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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
MW2G680MNN1625A4E Chinsan (Elite) MW2G680MNN1625A4E 2.6900
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Chinsan (엘리트) MW 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 550 ma @ 120 Hz 621.5 ma @ 100 kHz 400 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MW2G680MNN1625A4E 귀 99 8532.22.0020 200
PF1V331MPN1012 Chinsan (Elite) PF1V331MPN1012 0.4900
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 컷 컷 (CT) 활동적인 330 µf ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 100 ma @ 120 Hz 150 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1V331MPN1012TB 귀 99 8532.22.0020 800
PL2D681MND2245 Chinsan (Elite) PL2D681MND2245 2.9373
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.63 A @ 120 Hz 2.445 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2D681MND2245 귀 99 8532.22.0020 220
UGS1C681MP26316S Chinsan (Elite) UGS1C681MP26316S 2.2700
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 컷 컷 (CT) 활동적인 680 µF ± 20% 16 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1c681mp26316stb 귀 99 8532.22.0020 2,000
ED1C152MPN1020EP5 Chinsan (Elite) ED1C152MPN1020EP5 0.6000
RFQ
 ECAD 1760 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 컷 컷 (CT) 활동적인 1500 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.4 A @ 120 Hz 2 A @ 100 kHz 250 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1C152MPN1020EP5TB 귀 99 8532.22.0020 800
PV2W820MNN1835 Chinsan (Elite) PV2W820MNN1835 2.1493
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 Chinsan (엘리트) PV 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 450 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 635 ma @ 120 Hz 952.5 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.437 "(36.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PV2W820MNN1835 귀 99 8532.22.0020 150
GM2W391MND3045 Chinsan (Elite) GM2W391MND3045 10.2873
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 450 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2 A @ 120 Hz 2.86 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2W391MND3045 귀 99 8532.22.0020 120
EV2A100MPN0812F6U Chinsan (Elite) EV2A100MPN0812F6U 0.3300
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 10 µF ± 20% 100 v - 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 108 ma @ 120 Hz 360 ma @ 100 kHz 60 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV2A100MPN0812F6UTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
UGS1E821MP30821SU Chinsan (Elite) UGS1E821MP30821SU 2.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 컷 컷 (CT) 활동적인 820 µF ± 20% 25 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.886 "(22.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 1,200
UPE0J821MP30808 Chinsan (Elite) UPE0J821MP30808 4.2800
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 820 µF ± 20% 6.3 v 8mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE0J821MP30808TB 귀 99 8532.22.0020 1,000
UGV1E221MP30811U Chinsan (Elite) UGV1E221MP30811U 0.8200
RFQ
 ECAD 947 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGV 컷 컷 (CT) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.65 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugv1e221mp30811UTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
ED1H560MNN6311ERU Chinsan (Elite) ED1H560MNNNN6311ERU 0.4100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 115.5 ma @ 120 Hz 385 ma @ 100 kHz 300 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1H560MNN6311ERU 귀 99 8532.22.0020 800
UGS1C152MNN1016F5 Chinsan (Elite) ugs1c152mnn116f5 2.3100
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 16 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs152MNN1016F5 귀 99 8532.22.0020 400
URH1D331MNN6312 Chinsan (Elite) urh1d331mnn6312 0.9492
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 Chinsan (엘리트) urh 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 20 v 18mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 3.64 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URH1D331MNN6312 귀 99 8532.22.0020 800
PF1E471MPN1012 Chinsan (Elite) PF1E471MPN1012 0.8700
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 380 ma @ 120 Hz 570 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1E471MPN1012TB 귀 99 8532.22.0020 800
UPE1C271MCG0808U Chinsan (Elite) UPE1C271MCG0808U 0.6000
RFQ
 ECAD 5033 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 16 v 10mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1C271MCG0808U 귀 99 8532.22.0020 1,000
MW2G121MNN1825 Chinsan (Elite) MW2G121MNN1825 2.5340
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 Chinsan (엘리트) MW 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 734.5 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MW2G121MNN1825 귀 99 8532.22.0020 150
EV1C471MP510C5E Chinsan (Elite) EV1C471MP510C5E 0.4600
RFQ
 ECAD 721 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 560 ma @ 120 Hz 1.12 a @ 100 kHz 50 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1C471MP510C5ETB 귀 99 8532.22.0020 800
URP1C471MP51012ERU Chinsan (Elite) URP1C471MP51012ERU 2.0400
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 Chinsan (엘리트) URP 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URP1C471MP51012ERUTB 귀 99 8532.22.0020 800
URH1V271MNN1012U Chinsan (Elite) urh1v271mnn1012u 1.5900
RFQ
 ECAD 5323 0.00000000 Chinsan (엘리트) urh 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 35 v 26mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 2.7 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URH1V271MNN1012U 귀 99 8532.22.0020 400
UPE1E471MP30812RSU Chinsan (Elite) UPE1E471MP30812RSU 1.2500
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 25 v 16mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1E471MP30812RSUTB 귀 99 8532.22.0020 1,200
UUL0J331MNN6306 Chinsan (Elite) UUL0J331MNN6306 0.8280
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 Chinsan (엘리트) UUL 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v 17mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.3 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.276 "(7.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UUL0J331MNN6306 귀 99 8532.22.0020 1,500
PK2G221MND3025 Chinsan (Elite) PK2G221MND3025 4.8600
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Chinsan (엘리트) PK 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 400 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.1 A @ 120 Hz 1.573 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PK2G221MND3025 귀 99 8532.22.0020 120
URP0J681MNN1012U Chinsan (Elite) URP0J681MNN1012U 0.4830
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 Chinsan (엘리트) urh 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 6.3 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.04 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URP0J681MNN1012U 귀 99 8532.22.0020 400
PK2W680MND2225R Chinsan (Elite) PK2W680MND2225R 3.3500
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Chinsan (엘리트) PK 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 600 ma @ 120 Hz 858 ma @ 50 kHz 2.23 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PK2W680MND2225R 귀 99 8532.22.0020 220
UGV1E391MNN1012U Chinsan (Elite) ugv1e391mnn1012u 1.1286
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGV 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 25 v 14mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugv1e391mnn1012u 귀 99 8532.22.0020 400
GM2S181MND2240 Chinsan (Elite) GM2S181MND2240 4.3800
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 420 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.28 a @ 120 Hz 1.83 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2S181MND2240 귀 99 8532.22.0020 220
UPE0J471MP26308 Chinsan (Elite) UPE0J471MP26308 1.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 6.3 v 8mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE0J471MP26308TB 귀 99 8532.22.0020 2,000
VSE0E561MCB6357E Chinsan (Elite) VSE0E561MCB6357E 1.0900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Chinsan (엘리트) VSE 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 10mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.5 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 4191-VSE0E561MCB6357ET 귀 99 8532.22.0020 1,200
PF1H101MPN0812 Chinsan (Elite) PF1H101MPN0812 0.4100
RFQ
 ECAD 1345 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 컷 컷 (CT) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 210 ma @ 120 Hz 315 ma @ 100 kHz 1.09 옴 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1H101MPN0812TB 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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