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탄탈 탄탈 - 룸 커패시터 커패시터 (24)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 제조업체 제조업체 코드
TCSOM0J476M8R-ZM1 Rohm Semiconductor TCSOM0J476M8R-ZM1 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 TCSO 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 6.3 v 300mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "L x 0.033"W (1.60mm x 0.85mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 중
TCOA0J226M8R Rohm Semiconductor TCOA0J226M8R -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 22 µF ± 20% 6.3 v 200mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 에이
TCSOPL0J476M8R-ZF1 Rohm Semiconductor TCSOPL0J476M8R-ZF1 -
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 Rohm 반도체 TCSO 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 47 µF ± 20% 6.3 v 150mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 성형 범용 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 Pl
TCOB1A476M8R Rohm Semiconductor TCOB1A476M8R -
RFQ
 ECAD 1792 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 10 v 150mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-TCOB1A476M8RTR 귀 99 8532.21.0050 2,000 비
TCTOA0J157M8R Rohm Semiconductor TCTOA0J157M8R -
RFQ
 ECAD 8193 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 6.3 v 200mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-TCTOA0J157M8RTR 귀 99 8532.21.0050 2,000 -
TCSOPL1E475M8R-ZT1 Rohm Semiconductor TCSOPL1E475M8R-ZT1 0.5294
RFQ
 ECAD 4121 0.00000000 Rohm 반도체 TCSO 테이프 & tr (TR) 활동적인 4.7 µF ± 20% 25 v 500mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 Pl
TCTOA0J107M8R-ZS1 Rohm Semiconductor TCTOA0J107M8R-ZS1 0.3954
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v 45mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 에이
TCOA0J106M8R Rohm Semiconductor TCOA0J106M8R -
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 10 µF ± 20% 6.3 v 200mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 에이
TCTOAS1A476M8R-ZB1 Rohm Semiconductor TCTOAS1A476M8R-ZB1 1.6500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 10 v 100khm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 처럼
TCOB0J157M8R Rohm Semiconductor TCOB0J157M8R -
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 6.3 v 150mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-TCOB0J157M8RTR 귀 99 8532.21.0050 2,000 비
TCOB0J107M8R-D Rohm Semiconductor tcob0j107m8r-d 0.5090
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-TCOB0J107M8R-DTR 귀 99 8532.21.0050 2,000 비
TCSOM1A106M8R-ZM1 Rohm Semiconductor TCSOM1A106M8R-ZM1 0.2232
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Rohm 반도체 TCSO 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 10 v 300mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "L x 0.033"W (1.60mm x 0.85mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 중
TCTOBL0J157M8R-ZN1 Rohm Semiconductor TCTOBL0J157M8R-ZN1 1.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 6.3 v 35mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 Bl
TCOB0J227M8R-EN1 Rohm Semiconductor TCOB0J227M8R-EN1 1.2500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v 35mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 비
TCTOP1A106M8R Rohm Semiconductor tctop1a106m8r -
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 10 v 300mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 성형 높은 높은 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-tctop1a106m8rtr 귀 99 8532.21.0050 3,000 피
TCTOA1A476M8R Rohm Semiconductor TCTOA1A476M8R -
RFQ
 ECAD 9815 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 10 v 200mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-TCTOA1A476M8RTR 귀 99 8532.21.0050 2,000 -
TCTOA0J107M8R-ZW1 Rohm Semiconductor tctoa0j107m8r-zw1 0.3860
RFQ
 ECAD 4728 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v 35mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-tctoa0j107m8r-zw1tr 귀 99 8532.21.0050 2,000 에이
TCTOBL1V685M8R-ZF1 Rohm Semiconductor TCTOBL1V685M8R-ZF1 1.8500
RFQ
 ECAD 928 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 6.8 µF ± 20% 35 v 150mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 Bl
TCOB0J107M8R-ES1 Rohm Semiconductor TCOB0J107M8R-ES1 1.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v 45mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.138 "L x 0.110"W (3.50mm x 2.80mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 1411 (3528 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 비
TCTOAS0J107M8R-ZW1 Rohm Semiconductor TCTOAS0J107M8R-ZW1 1.3500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v 70mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 처럼
TCSOPS0J476M8R-ZF1 Rohm Semiconductor TCSOPS0J476M8R-ZF1 1.0200
RFQ
 ECAD 443 0.00000000 Rohm 반도체 TCSO 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 6.3 v 150mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 0805 (2012 5) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 3,000 추신
TCOA1A106M8R Rohm Semiconductor TCOA1A106M8R -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 10 µF ± 20% 10 v 200mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 에이
TCTOM1A225M8R Rohm Semiconductor TCTOM1A225M8R -
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 Rohm 반도체 TCTO 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 µF ± 20% 10 v 500mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.063 "L x 0.033"W (1.60mm x 0.85mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) 성형 범용 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 511-TCTOM1A225M8RTR 귀 99 8532.21.0050 4,000 중
TCOA0G336M8R Rohm Semiconductor TCOA0G336M8R -
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Rohm 반도체 TCO 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 33 µF ± 20% 4 v 200mohm @ 100khz - -55 ° C ~ 105 ° C - - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 성형 범용 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.21.0050 2,000 에이
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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