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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
K271K10C0GF53H5	0.0481	RFQ	9976	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	270 PF	± 10%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
Malrekb05de310L00K	-	RFQ	1920	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	EKB	대부분	쓸모없는	100 µf	± 20%	100 v	1.06ohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	332 ma @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.866 "(22.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
MAL213219689E3	2.0328	RFQ	2527	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	132 ALL-DIN	대부분	활동적인	68 µF	-10%, +50%	100 v	1.4ohm @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	250 ma @ 100 Hz			-	0.492 "DIA X 1.181"L (12.50mm x 30.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	260
BFC246856274	1.3370	RFQ	5087	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT468	대부분	활동적인	0.27 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.291"W (17.50mm x 7.40mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222246856274	귀 99	8532.25.0070	1,000	220V	400V	폴리 폴리, 에스테르
BFC241942402	0.6594	RFQ	1124	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP419	대부분	활동적인	2400 PF	± 2%				-55 ° C ~ 85 ° C		-	고주파, 스위칭				0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.138"W (7.20mm x 3.50mm)	0.315 "(8.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	3,000	125V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL205874223E3	8.5320	RFQ	4357	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	058 PLL-SI	테이프 & t (TB)	활동적인	22000 µF	± 20%	10 v	31mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	4.62 A @ 100 Hz		25 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MKP385336025JC02G0	0.3366	RFQ	8866	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	테이프 & t (TB)	활동적인	0.036 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.295 "(7.50mm)	0.394 "LX 0.118"W (10.00mm x 3.00mm)	0.315 "(8.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385336025JC02G0	귀 99	8532.25.0070	1,250	160V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
Malrekc00jj368j00f	-	RFQ	1651	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	쓸모없는	680 µF	± 20%	63 v	-	8000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.032 A @ 120 Hz	1.72 a @ 100 kHz	46 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.181 "(30.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-Malrekc00JJ368J00F	쓸모없는		1,000
malreke00js422fg0k	-	RFQ	6099	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	또한	대부분	쓸모없는	2200 µF	± 20%	35 v	96mohm @ 120Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.002 A @ 120 Hz		25 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	250
MALIEYH07AA510E02K	-	RFQ	4550	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	Eyh	대부분	쓸모없는	10000 µf	± 20%	25 v	53mohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	2.88 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.457 "(37.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	150
MAL217051152E3	2.0560	RFQ	4995	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	170 RVZ	대부분	활동적인	1500 µF	± 20%	50 v	-	10000 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차	1.938 A @ 100 Hz	2.55 A @ 100 kHz	25 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL217051152E3	귀 99	8532.22.0020	100
malreke00aa022h00k	-	RFQ	4917	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	또한	대부분	쓸모없는	0.22 µF	± 20%	50 v	602.9ohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	8.1 ma @ 120 Hz		8 옴	0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	7,000
MAL214256479E3	0.0773	RFQ	2219	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	142 RHS	대부분	활동적인	47 µF	± 20%	25 v	-	2500 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-	범용		145.5 ma @ 10 kHz		0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	5,000
MAL216249222E3	14.0329	RFQ	9881	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	162 PLL-PW	대부분	활동적인	2200 µF	± 20%	100 v	72mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	3.79 a @ 100 Hz		53 Mohms	-	1.575 "DIA (40.00mm)	1.772 "(45.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔 -snap -in -5 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0055	50
Malreke00BA315DL0K	-	RFQ	6130	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	또한	대부분	쓸모없는	150 µF	± 20%	16 v	1.415ohm @ 120Hz	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	165.2 ma @ 120 Hz		300 Mohms	0.098 "(2.50mm)	0.248 "dia (6.30mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,500
K153M15X7RH5th5	0.1050	RFQ	8698	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.015 µF	± 20%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	4,000
D472Z20Z5VH6TJ5R	0.0462	RFQ	2557	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	디	테이프 & tr (TR)	활동적인	4700 pf	-20%, +80%	100V			10 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	-		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		Z5V	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	2,500
MAL213215331E3	1.9544	RFQ	9011	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	132 ALL-DIN	대부분	활동적인	330 µf	-10%, +50%	16 v	670mohm @ 100Hz	15000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	320 ma @ 100 Hz		600 Mohms	-	0.492 "DIA X 1.181"L (12.50mm x 30.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	260
F340Y232730MFI2B0	0.4509	RFQ	3936	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	F340Y2	대부분	활동적인	0.027 µF	± 20%				-55 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200, Y2	자동차; EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.276"W (17.50mm x 7.00mm)	0.535 "(13.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	85C/85% 습도	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		56-F340Y232730MFI2B0	귀 99	8532.25.0020	500	305V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
F339MX223331MDM2B0	0.5775	RFQ	4924	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	f339m	대부분	활동적인	3300 pf	± 20%				-55 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.157"W (12.50mm x 4.00mm)	0.394 "(10.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		339MX223331MDM2B0	귀 99	8532.25.0020	1,000	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
vy1100k31u2jq63v0	0.3500	RFQ	18	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	vy1	대부분	활동적인	10 pf	± 10%	760vac			-40 ° C ~ 125 ° C		X1, Y1	안전				0.394 "(10.00mm)	0.315 "dia (8.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		U2J	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	BC2362	귀 99	8532.23.0060	1,000
MAL215919151E3	11.6000	RFQ	778	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	159 Pul-Si	대부분	활동적인	150 µF	± 20%	500 v	870mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.07 A @ 120 Hz	1.498 A @ 10 kHz	650 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.772 "(45.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	4852PHBK	귀 99	8532.22.0040	100
MAL215099103E3	2.6600	RFQ	1	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	150 CRZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	220 µF	± 20%	50 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차	372 ma @ 100 Hz		190 Mohms	-	0.394 "dia (10.00mm)	0.591 "(15.00mm)	0.394 "LX 0.394"W (10.00mm x 10.00mm)	표면 표면	방사형, s -smd							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	250
MAL204227159E3	2.6346	RFQ	7984	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	042 애쉬	테이프 & t (TB)	활동적인	15 µF	-10%, +50%	450 v	10ohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	180 ma @ 100 Hz		6 옴	-	0.492 "DIA X 1.181"L (12.50mm x 30.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	400
K334J20X7RF53H5	-	RFQ	6395	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.33 µF	± 5%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
MAL215966271E3	9.0461	RFQ	3295	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	159 Pul-Si	대부분	활동적인	270 µF	± 20%	400 v	760mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-25 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.21 A @ 120 Hz		550 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.260 "(32.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	50
malrekc00jj410h00f	-	RFQ	7636	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	쓸모없는	1000 µF	± 20%	50 v	-	8000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.29 a @ 120 Hz	2.15 a @ 100 kHz	30 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.181 "(30.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-Malrekc00jj410h00f	쓸모없는		1,000
MAL211070602E3	95.9133	RFQ	9575	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	110 PHT-St	대부분	활동적인	6000 µF	-10%, +30%	300 v	25.3mohm @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용			20 Mohms	1.252 "(31.80mm)	2.992 "DIA (76.00mm)	8.661 "(220.00mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	12
MAL205159222E3	17.8400	RFQ	1	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	051 PEC-PW	컷 컷 (CT)	활동적인	2200 µF	± 20%	100 v	71mohm @ 100Hz	12000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.69 a @ 100 Hz		53 Mohms	0.689 "(17.50mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	1.772 "(45.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, -4 can 할 수 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	50
Malrekc00DE312J00F	-	RFQ	9475	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	쓸모없는	120 µF	± 20%	63 v	-	5000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	260 ma @ 120 Hz	650 ma @ 100 kHz	160 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.787 "(20.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-Malrekc00DE312J00F	쓸모없는		1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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재고 창고

커패시터 (62912)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

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