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커패시터 (62912)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 종료 온도 온도 실패율 두께 (최대) 리드 리드 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압 전압 -AC 전압 전압 -DC 유전체 유전체
BFC237544752 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components BFC237544752 1.9698
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 KP/MKP 375 대부분 활동적인 7500 pf ± 5% -55 ° C ~ 105 ° C - 높은 높은, DV/DT 0.394 "(10.00mm) 1.024 "L x 0.315"W (26.00mm x 8.00mm) 0.827 "(21.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 222237544752 귀 99 8532.25.0070 550 600V 2000V (2kv) 폴리 폴리 (pp), 금속 화
BFC247932274 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components BFC247932274 1.8563
RFQ
 ECAD 7587 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 MKP479 대부분 활동적인 0.27 µF ± 5% -55 ° C ~ 105 ° C - 높은 높은, DV/DT 0.591 "(15.00mm) 0.728 "L x 0.276"W (18.50mm x 7.00mm) 0.630 "(16.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 긴 긴 PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 222247932274 귀 99 8532.25.0070 1,250 100V 160V 폴리 폴리 (pp), 금속 화
F339MX261531KPM4T0 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components F339MX261531KPM4T0 12.0192
RFQ
 ECAD 1945 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 f339m 쟁반 활동적인 15 µF ± 10% -55 ° C ~ 110 ° C x2 EMI, RFI r 1.476 "(37.50mm) 1.654 "L x 1.181"W (42.00mm x 30.00mm) 1.772 "(45.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 339MX261531KPM4T0 귀 99 8532.25.0020 63 310V 450V 폴리 폴리 (pp), 금속 화
MALREKB05FE215X00K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MALREKB05FE215X00K -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 EKB 대부분 쓸모없는 15 µF ± 20% 400 v 17.68ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 118 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 300
BFC237520432 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components BFC237520432 0.7567
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 KP/MKP 375 대부분 활동적인 4300 pf ± 5% -55 ° C ~ 105 ° C - 높은 높은, DV/DT 0.394 "(10.00mm) 0.728 "L x 0.236"W (18.50mm x 6.00mm) 0.591 "(15.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 222237520432 귀 99 8532.25.0070 2,000 400V 1000V (1KV) 폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP1837347013W Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MKP1837347013W 0.7417
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 MKP1837 대부분 활동적인 0.047 µF ± 2.5% -55 ° C ~ 100 ° C - 고주파, 스위칭 0.197 "(5.00mm) 0.295 "L x 0.295"W (7.50mm x 7.50mm) 0.354 "(9.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.25.0070 700 100V 160V 폴리 폴리 (pp), 금속 화
F17724102103 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components F17724102103 -
RFQ
 ECAD 1867 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 F1772 대부분 활동적인 0.1 µF ± 10% -40 ° C ~ 110 ° C x2 EMI, RFI r 0.591 "(15.00mm) 0.689 "LX 0.335"W (17.50mm x 8.50mm) 0.591 "(15.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 17724102103 귀 99 8532.25.0060 450 310V 630V 폴리 폴리, 에스테르
MAL205972151E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205972151E3 5.1560
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 059 PLL-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 150 µF ± 20% 200 v 850mohm @ 100Hz 10000 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 670 ma @ 100 Hz 540 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
HCK332MBCDJ0KR Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components HCK332MBCDJ0KR 1.8289
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 HCK 대부분 활동적인 3300 pf ± 20% 3000V (3KV) -40 ° C ~ 125 ° C - 범용 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 0.906 "(23.00mm) 구멍을 구멍을 방사형, 디스크 - - - - 똑바로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8532.23.0060 300
K222J20C0GH5TH5 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components K222J20C0GH5th5 0.1298
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 모노 모노 ™ k 테이프 & tr (TR) 활동적인 2200 PF ± 5% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 0.197 "(5.00mm) 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.299 "(7.60mm) 구멍을 구멍을 방사형 - C0G, NP0 - - 형성 형성 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0060 3,000
MKT1817256015G Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MKT1817256015G 0.2142
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 MKT1817 테이프 & t (TB) 활동적인 5600 pf ± 10% -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 0.197 "(5.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1817256015G 귀 99 8532.25.0010 1,750 63V 100V 폴리 폴리, 에스테르
MAL212324479E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL212324479E3 -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 123 Sal-A 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 47 µF ± 20% 10 v 7.6ohm @ 100Hz 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 83 ma @ 100 Hz 1.2 옴 - 0.264 "dia x 0.602"L (6.70mm x 15.30mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
K270K15C0GH5TH5 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components K270K15C0GH5th5 0.0636
RFQ
 ECAD 5755 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 모노 모노 ™ k 테이프 & tr (TR) 활동적인 27 pf ± 10% 100V -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 0.197 "(5.00mm) 0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm) 0.260 "(6.60mm) 구멍을 구멍을 방사형 - C0G, NP0 - - 형성 형성 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.24.0060 4,000
MAL209526471E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL209526471E3 18.5834
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 095 PLL-4TSI 테이프 & t (TB) 활동적인 470 µF ± 20% 400 v 222mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3 a @ 100 Hz 132 Mohms 0.886 "(22.50mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 1.575 "(40.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -5 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 50
MALREKA00DE347HG0K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components malreka00de347hg0k -
RFQ
 ECAD 2910 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 에카 대부분 쓸모없는 470 µF ± 20% 50 v 340mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 875 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MALIEYH07BV382M02K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MALIEYH07BV382M02K -
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 Eyh 대부분 쓸모없는 820 µF ± 20% - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 - - - - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1
MAL204865102E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL204865102E3 0.6794
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 048 RML 테이프 & t (TB) 활동적인 1000 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 600 ma @ 100 Hz 140 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MAL250035153E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL250035153E3 222.9975
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 500 PGP-ST 상자 활동적인 15000 µF ± 20% 350 v 9mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 23 a @ 100 Hz 34.5 a @ 10 kHz 8 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.008 "DIA (76.40mm) 8.693 "(220.80mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 56-MAL250035153E3 귀 99 8532.22.0085 12
MAL215959689E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL215959689E3 -
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 159 Pul-Si 대부분 쓸모없는 68 µF ± 20% 500 v 1.22ohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 600 ma @ 120 Hz 850 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 BC2866 귀 99 8532.22.0040 100
HDU330KBDDF0KR Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components HDU330KBDDF0KR -
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 HDU 대부분 활동적인 33 PF ± 10% 4000V (4KV) -40 ° C ~ 85 ° C - 범용 0.394 "(10.00mm) 0.276 "dia (7.00mm) 0.394 "(10.00mm) 구멍을 구멍을 방사형, 디스크 고전압 N750 - - 똑바로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.23.0060 1,000
WKO102MCPCF0KR Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components wko102mcpcf0kr 0.3087
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 WKO 대부분 활동적인 1000 pf ± 20% 440vac -40 ° C ~ 125 ° C x1, y2 안전 0.295 "(7.50mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) 구멍을 구멍을 방사형, 디스크 - Y5U (E) - - 똑바로 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.23.0060 1,000
PS0030BE10033BF1 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components PS0030BE10033BF1 579.9200
RFQ
 ECAD 1077 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 추신 대부분 활동적인 10 pf ± 5% 5000V (5KV) -55 ° C ~ 100 ° C - rf, 레인지 전자, 고주파 - 1.417 "DIA (36.00mm) 0.866 "(22.00mm) 섀시 섀시 축 축 축, 방향 - 나사 터미널 고전압 R7 - - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8532.23.0040 1
MKP385456250JYM5T0 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MKP385456250JYM5T0 20.6567
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 MKP385 쟁반 활동적인 0.56 µF ± 5% -55 ° C ~ 110 ° C - DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT 2.067 "(52.50mm) 2.264 "L x 1.181"W (57.50mm x 30.00mm) 1.772 "(45.00mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 385456250Jym5T0 귀 99 8532.25.0070 45 900V 2500V (2.5kV) 폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP385624016JPP4T0 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MKP385624016JPP4T0 15.2059
RFQ
 ECAD 1664 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 MKP385 쟁반 활동적인 24 µF ± 5% -55 ° C ~ 110 ° C - DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT 1.476 "(37.50mm) 1.693 "L x 0.846"W (43.00mm x 21.50mm) 1.516 "(38.50mm) 구멍을 구멍을 방사형 - PC 핀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 385624016JPP4T0 귀 99 8532.25.0070 91 110V 160V 폴리 폴리 (pp), 금속 화
MALREKE05FE422C00K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components malreke05fe422c00k -
RFQ
 ECAD 8824 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 또한 대부분 쓸모없는 2200 µF ± 20% 10 v 139mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.078 A @ 120 Hz 50 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 300
MALREKB00JG410JG0K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components malrekb00jg410jg0k 1.1565
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 EKB 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 63 v 130mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.49 a @ 120 Hz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
MAL205645333E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205645333E3 10.0500
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 056 PSM-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 33000 µf ± 20% 16 v 36mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 4.75 A @ 100 Hz 34 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
MAL202124681E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL202124681E3 1.2280
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 021 ASM 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 10 v 470mohm @ 100Hz 2500 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 400 ma @ 100 Hz 290 Mohms - 0.315 "dia x 0.709"L (8.00mm x 18.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
WKO681MCPSAHKR Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components wko681mcpsahkr 0.2188
RFQ
 ECAD 9365 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 WKO 대부분 활동적인 680 pf ± 20% 440vac -40 ° C ~ 125 ° C x1, y2 안전 0.295 "(7.50mm) 0.354 "DIA (9.00mm) 0.472 "(12.00mm) 구멍을 구멍을 방사형, 디스크 - Y5U (E) - - 똑바로 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.23.0060 1,000
MAL203859338E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL203859338E3 -
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 038 RSU 대부분 쓸모없는 3.3 µF ± 20% 100 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 40 ma @ 100 Hz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.472 "(12.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 5,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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