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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	@ @ temp.	작동 작동	편광	등급	응용 응용	Ripple current @ 저주파	Ripple current @ 고주파	임피던스	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	표면 표면 토지 마운트	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	종료	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압 전압 -AC	전압 전압 -DC	유전체 유전체
MAL210265681E3	28.0665	RFQ	2225	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	102 Phr-St	대부분	활동적인	680 µF	± 20%	350 v	216MOHM @ 100Hz	10000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	3.8 a @ 100 Hz		152 Mohms	0.504 "(12.80mm)	1.378 "DIA (35.00mm)	4.280 "(108.70mm)	-	섀시 섀시	방사형, 나사 - 캔 터미널							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	50
BFC233966184	1.3160	RFQ	4332	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP339	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.18 µF	± 10%				-55 ° C ~ 110 ° C		AEC-Q200, X2	자동차; EMI, RFI r				0.295 "(7.50mm)	0.689 "L x 0.276"W (17.50mm x 7.00mm)	0.610 "(15.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222233966184	귀 99	8532.25.0020	700	310V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL215099904E3	0.8694	RFQ	1920	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	150 CRZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	33 µF	± 20%	100 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	AEC-Q200	자동차	150 ma @ 100 Hz		800 Mohms	-	0.394 "dia (10.00mm)	0.512 "(13.00mm)	0.394 "LX 0.394"W (10.00mm x 10.00mm)	표면 표면	방사형, s -smd							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
BFC236845683	0.8000	RFQ	1	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT368	대부분	활동적인	0.068 µF	± 10%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.181"W (12.50mm x 4.60mm)	0.532 "(13.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		222236845683	귀 99	8532.25.0010	2,000	160V	250V	폴리 폴리, 에스테르
BFC237139563	0.4368	RFQ	1785	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT371	테이프 & t (TB)	활동적인	0.056 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.300 "(7.62mm)	0.394 "L x 0.098"W (10.00mm x 2.50mm)	0.728 "(18.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		222237139563	귀 99	8532.25.0010	2,000	40V	63V	폴리 폴리, 에스테르
BFC233610684	6.1520	RFQ	8019	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP336 1	대부분	활동적인	0.68 µF	± 20%				-55 ° C ~ 105 ° C		x1	EMI, RFI r				1.083 "(27.50mm)	1.220 "L x 0.709"W (31.00mm x 18.00mm)	1.102 "(28.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		222233610684	귀 99	8532.25.0010	100	275V	630V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
BFC237029822	0.3222	RFQ	7950	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT370	테이프 & tr (TR)	활동적인	8200 pf	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		AEC-Q200	자동차				0.200 "(5.08mm)	0.283 "L x 0.098"W (7.20mm x 2.50mm)	0.256 "(6.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222237029822	귀 99	8532.25.0010	2,000	63V	100V	폴리 폴리, 에스테르
MAL214855102E3	0.6263	RFQ	8281	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	148 Rus	대부분	활동적인	1000 µF	± 20%	16 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	570 ma @ 100 Hz		180 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.689 "(17.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	500
Malreke05AA147J00K	-	RFQ	9775	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	또한	대부분	쓸모없는	4.7 µF	± 20%	63 v	120Hz 25.4ohm	2000 년 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	34.2 ma @ 120 Hz		2 옴	0.079 "(2.00mm)	0.197 "dia (5.00mm)	0.492 "(12.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	7,000
MKP385411040JD02W0	0.4719	RFQ	8056	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP385	테이프 & tr (TR)	활동적인	0.11 µF	± 5%				-55 ° C ~ 110 ° C		-	DC 링크, DC 필터링; 고주파, 스위칭; 높은 높은, DV/DT				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.236"W (12.50mm x 6.00mm)	0.472 "(12.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		385411040JD02W0	귀 99	8532.25.0070	900	200V	400V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MAL214838152E3	2.0540	RFQ	1256	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	148 Rus	테이프 & t (TB)	활동적인	1500 µF	± 20%	63 v	-	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.39 a @ 100 Hz		42 Mohms	0.295 "(7.50mm)	0.630 "dia (16.00mm)	1.319 "(33.50mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	250
Malreka00FG468B00K	-	RFQ	2805	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	에카	대부분	쓸모없는	6800 µF	± 20%	6.3 v	80mohm @ 120Hz	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	2.129 a @ 120 Hz			0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	900
MAL215635153E3	6.4042	RFQ	5945	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	156 Pum-Si	대부분	활동적인	15000 µF	± 20%	16 v	36mohm @ 100Hz	5000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	4.98 A @ 100 Hz		26 Mohms	0.394 "(10.00mm)	0.984 "DIA (25.00mm)	1.654 "(42.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	100
PS0040BE82136AP1	534.3300	RFQ	1261	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	추신	대부분	활동적인	820 pf	± 10%	5000V (5KV)			-55 ° C ~ 100 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				-	1.772 "DIA (45.00mm)	0.827 "(21.00mm)		보유자가 보유자가	디스크, 피팅 금속 - 나사산	고전압		N2200		-	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8532.23.0040	1
MAL212386221E3	-	RFQ	5141	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	123 Sal-A	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	220 µF	± 20%	25 v	1.5ohm @ 100Hz	2000 시간 @ 125 ° C	-55 ° C ~ 125 ° C	극선	-	범용	460 ma @ 100 Hz		600 Mohms	-	0.508 "DIA X 1.260"L (12.90mm x 32.00mm)	-	-	구멍을 구멍을	축, 수 할 있습니다							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	100
PE0140WH20236BJ1	1.0000	RFQ	2018	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	피	대부분	활동적인	2000 pf	± 10%	13000V (13kV)			-55 ° C ~ 100 ° C		-	rf, 레인지 전자, 고주파				-	5.512 "DIA (140.00mm)	-		보유자가 보유자가	디스크, 피팅 금속 - 나사산	-		R85		-	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8532.23.0040	1
malieyn07cb568c02k	-	RFQ	5337	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	Eyn	대부분	쓸모없는	68000 µF	± 20%	10 v	-	2000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용				-	-	-	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0040	50
BFC236916474	0.7736	RFQ	2457	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT369	대부분	활동적인	0.47 µF	± 5%				-55 ° C ~ 105 ° C		-	범용				0.394 "(10.00mm)	0.492 "L x 0.169"W (12.50mm x 4.30mm)	0.374 "(9.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222236916474	귀 99	8532.25.0010	2,000	40V	63V	폴리 폴리, 에스테르
K153M10X7RF53H5	0.0359	RFQ	6809	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.015 µF	± 20%	50V			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
MALREKB00D347EG0K	-	RFQ	6851	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	EKB	대부분	쓸모없는	470 µF	± 20%	25 v	-	2000 년 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	0.709 "(18.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-Malrekb00DD347EG0K	귀 99	8532.22.0020	1
K333Z10Y5VF53L2	0.0427	RFQ	1653	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	0.033 µF	-20%, +80%	50V			-30 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)		구멍을 구멍을	방사형	-		Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.24.0060	5,000
malrekc00fu412f00f	-	RFQ	6026	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	-	대부분	쓸모없는	1200 µF	± 20%	35 v	-	7000 시간 @ 105 ° C	-55 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	1.332 A @ 120 Hz	2.22 a @ 100 kHz	24 Mohms	0.197 "(5.00mm)	0.492 "dia (12.50mm)	1.378 "(35.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 캔							-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	56-malrekc00fu412f00f	쓸모없는		1,000
MAL225957689E3	3.3309	RFQ	5226	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	259 PHM-SI	상자	활동적인	68 µF	± 20%	450 v	1.64ohm @ 100Hz	3000 시간 @ 105 ° C	-40 ° C ~ 105 ° C	극선	-	범용	690 ma @ 100 Hz	1.035 a @ 10 kHz	1.12 옴	0.394 "(10.00mm)	0.866 "DIA (22.00mm)	1.063 "(27.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형, 스냅인 - 캔							-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL225957689E3	귀 99	8532.22.0040	100
MAL212874478E3	-	RFQ	3207	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	128 SAL-RPM	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	4.7 µF	± 20%	10 v	43ohm @ 100Hz	-	-55 ° C ~ 85 ° C	극선	-	범용	16.1 ma @ 100 Hz		3 옴	0.205 "(5.20mm)	0.276 "L x 0.138"W (7.00mm x 3.50mm)	0.394 "(10.00mm)	-	구멍을 구멍을	방사형							다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.22.0020	1,000
MAL222551012E3	1.5177	RFQ	4560	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	ENYCAP ™ 225 EDLC-R	상자	활동적인	7 f	-20%, +50%	2.7 v	24mohm @ 1khz	1000 시간 @ 85 ° C	-40 ° C ~ 85 ° C							0.197 "(5.00mm)	0.394 "dia (10.00mm)	1.063 "(27.00mm)		구멍을 구멍을	방사형, 캔		PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	56-MAL22551012E3	귀 99	8532.29.0040	500
S100J25U2JR64K7R	-	RFQ	6886	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	에스	대부분	활동적인	10 pf	± 5%	3000V (3KV)			-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)	0.256 "DIA (6.50mm)	0.413 "(10.50mm)		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-		U2J	-	-	형성 형성 리드 - 꼬임	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	5,000
BFC241876204	3.8019	RFQ	9148	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP418	대부분	활동적인	0.62 µF	± 2%				-55 ° C ~ 85 ° C		-	고주파, 스위칭				0.591 "(15.00mm)	0.689 "LX 0.394"W (17.50mm x 10.00mm)	0.650 "(16.50mm)		구멍을 구멍을	방사형	-	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.25.0010	500	25V	250V	폴리 폴리 (pp), 금속 화
MKP1848C61012JY4	10.3651	RFQ	8224	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKP1848C DC-LINK	대부분	활동적인	10 µF	± 5%		16 Mohms		-55 ° C ~ 105 ° C		-	DC 링크, DC 필터링				2.067 "(52.50mm)	2.264 "L x 0.984"W (57.50mm x 25.00mm)	1.772 "(45.00mm)		구멍을 구멍을	방사형 -4 리드	ESR; ESL; 긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8532.25.0070	55	-	1200V (1.2kv)	폴리 폴리 (pp), 금속 화
BFC247056103	0.9788	RFQ	8840	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	MKT470	대부분	활동적인	1000 pf	± 5%				-55 ° C ~ 125 ° C		-	범용				0.197 "(5.00mm)	0.283 "L x 0.138"W (7.20mm x 3.50mm)	0.315 "(8.00mm)		구멍을 구멍을	방사형	긴 긴	PC 핀					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	222247056103	귀 99	8532.25.0070	2,000	200V	400V	폴리 폴리, 에스테르
HBZ561MBBCF0KR	0.2721	RFQ	7557	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	HBZ	대부분	활동적인	560 pf	± 20%	2000V (2kv)			-40 ° C ~ 85 ° C		-	범용				0.295 "(7.50mm)	-	-		구멍을 구멍을	방사형, 디스크	고전압		-	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8532.23.0060	1,000

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