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세라믹 세라믹 (839254)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	정전 정전	용인	전압 - 평가	작동 작동	등급	응용 응용	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	온도 온도	실패율	두께 (최대)	리드 리드	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준
K821K15x7RH53H5	0.0523	RFQ	1783	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	820 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K821M15X7RF5TL2	0.0457	RFQ	5412	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	820 pf	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K821M15X7RK5UH5	0.0696	RFQ	1458	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	820 pf	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K822K10x7RH5UH5	0.0568	RFQ	8760	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	8200 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K822K15x7RH53L2	0.0568	RFQ	4279	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	8200 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K822M10x7RH5th5	0.0568	RFQ	9345	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	8200 pf	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K822M15x7RF5th5	0.0450	RFQ	2554	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	8200 pf	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K822M15X7RK5UL2	0.1044	RFQ	9744	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	8200 pf	± 20%	200V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K823K15x7RF5UH5	0.0838	RFQ	3800	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.082 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K823M15X7RF53H5	0.0838	RFQ	4136	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.082 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K333M10X7RF53H5	0.0429	RFQ	9157	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.033 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K333M15X7RF5UH5	0.0478	RFQ	7295	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.033 µF	± 20%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K333M20X7RH53H5	0.1138	RFQ	6774	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.033 µF	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K333M20X7RH5UL2	0.1138	RFQ	7712	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	0.033 µF	± 20%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K333z10y5vf5ul2	0.0427	RFQ	2568	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로	0.033 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K333Z15Y5VF53H5	0.0526	RFQ	8375	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	마지막으로 마지막으로	0.033 µF	-20%, +80%	50V	-30 ° C ~ 85 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	Y5V (F)	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K334K20X7RF53H5	0.2248	RFQ	3433	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	0.33 µF	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.299 "(7.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K390J10C0GF5TL2	0.0361	RFQ	4855	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	39 pf	± 5%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K390J10C0GH53H5	0.0408	RFQ	8348	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	39 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K390J10C0GH5UH5	0.0408	RFQ	1154	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	39 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K390K15C0GF5UH5	0.0452	RFQ	5483	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	39 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K391J10C0GH5TL2	0.0617	RFQ	7118	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & tr (TR)	활동적인	390 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.205 "(5.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	4,000
K391J15C0GH5UH5	0.0931	RFQ	6707	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	390 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K391J15C0GH5UL2	0.0931	RFQ	9833	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	390 pf	± 5%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K391K10C0GH5UH5	0.0617	RFQ	9936	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	390 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K391K10X7RH53H5	0.0386	RFQ	8021	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	390 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K391K10X7RH5UH5	0.0386	RFQ	4806	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	390 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.142 "L x 0.091"W (3.60mm x 2.30mm)	0.244 "(6.20mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	x7r	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K391K15C0GF53L2	0.0622	RFQ	2743	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	대부분	활동적인	390 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	5,000
K391K15C0GF5UH5	0.0622	RFQ	1669	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	390 pf	± 10%	50V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.197 "(5.00mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.260 "(6.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	형성 형성 리드	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500
K391K15C0GH5UL2	0.0931	RFQ	2880	Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소	모노 모노 ™ k	테이프 & t (TB)	활동적인	390 pf	± 10%	100V	-55 ° C ~ 125 ° C	-	범용	0.098 "(2.50mm)	0.157 "LX 0.102"W (4.00mm x 2.60mm)	0.220 "(5.60mm)	구멍을 구멍을	방사형	-	C0G, NP0	-	-	똑바로	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8532.24.0060	2,500

2000+
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2800+
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2000+

30,000,000

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