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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)
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| MAL218497253E3 | 0.3403 | | 7346 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 184 CPN | 상자 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 2.5 v | 22mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 140 ma @ 120 Hz | 2.8 A @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.240 "(6.10mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 56-MAL218497253E3 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
 | ECASD60E477M009K00 | - | | 5575 | 0.00000000 | Murata Electronics | ECAS | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 470 µF | ± 20% | 2.5 v | 9mohm | 1000 @ @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3 a @ 100 kHz | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.122 "(3.10mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | ECASD60E | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,500 | ||||
| UPE0J471MP26308 | 1.8700 | | 2 | 0.00000000 | Chinsan (엘리트) | upe | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 6.3 v | 8mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 4.7 a @ 100 kHz | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.354 "(9.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4191-UPE0J471MP26308TB | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | ||||
 | A758KK227M1AAAE014 | 0.7900 | | 7 | 0.00000000 | 케멧 | A758 | 대부분 | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 10 v | 14mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 4.8 A @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.354 "(9.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | A758kk | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||
 | VSE0E561MCB6357E | 1.0900 | | 2 | 0.00000000 | Chinsan (엘리트) | VSE | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 2.5 v | 10mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3.5 a @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 4191-VSE0E561MCB6357ET | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,200 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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