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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
PL2W221MND2240Y Chinsan (Elite) PL2W221MND2240Y 6.1100
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.15 a @ 120 Hz 1.645 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W221MND2240Y 귀 99 8532.22.0020 220
CED1C101MCB6358 Chinsan (Elite) CED1C101MCB6358 0.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) CED 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 92 MA @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 440 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.244 "(6.20mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-CED1C101MCB6358TR 귀 99 8532.22.0020 1,000
SM2S560MNN1330 Chinsan (Elite) SM2S560MNN1330 2.4200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Chinsan (엘리트) SM 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 420 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 200 ma @ 120 Hz 280 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.512 "DIA (13.00mm) 1.181 "(30.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-SM2S560MNN1330 귀 99 8532.22.0020 300
EV1V102MP51220E Chinsan (Elite) EV1V102MP51220E 1.5300
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 1000 µF ± 20% 35 v - 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.752 A @ 120 Hz 2.92 A @ 100 kHz 25 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1V102MP51220ETB 귀 99 8532.22.0020 500
EY2A330MQS0811ERS Chinsan (Elite) EY2A330MQS0811ers 0.5300
RFQ
 ECAD 3422 0.00000000 Chinsan (엘리트) Ey 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 100 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 138.6 Ma @ 120 Hz 462 ma @ 100 kHz 780 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ey2A330MQS0811ers 귀 99 8532.22.0020 1,000
PW2W560MS31635 Chinsan (Elite) PW2W560ms31635 2.4200
RFQ
 ECAD 1886 0.00000000 Chinsan (엘리트) PW 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 750 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.437 "(36.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PW2W560ms31635 귀 99 8532.22.0020 200
UPS0J821MNN0808U Chinsan (Elite) UPS0J821MNN0808U 1.9800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPS 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 6.3 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPS0J821MNN0808U 귀 99 8532.22.0020 800
EY1J221MNN1016F6 Chinsan (Elite) Ey1J221Mnn1016f6 0.8200
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Chinsan (엘리트) Ey 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 63 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 399.2 ma @ 120 Hz 998 ma @ 100 kHz 110 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ey1J221MNN1016F6 귀 99 8532.22.0020 400
PJ2W151MRT1845 Chinsan (Elite) PJ2W151MRT1845 6.0400
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 Chinsan (엘리트) PJ 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 450 v - 10000 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.5 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.831 "(46.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PJ2W151MRT1845 귀 99 8532.22.0020 150
UPE1C181MP26305 Chinsan (Elite) UPE1C181MP26305 0.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 180 µF ± 20% 16 v 22mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.3 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 2,000
CED1E470MCB6358 Chinsan (Elite) CED1E470MCB6358 0.7000
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Chinsan (엘리트) CED 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 115 MA @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 440 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.244 "(6.20mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-CED1E470MCB6358TR 귀 99 8532.22.0020 1,000
ED1H4R7MP20511RU Chinsan (Elite) ED1H4R7MP20511RU 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 컷 컷 (CT) 활동적인 4.7 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 135 ma @ 100 kHz 1.02 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1H4R7MP20511RUTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
UPE1E561MP51012RU Chinsan (Elite) UPE1E561MP51012RU 3.6400
RFQ
 ECAD 2906 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 560 µF ± 20% 25 v 14mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1E561MP51012RUTB 귀 99 8532.22.0020 800
URP1C331MCT0808U Chinsan (Elite) URP1C331MCT0808U 1.1300
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 Chinsan (엘리트) URP 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 16 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URP1C331MCT0808U 귀 99 8532.22.0020 1,000
UPE1C271MCG6308R Chinsan (Elite) UPE1C271MCG6308R 1.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 16 v 10mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.08 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1C271MCG6308R 귀 99 8532.22.0020 1,500
EJ1E221MLT0812UR Chinsan (Elite) EJ1E221MLT0812UR 0.4700
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Chinsan (엘리트) EJ 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 219 ma @ 120 Hz 730 ma @ 100 kHz 1.3 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EJ1E221MLT0812UR 귀 99 8532.22.0020 400
EV1E681MP30818EF5U Chinsan (Elite) EV1E681MP30818EF5U 0.7300
RFQ
 ECAD 899 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 2 A @ 100 kHz 40 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.768 "(19.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1E681MP30818EF5UTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
GM2G121MND2225 Chinsan (Elite) GM2G121MND2225 3.6400
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 400 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 970 ma @ 120 Hz 1.387 a @ 50 kHz 1.13 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2G121MND2225 귀 99 8532.22.0020 220
PF1V471MNN1012 Chinsan (Elite) PF1V471MNN1012 0.6700
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 440 ma @ 120 Hz 660 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1V471MNN1012 귀 99 8532.22.0020 400
VSE0J221MCB6357 Chinsan (Elite) VSE0J221MCB6357 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) VSE 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v 15mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.16 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 4191-VSE0J221MCB6357TR 귀 99 8532.22.0020 1,200
GM2G101MNN2231 Chinsan (Elite) GM2G101MNN2231 3.3800
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 400 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 880 ma @ 120 Hz 1.258 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.299 "(33.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2G101MNN2231 귀 99 8532.22.0020 220
UGV1E221MP26311U Chinsan (Elite) UGV1E221MP26311U 0.8600
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGV 컷 컷 (CT) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.6 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugv1e221mp26311UTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
EK1H3R3MP20511U Chinsan (Elite) EK1H3R3MP20511U 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) EK 컷 컷 (CT) 활동적인 3.3 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 42 ma @ 120 Hz 140 ma @ 100 kHz 2.5 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 2,000
UGS1C471MNN0816U Chinsan (Elite) ugs1c471mnn0816u 11.7700
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.3 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1c471mnn0816u 귀 99 8532.22.0020 400
PL2W391MND2550AY Chinsan (Elite) PL2W391MND2550AY 9.4500
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.6 A @ 120 Hz 2.288 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W391MND2550AY 귀 99 8532.22.0020 180
EV1V221MP50816EU Chinsan (Elite) EV1V221MP50816EU 0.4700
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 220 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 480 ma @ 120 Hz 1.2 a @ 100 kHz 55 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1V21MP50816EUTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
UPE1C271MCG0808 Chinsan (Elite) UPE1C271MCG0808 0.7600
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 16 v 10mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1C271MCG0808 귀 99 8532.22.0020 1,000
EV1E471MP50815EF6 Chinsan (Elite) EV1E471MP50815EF6 0.6000
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 25 v - 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 1 A @ 100 kHz 45 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1E471MP50815EF6TB 귀 99 8532.22.0020 1,000
ED1E101MP26311U Chinsan (Elite) ED1E101MP26311U 0.3000
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 컷 컷 (CT) 활동적인 100 µf ± 20% 25 v 1.86ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 185 MA @ 120 Hz 370 ma @ 100 kHz 220 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ed1E101MP26311UTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
EK1V221MPN1013U Chinsan (Elite) EK1V221MPN1013U 0.4100
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 Chinsan (엘리트) EK 컷 컷 (CT) 활동적인 220 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 412 ma @ 120 Hz 1.03 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.571 "(14.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EK1V21MPN1013UTB 귀 99 8532.22.0020 800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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