0GH5UH5	0.0636	RFQ	9616	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	82 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
K820K15C0GK53H5	0.1141	RFQ	2682	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	82 pf	± 10%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

커패시터 (62912)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²