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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
MKP385336025JC02G0	0.3366	RFQ	8866	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	테이프 & t (TB)	활동적인	0.036 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.118"W (10.00mm x 3.00mm)	0.315 "(8.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385336025JC02G0	귀 99	8532.25.0070	1,250	160V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
D472Z25Y5VH63J5R	0.0462	RFQ	8307	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	디	대부분	활동적인	4700 pf	-20%, +80%	100V			-30 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.256 "DIA (6.50mm)	-		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	1,000
MKP385382025JC02G0	0.4303	RFQ	8798	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	테이프 & t (TB)	활동적인	0.082 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.197"W (10.00mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385382025JC02G0	귀 99	8532.25.0070	1,000	160V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL204347689E3	6.3642	RFQ	4423	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	043 애쉬	테이프 & t (TB)	활동적인	68 µF	-10%, +50%	450 v	2.2ohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	550 ma @ 100 Hz		1.4 옴	0.886 "(22.50mm)	0.827 "DIA (21.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MKT1813433405	1.1377	RFQ	1724	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT1813	대부분	활동적인	0.33 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	범용				-	0.374 "DIA X 1.043"L (9.50mm x 26.50mm)	-		구멍을 구멍을	축	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1813433405	귀 99	8532.25.0070	500	200V	400V	폴리 폴리, 에스테르
BFC246856274	1.3370	RFQ	5087	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT468	대부분	활동적인	0.27 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.291"W (17.50mm x 7.40mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222246856274	귀 99	8532.25.0070	1,000	220V	400V	폴리 폴리, 에스테르
MAL215837822E3	7.4752	RFQ	8237	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	158 Pul-Si	대부분	활동적인	8200 µF	± 20%	40 v	57mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.9 a @ 100 Hz		47 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
HAE103MBASDFKR	0.3517	RFQ	7986	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	hae	대부분	활동적인	10000 PF	± 20%	1000V (1KV)			-40 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)	0.591 "DIA (15.00mm)	0.709 "(18.00mm)		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	고전압		-	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	1,000
MAL214237228E3	0.2933	RFQ	8578	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	142 RHS	테이프 & t (TB)	활동적인	2.2 µF	± 20%	450 v	-	2500 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-	범용		72 ma @ 10 kHz		0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.531 "(13.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
vy1100k31u2jq63v0	0.3500	RFQ	18	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	vy1	대부분	활동적인	10 pf	± 10%	760vac			-40 ° C ~ 125 ° C		X1, Y1	안전				0.394 "(10.00mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		U2J	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	BC2362	귀 99	8532.23.0060	1,000
malreke00de410dg0k	-	RFQ	9443	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	또한	대부분	쓸모없는	1000 µF	± 20%	16 v	120Hz 212mohm	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	847 ma @ 120 Hz		54 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
K271K10C0GF53H5	0.0481	RFQ	9976	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	270 PF	± 10%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
MALREKB05BA147M00K	-	RFQ	6549	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	EKB	대부분	쓸모없는	4.7 µF	± 20%	160 v	42.33ohm @ 120Hz	1000 @ @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	34 ma @ 120 Hz			0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	6,000
Malrekc00DE312J00F	-	RFQ	9475	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	쓸모없는	120 µF	± 20%	63 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	260 ma @ 120 Hz	650 ma @ 100 kHz	160 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.787 "(20.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-Malrekc00DE312J00F	쓸모없는		1,000
MKP383318025JC02W0	0.3863	RFQ	4419	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP383	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.018 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.406 "LX 0.197"W (10.30mm x 5.00mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		383318025JC02W0	귀 99	8532.25.0070	1,000	125V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
K223M10X7RF53L2	0.0406	RFQ	6081	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.022 µF	± 20%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
MAL210262472E3	48.6234	RFQ	6899	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	102 Phr-St	대부분	활동적인	4700 µF	± 20%	200 v	37mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	12.5 A @ 100 Hz		26 Mohms	1.122 "(28.50mm)	2.559 "DIA (65.00mm)	4.358 "(110.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	16
MAL210656224E3	228.6000	RFQ	4751	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	106 Ped-St	대부분	활동적인	220000 µF	-10%, +30%	25 v	8mohm @ 100Hz	20000 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	40 a @ 100 Hz		8 Mohms	1.252 "(31.80mm)	2.992 "DIA (76.00mm)	8.925 "(226.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	12
MAL225058222E3	3.0122	RFQ	5266	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	250 rmi-v	상자	활동적인	2200 µF	± 20%	63 v	-	10000 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	오디오, 자동차	2.356 A @ 100 Hz	3.1 a @ 100 kHz	33 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.709 "DIA (18.00mm)	1.673 "(42.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL225058222E3	귀 99	8532.22.0020	100
MKP385311085JDM2B0	0.3818	RFQ	7186	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	대부분	활동적인	0.011 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.197"W (12.50mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385311085JDM2B0	귀 99	8532.25.0070	1,000	300V	850V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL211929109E3	-	RFQ	6590	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	119 AHT-DIN	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	10 µF	-10%, +50%	100 v	13ohm @ 100Hz	4000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	범용	70 ma @ 100 Hz		6 옴	-	0.315 "dia x 0.709"L (8.00mm x 18.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
MAL224695476E3	2.6319	RFQ	9319	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	246 RTI-V	상자	활동적인	4700 µF	± 20%	16 v	-	125 ° C @ @ 6000	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	AEC-Q200	자동차	2.1 A @ 100 Hz	3 a @ 100 kHz	21 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL224695476E3	귀 99	8532.22.0020	100
MAL205874223E3	8.5320	RFQ	4357	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	058 PLL-SI	테이프 & t (TB)	활동적인	22000 µF	± 20%	10 v	31mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	4.62 A @ 100 Hz		25 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
BFC237543201	1.2019	RFQ	9258	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	KP/MKP 375	테이프 & tr (TR)	활동적인	200 pf	± 3.5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.728 "L x 0.217"W (18.50mm x 5.50mm)	0.630 "(16.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222237543201	귀 99	8532.25.0070	1,100	600V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP383327025JDI2B0	0.4060	RFQ	7781	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP383	대부분	활동적인	0.027 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.157"W (12.50mm x 4.00mm)	0.394 "(10.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		383327025JDI2B0	귀 99	8532.25.0070	1,250	125V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL205647103E3	8.8560	RFQ	3800	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	056 PSM-SI	테이프 & t (TB)	활동적인	10000 µf	± 20%	40 v	44mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	오디오	3.88 A @ 100 Hz		39 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
Malrekc00jj368j00f	-	RFQ	1651	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	쓸모없는	680 µF	± 20%	63 v	-	8000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.032 A @ 120 Hz	1.72 a @ 100 kHz	46 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.181 "(30.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-Malrekc00JJ368J00F	쓸모없는		1,000
MKT1813610015G	3.8357	RFQ	2885	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT1813	테이프 & t (TB)	활동적인	10 µF	± 10%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	범용				-	0.650 "dia x 1.240"L (16.50mm x 31.50mm)	-		구멍을 구멍을	축	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1813610015G	귀 99	8532.25.0010	450	63V	100V	폴리 폴리, 에스테르
Malrekb05de310L00K	-	RFQ	1920	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	EKB	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	100 v	1.06ohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	332 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
MALREKB00FE368H00K	-	RFQ	3591	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	EKB	대부분	쓸모없는	680 µF	± 20%	50 v	230mohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	927 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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재고 창고

커패시터 (62912)

2000+

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2800+

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15,000m²