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EY2A391MNN1240 Chinsan (Elite) EY2A391MNN1240 1.7181
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 Chinsan (엘리트) Ey 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 100 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.17 a @ 120 Hz 2.34 a @ 100 kHz 65 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ey2a391mnn1240 귀 99 8532.22.0020 315
PW2W560MNN1240 Chinsan (Elite) PW2W560MNN1240 1.6353
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 Chinsan (엘리트) PW 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 750 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PW2W560MNN1240 귀 99 8532.22.0020 315
EY1C152MNN1220 Chinsan (Elite) EY1C152MNN1220 1.0091
RFQ
ECAD 7190 0.00000000 Chinsan (엘리트) Ey 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 16 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.146 A @ 120 Hz 1.91 A @ 100 kHz 65 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EY1C152MNN1220 귀 99 8532.22.0020 200
SW2G560MNN1230 Chinsan (Elite) SW2G560MNN1230 1.2213
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 Chinsan (엘리트) SW 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 450 ma @ 120 Hz 675 ma @ 100 kHz 1.56 옴 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.240 "(31.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-SW2G560MNN1230 귀 99 8532.22.0020 315
PF2W6R8MNN1013 Chinsan (Elite) pf2w6r8mnn1013 0.4301
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 6.8 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 48 MA @ 120 Hz 67.2 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.571 "(14.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF2W6R8MNN11013 귀 99 8532.22.0020 400
PG2S391MND3051 Chinsan (Elite) PG2S391MND3051 6.4448
RFQ
ECAD 1913 0.00000000 Chinsan (엘리트) pg 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 420 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.38 A @ 120 Hz 1.587 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.087 "(53.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PG2S391MND3051 귀 99 8532.22.0020 120
UPE0E471MNN6308 Chinsan (Elite) UPE0E471MNN6308 0.3128
RFQ
ECAD 8100 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 2.5 v 5mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.9 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE0E471MNN6308 귀 99 8532.22.0020 1,000
ED1C222MNN1025 Chinsan (Elite) ED1C222MNN11025 0.6728
RFQ
ECAD 5235 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.54 A @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1C222MNN11025 귀 99 8532.22.0020 200
PW2W151MNN1840 Chinsan (Elite) PW2W151MNN1840 3.2292
RFQ
ECAD 5493 0.00000000 Chinsan (엘리트) PW 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.05 a @ 120 Hz 1.575 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.634 "(41.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PW2W151MNN1840 귀 99 8532.22.0020 150
EK1H100MNN0511U Chinsan (Elite) EK1H100MNN0511U 0.0520
RFQ
ECAD 3815 0.00000000 Chinsan (엘리트) EK 대부분 활동적인 10 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 54 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 900 Mohms 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EK1H100MNN0511U 귀 99 8532.22.0020 1,000
UPR0E561MNN0508 Chinsan (Elite) UPR0E561MNN0508 0.2392
RFQ
ECAD 8738 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.34 A @ 100 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR0E561MNN0508 귀 99 8532.22.0020 1,500
MV2W121MNN1640 Chinsan (Elite) MV2W121MNN1640 3.0107
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 Chinsan (엘리트) MV 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 450 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 700 ma @ 120 Hz 945 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.634 "(41.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MV2W121MNN1640 귀 99 8532.22.0020 200
PF1H220MNN0511U Chinsan (Elite) PF1H220MNN0511U 0.0529
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 22 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 83 ma @ 120 Hz 166 ma @ 100 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1H220MNN0511U 귀 99 8532.22.0020 1,000
GM2S391MND2551 Chinsan (Elite) GM2S391MND2551 5.2915
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 420 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.9 A @ 120 Hz 2.717 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.087 "(53.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2S391MND2551 귀 99 8532.22.0020 180
AQ2W331MHU3540 Chinsan (Elite) AQ2W331MHU3540 8.7768
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 Chinsan (엘리트) aq 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.25 a @ 120 Hz 1.625 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-AQ2W331MHU3540 귀 99 8532.22.0040 90
PF2A101MNN0825 Chinsan (Elite) PF2A101MNN0825 0.3542
RFQ
ECAD 7305 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 250 ma @ 120 Hz 375 ma @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF2A101MNN0825 귀 99 8532.22.0020 400
ED1A222MNN1025 Chinsan (Elite) ED1A222MNN11025 0.5348
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 10 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.2075 a @ 120 Hz 1.725 A @ 100 kHz 30 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1A222MNN11025 귀 99 8532.22.0020 200
PF1HR47MNN0511U Chinsan (Elite) PF1HR47MNN0511U 0.0529
RFQ
ECAD 9282 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 0.47 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 11 ma @ 120 Hz 22 ma @ 100 kHz 100 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1HR47MNN0511U 귀 99 8532.22.0020 1,000
URH1E471MNN1012U Chinsan (Elite) urh1e471mnn1012u 0.7360
RFQ
ECAD 2480 0.00000000 Chinsan (엘리트) urh 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 25 v 14mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 4.72 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URH1E471MNN1012U 귀 99 8532.22.0020 400
SM1E102MP51020 Chinsan (Elite) sm1e102mp51020 0.7100
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 Chinsan (엘리트) SM 컷 컷 (CT) 활동적인 1000 µF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 996 MA @ 120 Hz 1.125 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-SM1E102MP51020TB 귀 99 8532.22.0020 800
MW2S151MNN1835 Chinsan (Elite) MW2S151MNN1835 2.4219
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 Chinsan (엘리트) MW 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 420 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.25 a @ 120 Hz 1.413 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MW2S151MNN1835 귀 99 8532.22.0020 150
UGP1C331MNN1007U Chinsan (Elite) UGP1C331MNN1007U 0.8406
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGP 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 16 v 25mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.3 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.335 "(8.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugp1c331mnn1007u 귀 99 8532.22.0020 500
PF1J222MNN1832 Chinsan (Elite) PF1J222MNN1832 2.2218
RFQ
ECAD 3634 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.6 A @ 120 Hz 1.808 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1J222MNN1832 귀 99 8532.22.0020 150
UGV1E331MNN0811U Chinsan (Elite) ugv1e331mnn0811u 1.0912
RFQ
ECAD 9439 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGV 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 25 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.65 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugv1e331mnn0811u 귀 99 8532.22.0020 500
SM1C222MNN1225 Chinsan (Elite) SM1C222MNN1225 0.9833
RFQ
ECAD 2559 0.00000000 Chinsan (엘리트) SM 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 16 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.42 a @ 120 Hz 1.605 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-SM1C22MNN1225 귀 99 8532.22.0020 200
EK1V561MNN1025 Chinsan (Elite) ek1v561mnn1025 0.3416
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 Chinsan (엘리트) EK 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.075 A @ 120 Hz 2.15 a @ 100 kHz 40 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EK1V561MNN1025 귀 99 8532.22.0020 200
EP1E102MNN1216 Chinsan (Elite) EP1E102MNN1216 0.9315
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 Chinsan (엘리트) EP 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 580 ma @ 120 Hz 1.45 A @ 100 kHz 110 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.669 "(17.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EP1E102MNN1216 귀 99 8532.22.0020 200
PX2W101MRD2225 Chinsan (Elite) PX2W101MRD2225 2.1704
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 Chinsan (엘리트) px 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 599 ma @ 120 Hz 856.57 ma @ 50 kHz 0.315 "(8.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PX2W101MRD2225 귀 99 8532.22.0020 220
MW2G151MNN1835 Chinsan (Elite) MW2G151MNN1835 2.1977
RFQ
ECAD 1163 0.00000000 Chinsan (엘리트) MW 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 750 ma @ 120 Hz 847.5 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MW2G151MNN1835 귀 99 8532.22.0020 150
PW2G101MNN1630 Chinsan (Elite) PW2G101MNN1630 2.0286
RFQ
ECAD 9938 0.00000000 Chinsan (엘리트) PW 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 530 ma @ 120 Hz 795 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.240 "(31.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PW2G101MNN1630 귀 99 8532.22.0020 200
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고