SIC
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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RNS0J391MDN1PX Nichicon RNS0J391MDN1PX 0.3079
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNS 테이프 & t (TB) 활동적인 390 µF ± 20% 6.3 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 523 ma @ 120 Hz 5.23 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
HHXE350ARA271MJA0G Chemi-Con HHXE350ARA271MJA0G 2.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 화학 화학 hxe 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF ± 20% 35 v 20mohm 4000 시간 @ 135 ° C -55 ° C ~ 135 ° C AEC-Q200 자동차 429 ma @ 120 Hz 3.3 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
APSJ2R5ELL391ME08S Chemi-Con APSJ2R5ELL391ME08S -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -PSJ 대부분 sic에서 중단되었습니다 390 µF ± 20% 2.5 v 4mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 560 ma @ 120 Hz 5.6 a @ 100 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.213 ""(5.40mm) 0.374 "(9.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-APSJ2R5ELL391ME08S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RNL1C102MDS1PX Nichicon rnl1c102mds1px 2.0300
RFQ
 ECAD 487 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNL 컷 컷 (CT) 활동적인 1000 µF ± 20% 16 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 750 ma @ 120 Hz 7.5 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
HBW680M1JTR-1010S Surge HBW680M1JTR-1010S 0.3277
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 급등하다 HBW 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 63 v 30mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 140 ma @ 120 Hz 1.4 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 - Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBW680M1JTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
10SVPS68M Panasonic Electronic Components 10SVPS68M 1.3600
RFQ
 ECAD 688 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVPS 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 10 v 30mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 110 ma @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 10SVP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
16SVPC39MV Panasonic Electronic Components 16SVPC39MV 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVPC 테이프 & tr (TR) 활동적인 39 µF ± 20% 16 v 27mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 117.5 ma @ 120 Hz 2.35 A @ 100 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 16SVPC 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,500
EEF-UE0G181XE Panasonic Electronic Components eef-ue0g181xe -
RFQ
 ECAD 4797 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 ue 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 180 µF ± 20% 4 v 10mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.5 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.165 "(4.20mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 eef-ue 다운로드 3 (168 시간) eefue0g181xe 귀 99 8532.22.0020 2,000
227XMPL002MG19 Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 227xmpl002mg19 -
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 XMPL 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 2 v 15mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 분리 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.083 "(2.10mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
PCV1H560MCL2GS Nichicon PCV1H560MCL2GS 3.0700
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 니치콘 PCV 테이프 & tr (TR) 활동적인 56 µF ± 20% 50 v 28mohm 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.4 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 400
63SXV33M Panasonic Electronic Components 63SXV33M 3.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SXV 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 63 v 25mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 147.5 ma @ 120 Hz 2.95 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 63SXV 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
20SEP56M Panasonic Electronic Components 20SEP56M 2.0300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, 9 월 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 20 v 40mohm 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 120 MA @ 120 Hz 2.4 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.315 "(8.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 20SEP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 P16311 귀 99 8532.22.0020 200
RS81C101MDN1 Nichicon RS81C101MDN1 1.0800
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 니치콘 FPCAP, RS8 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 16 v 14mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 380 ma @ 120 Hz 3.8 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
UGS1E471MP30816U Chinsan (Elite) UGS1E471MP30816U 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 25 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.65 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1E471MP30816UTB 귀 99 8532.22.0020 1,200
APS-200ELL151MJC5S Chemi-Con APS-200ELL151MJC5S 3.1100
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -PS 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 20 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.32 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
APSA2R5ELL102MJB5S Chemi-Con APSA2R5ELL102MJB5S -
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -PSA 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 2.5 v 6mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.86 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.453 "(11.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
PLF0J681MDO1 Nichicon PLF0J681MDO1 1.7600
RFQ
 ECAD 372 0.00000000 니치콘 PLF 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 6.3 v 6mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.3 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
ESRH181M02B Cornell Dubilier Electronics (CDE) ESRH181M02B -
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) ESRH 대부분 쓸모없는 180 µF ± 20% 2 v 15mohm 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.5 A @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.110 "(2.80mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8532.22.0020 100
RR70E681MDN1KX Nichicon RR70E681MDN1KX 0.2834
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 니치콘 FPCAP, RR7 컷 컷 (CT) 활동적인 680 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 560 ma @ 120 Hz 5.6 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
APSF2R5ELL561MF08S United Chemi-Con APSF2R5ELL561MF08S 0.8100
RFQ
 ECAD 2970 0.00000000 United Chemi-Con NPCAP ™ -PSF 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 5mohm 20000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 590 ma @ 120 Hz 5.9 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 - APSF2R5E 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1
A781MS157M1HLAS028 KEMET A781MS157M1HLAS028 1.4100
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 케멧 A781 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 50 v 28mohm 2000 시간 @ 135 ° C -55 ° C ~ 135 ° C AEC-Q200 자동차 1.452 A @ 100 Hz 6.6 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
226AVG100MFBJ Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 226AVG100MFBJ 0.8566
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 avg 대부분 활동적인 22 µF ± 20% 100 v 40mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 92.5 ma @ 120 Hz 1.85 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.532 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
PCR1E221MCL6GS Nichicon PCR1E221MCL6GS 3.0000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 니치콘 PCR 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 20mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 3.2 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.394 "(10.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 500
RNU0J681MDN1KX Nichicon RNU0J681MDN1KX 0.8500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNU 컷 컷 (CT) 활동적인 680 µF ± 20% 6.3 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 570 ma @ 120 Hz 5.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
APXT100ARA221MF61G Chemi-Con APXT100ARA221MF61G 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -PXT 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 10 v 40mohm 15000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 110 ma @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
RS80E561MDNASQ Nichicon RS80E561MDNASQ 0.4592
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 니치콘 FPCAP, RS8 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 560 ma @ 120 Hz 5.6 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
EEF-UD0J101CR Panasonic Electronic Components eef-ud0j101cr -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 ud 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 100 µf ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.118 "(3.00mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 eef-ud 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 3,500
A765KN277M1CLAE016 KEMET A765KN277M1CLAE016 0.3966
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 케멧 A765 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF ± 20% 16 v 16mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 195 MA @ 120 Hz 3.89 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.394 "(10.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 a765kn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
APXK160ARA101MF611 Chemi-Con APXK160ARA101MF611 1.3200
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -pxk 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 16 v 24mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.49 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.228 "(5.80mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
UGP1A471MCG0808U Chinsan (Elite) UGP1A471MCG0808U 0.9200
RFQ
 ECAD 6949 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGP 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 10 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.4 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugp1a471mcg0808u 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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