SIC
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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
EEF-UE0J151XE Panasonic Electronic Components eef-ue0j151xe -
RFQ
 ECAD 2274 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 ue 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 µF ± 20% 6.3 v 10mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.5 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.165 "(4.20mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 eef-ue 다운로드 3 (168 시간) eefue0j151xe 귀 99 8532.22.0020 2,000
HHSC350ELL271MJC5S Chemi-Con HHSC350ELL271MJC5S 2.4800
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 화학 화학 HSC 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 35 v 17mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 286 ma @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 잡종 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-HHSC350ELL271MJC5S 귀 99 8532.22.0020 2,000
MAL218097002E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218097002E3 1.5750
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 180 cps 테이프 & tr (TR) 활동적인 82 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4 a @ 100 kHz 20 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.331 "LX 0.331"W (8.40mm x 8.40mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 400
107ULG020MFH Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 107ULG020MFH -
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulg 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 20 v 34mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 125 ma @ 120 Hz 2.5 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
227AVG025MFBJ Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 227AVG025MFBJ 0.4990
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 avg 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 18mohm 1500 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 212.5 ma @ 120 Hz 4.25 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.532 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
477ULR010MFF Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 477ULR010MFF -
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulr 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 10 v 11mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 250 ma @ 120 Hz 5 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
HZC157M035F24VT-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) HZC157M035F24VT-F 2.2968
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) hzc_v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 35 v 27mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차, 분리, 우회 160 ma @ 120 Hz 1.6 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.425 "(10.80mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
107UVG020MFBJ Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 107uvg020mfbj -
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 UVG 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 20 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 148 ma @ 120 Hz 2.96 A @ 120 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.484 "(12.30mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
875105242004 Würth Elektronik 875105242004 0.4900
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-PSLP 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 10 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 98.5 ma @ 120 Hz 1.97 A @ 100 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
277XMPL002MG19 Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 277xmpl002mg19 -
RFQ
 ECAD 2231 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 XMPL 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 2 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 분리 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.083 "(2.10mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
187XMPL004MG19 Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 187xmpl004mg19 -
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 XMPL 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 4 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 분리 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.083 "(2.10mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
EEF-UD0J151R Panasonic Electronic Components eef-ud0j151r -
RFQ
 ECAD 1726 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 ud 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 µF ± 20% 6.3 v 18mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.118 "(3.00mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 eef-ud 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8532.22.0020 2,000
UPE1E391MP51012U Chinsan (Elite) UPE1E391MP51012U 1.0800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 390 µF ± 20% 25 v 14mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1E391MP51012UTB 귀 99 8532.22.0020 800
RR70G122MDN1PH Nichicon RR70G122MDN1PH 0.4392
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 니치콘 FPCAP, RR7 테이프 & t (TB) 활동적인 1200 µF ± 20% 4 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 610 ma @ 120 Hz 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
EEF-CT0G181R Panasonic Electronic Components EEF-CT0G181R 2.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 ct 테이프 & tr (TR) 활동적인 180 µF ± 20% 4 v 15mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.1 A @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.059 "(1.50mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 EEF-CT 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 PCE5045CT 귀 99 8532.22.0020 3,500
25SVF82M Panasonic Electronic Components 25SVF82M 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 82 µF ± 20% 25 v 28mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 47 MA @ 120 Hz 940 ma @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.276 "(7.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 25SVF 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
63PZE56M10X9 Rubycon 63pze56m10x9 2.0200
RFQ
 ECAD 1933 0.00000000 루비콘 pze 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 63 v 30mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 자동차 90 ma @ 120 Hz 1.8 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.433 "(11.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 잡종 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
RL81C181MDN1PX Nichicon RL81C181MDN1PX 0.3131
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 니치콘 FPCAP, RL8 테이프 & t (TB) 활동적인 180 µF ± 20% 16 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 500 ma @ 120 Hz 5 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
875585957003 Würth Elektronik 875585957003 3.8600
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Würth Elektronik wcap-hsah 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 100 v 45mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 120 ma @ 100 Hz 1.2 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.425 "(10.80mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 500
PCJ0E821MCL1GS Nichicon PCJ0E821MCL1GS 0.9956
RFQ
 ECAD 3237 0.00000000 니치콘 PCJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 820 µF ± 20% 2.5 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.4 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 400
477ULR016MFH Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 477ULR016MFH -
RFQ
 ECAD 6269 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulr 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 11mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 255 ma @ 120 Hz 5.1 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
397XMPL002MG19 Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 397xmpl002mg19 -
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 XMPL 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 2 v 9mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 분리 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.083 "(2.10mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
PLS1C331MDO1 Nichicon pls1c331mdo1 1.4737
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 니치콘 pls 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 16 v 9mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.7 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
875075861006 Würth Elektronik 875075861006 4.7500
RFQ
 ECAD 294 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-PSLC 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 63 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 100 ma @ 120 Hz 2 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
APXE2R5ARA561MF80G Chemi-Con apxe2r5aRa561mf80g 0.8683
RFQ
 ECAD 5561 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -PXE 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 13mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.6 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.303 "(7.70mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
APXF4R0ARA561MH70G Chemi-Con APXF4R0ARA561MH70G 0.3973
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -pxf 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 4 v 10mohm 15000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.5 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.276 "(7.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
A767EB106M1VLAE085 KEMET A767EB106M1VLAE085 0.1056
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 케멧 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 399-A767EB106M1VLAE085TR 귀 99 8532.22.0020 1,000
EEF-CD0K8R2R Panasonic Electronic Components EEF-CD0K8R2R -
RFQ
 ECAD 8487 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 SP 캡 CD 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8.2 µF ± 20% 8 v 55mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.075 "(1.90mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 EEF-CD 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8532.22.0020 3,500
10SVP4R7M Panasonic Electronic Components 10SVP4R7m 1.1800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVP 테이프 & tr (TR) 활동적인 4.7 µF ± 20% 10 v 240mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 33.5 ma @ 120 Hz 670 ma @ 100 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 10SVP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
870025174005 Würth Elektronik 870025174005 0.7600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-PTG5 컷 컷 (CT) 활동적인 390 µF ± 20% 6.3 v 15mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 255 ma @ 120 Hz 5.1 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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