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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
BFC238362203	3.9150	RFQ	1703	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MMKP383	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.02 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.024 "L x 0.394"W (26.00mm x 10.00mm)	0.768 "(19.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8532.25.0040	350	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP383211063JDA2B0	0.3833	RFQ	4016	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP383	대부분	활동적인	1100 PF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.157"W (12.50mm x 4.00mm)	0.394 "(10.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		383211063JDA2B0	귀 99	8532.25.0070	1,000	220V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL219827271E3	12.7487	RFQ	6005	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	198 phr-si	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	450 v	354mohm @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.98 A @ 100 Hz		300 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.850 "(47.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MAL225652472E3	11.2400	RFQ	6830	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	256 pmg-si	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	80 v	71mohm	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-	범용		3.168 A @ 10 kHz		0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	4656PHBK	귀 99	8532.22.0040	40
MAL212365689	-	RFQ	2580	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	123 Sal-A	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	68 µF	± 20%	16 v	4.1ohm @ 100Hz	2000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	범용	180 ma @ 100 Hz		2 옴	-	0.299 "dia x 0.803"L (7.60mm x 20.40mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할			귀 99	8532.22.0020	100
K103Z15Y5VF5UL2	0.0439	RFQ	2345	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로	10000 PF	-20%, +80%	50V			-30 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
MAL215929689E3	3.4898	RFQ	4954	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	159 Pul-Si	대부분	활동적인	68 µF	± 20%	500 v	1.91ohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	640 ma @ 120 Hz	896 ma @ 10 kHz	1.41 옴	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MAL214853472E3	0.9123	RFQ	5127	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	148 Rus	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	6.3 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.1 A @ 100 Hz		85 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
MAL210658153E3	51.5329	RFQ	3256	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	106 Ped-St	대부분	활동적인	15000 µF	-10%, +30%	63 v	100Hz 16mohm	20000 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	14.5 a @ 100 Hz		11 Mohms	0.874 "(22.20mm)	1.969 "DIA (50.00mm)	4.402 "(111.80mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	25
MKP385212100JCI2B0	0.3006	RFQ	7624	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	대부분	활동적인	1200 PF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.118"W (10.00mm x 3.00mm)	0.315 "(8.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385212100JCI2B0	귀 99	8532.25.0070	1,500	350V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL209614821E3	21.9450	RFQ	4331	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	096 PLL-4TSI	테이프 & t (TB)	활동적인	820 µF	± 20%	420 v	208mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.6 A @ 100 Hz		71 Mohms	-	1.378 "DIA (35.00mm)	3.150 "(80.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	50
S470K25SL0N63L6R	0.4000	RFQ	16	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	에스	대부분	활동적인	47 PF	± 10%	1000V (1KV)			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.256 "DIA (6.50mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		SL	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	1,000
BFC237517303	1.5319	RFQ	3639	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	KP/MKP 375	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.03 µF	± 3.5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	1.024 "L x 0.276"W (26.00mm x 7.00mm)	0.630 "(16.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222237517303	귀 99	8532.25.0070	600	300V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
BFC238065752	-	RFQ	1482	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP380	테이프 & t (TB)	쓸모없는	7500 pf	± 10%				-55 ° C ~ 85 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.177"W (7.20mm x 4.50mm)	0.354 "(9.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		222238065752	귀 99	8532.25.0070	750	200V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
K104J15X7RF5UK5	-	RFQ	1698	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.1 µF	± 5%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.295 "(7.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	2,500
MAL209443471E3	5.1249	RFQ	7047	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	094 PME-SI	테이프 & t (TB)	활동적인	470 µF	± 20%	250 v	220mohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.64 A @ 120 Hz		140 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MKP1846322104	-	RFQ	8056	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP1846	대부분	쓸모없는	0.022 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.886 "(22.50mm)	1.043 "L x 0.256"W (26.50mm x 6.50mm)	0.571 "(14.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8532.25.0070	260	600V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP385456025JII2B0	0.9399	RFQ	8220	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	대부분	활동적인	0.56 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.024 "L x 0.236"W (26.00mm x 6.00mm)	0.610 "(15.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385456025JII2B0	귀 99	8532.25.0070	250	160V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MALREKB00BA315EL0K	-	RFQ	9027	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	EKB	대부분	쓸모없는	150 µF	± 20%	25 v	1.41ohm @ 120Hz	1000 @ @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	185 MA @ 120 Hz			0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,500
malseca00ag310hark	-	RFQ	3090	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	ECA	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	50 v	1.59ohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	195 MA @ 120 Hz			-	0.394 "dia (10.00mm)	0.413 "(10.50mm)	0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm)	표면 표면	방사형, s -smd							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
MKP385433040JII2B0	0.9676	RFQ	3630	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	대부분	활동적인	0.33 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.886 "(22.50mm)	1.024 "L x 0.236"W (26.00mm x 6.00mm)	0.610 "(15.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385433040JII2B0	귀 99	8532.25.0070	250	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP1841410634	2.0680	RFQ	9331	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP1841	대부분	활동적인	0.1 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT; 스 스								구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8532.25.0070	125	250V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL209627681E3	35.0900	RFQ	975	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	096 PLL-4TSI	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	450 v	229mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.2 A @ 100 Hz		85 Mohms	0.886 "(22.50mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	1.969 "(50.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -4 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	50
F1778347K2FCB0	0.7353	RFQ	8466	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	F1778X2	대부분	활동적인	0.047 µF	± 10%				-55 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.197"W (17.50mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	1778347K2FCB0	귀 99	8532.25.0020	750	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL210659223E3	130.5150	RFQ	4896	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	106 Ped-St	대부분	활동적인	22000 µF	-10%, +30%	100 v	9mohm @ 100Hz	20000 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	19.5 a @ 100 Hz		6 Mohms	1.252 "(31.80mm)	2.992 "DIA (76.00mm)	4.437 "(112.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	12
MAL205346331E3	14.3032	RFQ	7707	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	053 PEC-PW	테이프 & t (TB)	활동적인	330 µf	± 20%	400 v	480mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.67 A @ 100 Hz		280 Mohms	0.787 "(20.00mm)	1.575 "DIA (40.00mm)	1.772 "(45.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, -5 can 할 수 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	50
MAL213453229E3	-	RFQ	8407	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	134 RLP 5	대부분	쓸모없는	22 µF	± 20%	6.3 v	-	1500 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	23 ma @ 120 Hz		11 옴	0.059 "(1.50mm)	0.157 "DIA (4.00mm)	0.236 "(6.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	2,000
S103M69Z5U283L0R	-	RFQ	7521	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	에스	대부분	활동적인	10000 PF	± 20%	1500V (1.5kV)			-30 ° C ~ 125 ° C		-	범용				-	-	-		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		Z5U	-	-	-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	500
MAL215058331E3	1.0872	RFQ	4729	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	150 RMI	대부분	활동적인	330 µf	± 20%	63 v	-	7000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차	604.5 ma @ 100 Hz		95 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
MKP383368063JFI2B0	0.6834	RFQ	5700	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP383	대부분	활동적인	0.068 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.276"W (17.50mm x 7.00mm)	0.532 "(13.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		383368063JFI2B0	귀 99	8532.25.0070	500	220V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화

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일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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재고 창고

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2000+

30,000,000

2800+

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15,000m²