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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
F1778422K3FBB0	0.8747	RFQ	4420	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	F1778X2	대부분	활동적인	0.22 µF	± 10%				-55 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.276"W (17.50mm x 7.00mm)	0.532 "(13.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	1778422K3FBB0	귀 99	8532.25.0020	325	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP385E42740KFI2B0	0.5271	RFQ	8125	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385E	대부분	활동적인	0.27 µF	± 10%		29 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.591 "(15.00mm)	0.689 "LX 0.394"W (17.50mm x 10.00mm)	0.654 "(16.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	고온	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		56-MKP385E42740KFI2B0	귀 99	8532.25.0010	450	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
K332K15x7RF5th5	0.0475	RFQ	12	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	3300 pf	± 10%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	4,000
MKP1840347404	0.5301	RFQ	3103	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP1840	대부분	활동적인	0.047 µF	± 5%				-55 ° C ~ 100 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.197"W (17.50mm x 5.00mm)	0.433 "(11.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8532.25.0070	750	-	-	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP385E51040JIM2T0	1.2302	RFQ	9032	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385E	쟁반	활동적인	1 µF	± 5%		12 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.886 "(22.50mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	고온	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		56-MKP385E51040JIM2T0	귀 99	8532.25.0010	150	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP383362063JFI2B0	0.7246	RFQ	6205	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP383	대부분	활동적인	0.062 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.276"W (17.50mm x 7.00mm)	0.532 "(13.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		383362063JFI2B0	귀 99	8532.25.0070	500	220V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL225782471E3	2.9967	RFQ	2230	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	257 PRM-SI	상자	활동적인	470 µF	± 20%	200 v	380mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	1.93 A @ 100 Hz	2.702 a @ 10 kHz	290 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL225782471E3	귀 99	8532.22.0040	100
MKP385424016JDI2B0	0.5301	RFQ	7203	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	대부분	활동적인	0.24 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.236"W (12.50mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385424016JDI2B0	귀 99	8532.25.0070	750	110V	160V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
K221M10X7RF53L2	0.0340	RFQ	6401	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	220 pf	± 20%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
MAL210619332E3	33.4043	RFQ	4470	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	106 Ped-St	대부분	활동적인	3300 µF	-10%, +30%	100 v	29mohm @ 100Hz	20000 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	7.3 a @ 100 Hz		15 Mohms	0.504 "(12.80mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	4.319 "(109.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	50
MAL212320228	-	RFQ	5985	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	123 Sal-A	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	2.2 µF	± 20%	35 v	109ohm @ 100Hz	2000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	범용	10 ma @ 100 Hz		7.5 옴	-	0.264 "dia x 0.602"L (6.70mm x 15.30mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8532.22.0020	800
F339MX224731KDI2B0	0.3780	RFQ	1773	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	f339m	대부분	활동적인	4700 pf	± 10%				-55 ° C ~ 110 ° C		x2	EMI, RFI r				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.157"W (12.50mm x 4.00mm)	0.394 "(10.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		339MX224731KDI2B0	귀 99	8532.25.0020	1,250	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL210678104E3	220.8939	RFQ	9425	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	106 Ped-St	대부분	활동적인	100000 µF	-10%, +30%	63 v	8mohm @ 100Hz	20000 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	36.5 a @ 100 Hz		8 Mohms	1.252 "(31.80mm)	2.992 "DIA (76.00mm)	8.925 "(226.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0085	12
K224Z15Y5VF53L2	0.0610	RFQ	1532	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	0.22 µF	-20%, +80%	50V			-30 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
BFC230362123	-	RFQ	1171	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT303	대부분	쓸모없는	0.012 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.177"W (12.50mm x 4.50mm)	0.366 "(9.30mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		222230362123	귀 99	8532.25.0010	2,000	160V	630V	폴리 폴리, 에스테르
MKP385E3182AJIM2T0	0.7022	RFQ	6517	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385E	쟁반	활동적인	0.018 µF	± 5%		175 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.886 "(22.50mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	고온	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		56-MKP385E3182AJIM2T0	귀 99	8532.25.0030	200	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
mkp385e41010jkm2t0	1.1093	RFQ	8103	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385E	쟁반	활동적인	0.1 µF	± 5%		47 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT; 스 스				1.083 "(27.50mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	고온	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		56-MKP385E41010JKM2T0	귀 99	8532.25.0020	100	350V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
Malieyn07Bu527B02K	-	RFQ	9730	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	Eyn	대부분	쓸모없는	27000 µF	± 20%	6.3 v	27mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.89 A @ 120 Hz			0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MAL216258102E3	6.0045	RFQ	5111	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	162 PLL-PW	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	63 v	202mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.55 A @ 100 Hz		155 Mohms	-	0.984 "DIA (25.00mm)	1.378 "(35.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
MKP385E38210JIP2T0	0.7409	RFQ	4622	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385E	쟁반	활동적인	0.08 µF	± 5%		58 Mohms		-40 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT; 스 스				0.886 "(22.50mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형	고온	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		56-MKP385E38210JIP2T0	귀 99	8532.25.0020	200	350V	1000V (1KV)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
A472K15x7RH5UAA	0.0490	RFQ	5332	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	에이	테이프 & t (TB)	활동적인	4700 pf	± 10%	100V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				-	0.098 "dia x 0.150"L (2.50mm x 3.80mm)	-		구멍을 구멍을	축	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0040	4,000
K471J15C0GF53H5	0.0622	RFQ	1522	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	470 pf	± 5%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
MKP386M439200JT1	18.7555	RFQ	2790	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP386M	대부분	활동적인	0.39 µF	± 5%		6 Mohms		-55 ° C ~ 105 ° C		-	스 스				0.402 "(10.20mm)	1.732 "L x 0.866"W (44.00mm x 22.00mm)	1.496 "(38.00mm)		섀시 섀시	직사각형 직사각형	ESR	나사 나사					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		386M439200JT1	귀 99	8532.25.0070	42	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL225789391E3	10.3104	RFQ	5529	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	257 PRM-SI	상자	활동적인	390 µF	± 20%	500 v	560mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.34 A @ 100 Hz	3.276 A @ 10 kHz	490 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.181 "DIA (30.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	Radial, can -snap -in -3 리드							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL225789391E3	귀 99	8532.22.0040	100
A223K15X7RK5TAA	0.1769	RFQ	2387	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	에이	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.022 µF	± 10%	200V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				-	0.098 "dia x 0.150"L (2.50mm x 3.80mm)	-		구멍을 구멍을	축	-		x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0040	7,000
BFC246929563	-	RFQ	4576	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT469	대부분	쓸모없는	0.056 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.157"W (12.50mm x 4.00mm)	0.728 "(18.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					-	Rohs3 준수	1 (무제한)		222246929563	귀 99	8532.25.0010	1,500	63V	100V	폴리 폴리, 에스테르
MKP383433200JPP2T0	8.3078	RFQ	1320	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP383	쟁반	활동적인	0.33 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	높은 높은, DV/DT				1.476 "(37.50mm)	1.654 "L x 0.945"W (42.00mm x 24.00mm)	1.732 "(44.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		383433200JPP2T0	귀 99	8532.25.0070	77	700V	2000V (2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL215757471E3	22.8100	RFQ	4	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	157 Pum-Si	대부분	활동적인	470 µF	± 20%	450 v	210mohm	5000 시간 @ 85 ° C	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-	범용		3.64 A @ 10 kHz	290 Mohms	0.394 "(10.00mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	2.047 "(52.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	4354phbk	귀 99	8532.22.0040	50
BFC246828224	1.7600	RFQ	4149	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT468	대부분	활동적인	0.22 µF	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.591 "(15.00mm)	0.689 "L x 0.276"W (17.50mm x 7.00mm)	0.630 "(16.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0070	1,500	220V	400V	폴리 폴리, 에스테르
MAL203690051E3	-	RFQ	2659	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	마지막으로 마지막으로																									-				56-MAL203690051E3	귀 99	8532.22.0020	1

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