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커패시터 (1064)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
UPE1A471MP26311U Chinsan (Elite) UPE1A471MP26311U 2.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 10 v 10mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1A471MP26311UTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
UPR0J561MP26308 Chinsan (Elite) UPR0J561MP26308 2.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 컷 컷 (CT) 활동적인 560 µF ± 20% 6.3 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR0J561MP26308TB 귀 99 8532.22.0020 2,000
UPC1D331MP26311 Chinsan (Elite) UPC1D331MP26311 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPC 컷 컷 (CT) 활동적인 330 µf ± 20% 20 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.8 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 2,000
PF1H100MPN0511U Chinsan (Elite) PF1H100MPN0511U 0.2800
RFQ
 ECAD 2390 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 컷 컷 (CT) 활동적인 10 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 54 ma @ 120 Hz 108 ma @ 100 kHz 10.86 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 2,000
LL2H6R8MP51020E Chinsan (Elite) LL2H6R8MP51020E 0.9100
RFQ
 ECAD 795 0.00000000 Chinsan (엘리트) ll 컷 컷 (CT) 활동적인 6.8 µF ± 20% 500 v 46.8ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 200 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ll2H6R8MP51020ETB 귀 99 8532.22.0020 800
PW2W470MRT1625R Chinsan (Elite) PW2W470MRT1625R 2.5000
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Chinsan (엘리트) PW 대부분 활동적인 47 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 350 ma @ 120 Hz 525 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PW2W470MRT1625R 귀 99 8532.22.0020 200
UPR0E561MQ26308 Chinsan (Elite) UPR0E561MQ26308 0.8600
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR0E561MQ26308 귀 99 8532.22.0020 1,000
PG2D471MNN2535 Chinsan (Elite) PG2D471MNN2535 5.0100
RFQ
 ECAD 8034 0.00000000 Chinsan (엘리트) pg 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.32 a @ 120 Hz 1.848 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PG2D471MNN2535 귀 99 8532.22.0020 180
PF1H330MPZ0511RU Chinsan (Elite) PF1H330MPZ0511RU 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 컷 컷 (CT) 활동적인 33 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 90 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PF1H330MPZ0511RUTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
UPR0E821MCG6308 Chinsan (Elite) UPR0E821MCG6308 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 2.5 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR0E821MCG6308 귀 99 8532.22.0020 1,500
EY1V222MNN1625 Chinsan (Elite) EY1V222MNN1625 2.5800
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 Chinsan (엘리트) Ey 대부분 활동적인 2200 µF ± 20% 35 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.14 A @ 120 Hz 1.9 a @ 100 kHz 42 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ey1v22Mnnn1625 귀 99 8532.22.0020 200
EG1H100MPN0511U Chinsan (Elite) EG1H100MPN0511U 0.2500
RFQ
 ECAD 1761 0.00000000 Chinsan (엘리트) 예를 예를 컷 컷 (CT) 활동적인 10 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 63.25 ma @ 120 Hz 115 MA @ 100 kHz 1.45 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EG100MPN0511UTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
MJ2W121MNN1835A4EJ Chinsan (Elite) MJ2W121MNN1835A4EJ 4.2800
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 Chinsan (엘리트) MJ 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 450 v - 10000 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 820 ma @ 120 Hz 1.845 A @ 100 kHz 400 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.437 "(36.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MJ2W121MNN1835A4EJ 귀 99 8532.22.0020 150
EL1C471MP308B5E Chinsan (Elite) EL1C471MP308B5E 0.4700
RFQ
 ECAD 876 0.00000000 Chinsan (엘리트) 엘자 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 855 ma @ 120 Hz 1.14 A @ 100 kHz 36 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EL1C471MP308B5ETB 귀 99 8532.22.0020 1,000
UPE1E471MH30811RU Chinsan (Elite) UPE1E471MH30811RU 1.5900
RFQ
 ECAD 9686 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 25 v 16mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.5 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1E471MH30811RU 귀 99 8532.22.0020 1,000
VQ2W330MRT1620Z Chinsan (Elite) VQ2W330MRT1620Z 3.2500
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Chinsan (엘리트) vq 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 450 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 350 ma @ 120 Hz 472.5 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-VQ2W330MRT1620Z 귀 99 8532.22.0020 200
GM2W331MND2255R Chinsan (Elite) GM2W331MND2255R 5.2000
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 Chinsan (엘리트) GM 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 450 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.96 A @ 120 Hz 2.803 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GM2W331MND2255R 귀 99 8532.22.0020 220
UPE1E221MP30811U Chinsan (Elite) UPE1E221MP30811U 1.1600
RFQ
 ECAD 4057 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 16mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.65 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1E221MP30811UTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
PV2G330ML41225F8R Chinsan (Elite) PV2G330ML41225F8R 2.1100
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 Chinsan (엘리트) PV 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 400 v - 8000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 310 ma @ 120 Hz 465 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PV2G330ML41225F8R 귀 99 8532.22.0020 315
CED1V221MCB08A5 Chinsan (Elite) CED1V221MCB08A5 1.1400
RFQ
 ECAD 486 0.00000000 Chinsan (엘리트) CED 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 35 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 180 ma @ 120 Hz 450 ma @ 100 kHz 170 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.433 "(11.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-CED1V221MCB08A5TR 귀 99 8532.22.0020 500
ED1H100MP20511ERU Chinsan (Elite) Ed1h100mp20511eru 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 컷 컷 (CT) 활동적인 10 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 42.6 ma @ 120 Hz 142 ma @ 100 kHz 1.28 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1H100MP20511ERUTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
EV1H4R7MP20511EF4U Chinsan (Elite) EV1H4R7MP20511EF4U 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) EV 컷 컷 (CT) 활동적인 4.7 µF ± 20% 50 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 140 ma @ 100 kHz 1.344 옴 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-EV1H4R7MP20511EF4UTB 귀 99 8532.22.0020 2,000
GS1E153MND3025Y Chinsan (Elite) GS1E153MND3025Y 5.9600
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 Chinsan (엘리트) GS 대부분 활동적인 15000 µF ± 20% 25 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 3.75 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GS153MND3025Y 귀 99 8532.22.0020 120
PV2W101MLT1640EZ Chinsan (Elite) PV2W101MLT1640EZ 3.8300
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 Chinsan (엘리트) PV 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 1.7ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 800 ma @ 120 Hz 1.6 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.634 "(41.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PV2W101MLT1640EZ 귀 99 8532.22.0020 200
MW2S121MNN1830A4ES Chinsan (Elite) MW2S121MNN1830A4ES 4.2700
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Chinsan (엘리트) MW 대부분 활동적인 120 µF ± 20% 420 v 700mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 85 ma @ 120 Hz 96.05 ma @ 100 kHz 400 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.299 "(33.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-MW2S121MNN1830A4ES 귀 99 8532.22.0020 150
EK1C681MP51012U Chinsan (Elite) EK1C681MP51012U 0.5200
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 Chinsan (엘리트) EK 컷 컷 (CT) 활동적인 680 µF ± 20% 16 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 1.3 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 800
GS2G471MW43040A Chinsan (Elite) GS2G471MW43040A 6.1000
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Chinsan (엘리트) GS 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 400 v - 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.51 A @ 120 Hz 350 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-GS2G471MW43040A 귀 99 8532.22.0020 120
ED1C332MP51030 Chinsan (Elite) ED1C332MP51030 1.5000
RFQ
 ECAD 530 0.00000000 Chinsan (엘리트) 에드 컷 컷 (CT) 활동적인 3300 µF ± 20% 16 v 45mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.8165 A @ 120 Hz 2.595 A @ 100 kHz 20 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.240 "(31.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ED1C332MP51030TB 귀 99 8532.22.0020 800
PF2W6R8MP51020 Chinsan (Elite) PF2W6R8MP51020 1.3100
RFQ
 ECAD 790 0.00000000 Chinsan (엘리트) pf 컷 컷 (CT) 활동적인 6.8 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 40 ma @ 120 Hz 280 ma @ 100 kHz 26.61 옴 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 800
PL2W101MND2225RP Chinsan (Elite) PL2W101MND2225RP 3.2800
RFQ
 ECAD 1205 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 2.4ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 700 ma @ 120 Hz 1.001 A @ 100 kHz 1.36 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2W101MND2225RP 귀 99 8532.22.0020 220
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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