SIC
close

커패시터 (1064)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
LL2C560MSD1020R Chinsan (Elite) LL2C560MSD1020R 0.8200
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 Chinsan (엘리트) ll 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 160 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 750 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ll2c560msd1020R 귀 99 8532.22.0020 180
ED1H560MNN6311ERU Chinsan (Elite) ED1H560MNNNN6311ERU 0.4100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 115.5 ma @ 120 Hz 385 ma @ 100 kHz 300 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1H560MNN6311ERU 귀 99 8532.22.0020 800
URP1C471MNN0808U Chinsan (Elite) URP1C471MNN0808U 0.7912
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Chinsan (엘리트) URP 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URP1C471MNN0808U 귀 99 8532.22.0020 800
UPC7H471MP26308F5 Chinsan (Elite) UPC7H471MP26308F5 0.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPC 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 7.5 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 2,000
UGS1C272MP51020F5RU Chinsan (Elite) UGS1C272MP51020F5RU 0.8800
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 컷 컷 (CT) 활동적인 2700 µF ± 20% 16 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 8.1 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1c272mp51020f5RUTB 귀 99 8532.22.0020 800
UPE1A221MP51007U Chinsan (Elite) UPE1A221MP51007U 1.2500
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 220 µF ± 20% 10 v 19mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.8 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.335 "(8.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1A221MP51007UTB 귀 99 8532.22.0020 800
UGP1D471MCG0811U Chinsan (Elite) UGP1D471MCG0811U 0.9800
RFQ
 ECAD 9678 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGP 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 20 v 14mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.9 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugp1d471mcg0811u 귀 99 8532.22.0020 800
LL2H6R8MP51020E Chinsan (Elite) LL2H6R8MP51020E 0.9100
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 Chinsan (엘리트) ll 컷 컷 (CT) 활동적인 6.8 µF ± 20% 500 v 46.8ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 200 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ll2H6R8MP51020ETB 귀 99 8532.22.0020 800
GM2W391MND3045 Chinsan (Elite) GM2W391MND3045 10.2873
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 450 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2 A @ 120 Hz 2.86 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2W391MND3045 귀 99 8532.22.0020 120
UPE1V121MNN1012 Chinsan (Elite) UPE1V121MNN1012 1.8800
RFQ
 ECAD 2306 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 35 v 18mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.4 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1V121MNN1012 귀 99 8532.22.0020 400
PF1V561MSD1020 Chinsan (Elite) PF1V561MSD1020 0.6000
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 620 ma @ 120 Hz 930 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1V561MSD1020 귀 99 8532.22.0020 180
UPR1C221MNN0806 Chinsan (Elite) UPR1C221MNN0806 0.4175
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 16 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.15 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.276 "(7.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR1C221MNN0806 귀 99 8532.22.0020 800
VSP0J221MCB6343 Chinsan (Elite) VSP0J221MCB6343 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) VSP 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v 17mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.16 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.185 "(4.70mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 4191-VSP0J221MCB6343TR 귀 99 8532.22.0020 1,500
UPE1V820MNN0811U Chinsan (Elite) UPE1V820MNN0811U 1.7000
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 35 v 20mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1V820MNN0811U 귀 99 8532.22.0020 500
UPE1E820MP26308 Chinsan (Elite) UPE1E820MP26308 2.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 82 µF ± 20% 25 v 30mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.8 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 2,000
PG2G221MNN2541 Chinsan (Elite) PG2G221MNN2541 6.2300
RFQ
 ECAD 9126 0.00000000 Chinsan (엘리트) pg 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 400 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.15 a @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.693 "(43.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PG2G221MNN2541 귀 99 8532.22.0020 180
PL2W471MN63540E Chinsan (Elite) PL2W471MN63540E 8.5900
RFQ
 ECAD 1898 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 450 v 282mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.01 A @ 120 Hz 2.874 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W471MN63540E 귀 99 8532.22.0020 90
PK2E152MND3551RP Chinsan (Elite) PK2E152MND3551RP 9.8300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Chinsan (엘리트) PK 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 250 v 160mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3 a @ @ @ 120 Hz 4.5 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.087 "(53.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PK2E152MND3551RP 귀 99 8532.22.0020 90
PL2G471MN63545 Chinsan (Elite) PL2G471MN63545 11.3000
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.9 A @ 120 Hz 2.717 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2G471MN63545 귀 99 8532.22.0020 90
PG2W331MND3040 Chinsan (Elite) PG2W331MND3040 8.5860
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 Chinsan (엘리트) pg 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 450 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.45 A @ 120 Hz 1.668 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PG2W331MND3040 귀 99 8532.22.0020 120
PL2W271MND3030 Chinsan (Elite) PL2W271MND3030 4.6810
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.3 A @ 120 Hz 1.859 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W271MND3030 귀 99 8532.22.0020 120
GM2H471MNN3551 Chinsan (Elite) GM2H471MNN3551 16.6400
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 500 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.48 A @ 120 Hz 3.546 A @ 50kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.087 "(53.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2H471MNN3551 귀 99 8532.22.0020 90
UPR0E821MCG6308 Chinsan (Elite) UPR0E821MCG6308 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 2.5 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR0E821MCG6308 귀 99 8532.22.0020 1,500
PL2W391MND2550Y Chinsan (Elite) PL2W391MND2550Y 6.1300
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 450 v 610mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.67 A @ 120 Hz 2.388 A @ 100 kHz 400 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W391MND2550Y 귀 99 8532.22.0020 180
PL2W151MND2530R Chinsan (Elite) PL2W151MND2530R 5.2000
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.287 A @ 100 kHz 1.21 옴 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W151MND2530R 귀 99 8532.22.0020 180
UGS1E681MNN0816U Chinsan (Elite) UGS1E681MNN0816U 0.9200
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 25 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.65 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1e681mnn0816u 귀 99 8532.22.0020 400
EK1E681MNN1016 Chinsan (Elite) ek1e681mnn1016 0.2645
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 Chinsan (엘리트) EK 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 875 ma @ 120 Hz 1.75 A @ 100 kHz 28 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EK1E681MNN1016 귀 99 8532.22.0020 400
PL2S221MND2245 Chinsan (Elite) PL2S221MND2245 3.1175
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 420 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 880 ma @ 120 Hz 1.258 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2S221MND2245 귀 99 8532.22.0020 220
PV2W820MNN1835 Chinsan (Elite) PV2W820MNN1835 2.1493
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 Chinsan (엘리트) PV 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 450 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 635 ma @ 120 Hz 952.5 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.437 "(36.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PV2W820MNN1835 귀 99 8532.22.0020 150
PF2D560MSD1020F4R Chinsan (Elite) PF2D560MSD1020F4R 0.9300
RFQ
 ECAD 9999 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 200 v - 4000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 760 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF2D560MSD1020F4R 귀 99 8532.22.0020 180
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다