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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
63PZH150M10X20 Rubycon 63pzh150m10x20 3.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 루비콘 PZH 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 63 v 13mohm 4000 시간 @ 135 ° C -55 ° C ~ 135 ° C AEC-Q200 자동차 205 ma @ 100 Hz 4.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 잡종 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1189-63PZH150M10X20 귀 99 8532.22.0020 1,000
UGS1C222MP51020F5 Chinsan (Elite) UGS1C222MP51020F5 0.8700
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 컷 컷 (CT) 활동적인 2200 µF ± 20% 16 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1c22mp51020f5tb 귀 99 8532.22.0020 800
A750EK337M0EAAE007 KEMET A750EK337M0EAAE007 0.5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 케멧 A750 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 280 ma @ 120 Hz 5.6 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A750EK 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 399-A750EK337M0EAAE007 귀 99 8532.22.0020 1,000
NSPE-HF271M35V10X10.5NLBYF NIC Components Corp NSPE-HF271M35V10X10.5NLBYF -
RFQ
 ECAD 7716 0.00000000 Nic Components Corp NSPE-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF 35 v -55 ° C ~ 105 ° C 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4835-NSPE-HF271M35V10X10.5NLBYFTR 귀 99 8532.22.0020 1
A765KN277M1ALAE020 KEMET A765KN277M1ALAE020 0.3966
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 케멧 A765 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF ± 20% 10 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 180 ma @ 120 Hz 3.6 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.394 "(10.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 a765kn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
50PFV100M10X10.5 Rubycon 50pfv100m10x10.5 2.4400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 루비콘 PFV 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v 28mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 80 ma @ 120 Hz 1.6 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
A700D127M006AT KEMET A700D127M006AT 0.9416
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 케멧 AO-CAP A700 테이프 & tr (TR) 활동적인 120 µF ± 20% 6.3 v - 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 4.6 A @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.122 "(3.10mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 A700D 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
PHA225MLP3560QE4 KEMET PHA225MLP3560QE4 6.6200
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 케멧 PHA225 대부분 활동적인 560 µF -10%, +30% 63 v 92mohm 125 ° C @ 3000 시간 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 8.18 a @ 100 Hz 40.9 a @ 100 kHz - 0.717 "dia x 1.366"L (18.20mm x 34.70mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 430
HBV470M1ETR-0606S Surge HBV470M1ET-0606S 0.1814
RFQ
 ECAD 2823 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v 50mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 130 ma @ 120 Hz 1.3 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 - Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-HBV470M1ET-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
PLF0E681MCO1 Nichicon PLF0E681MCO1 -
RFQ
 ECAD 2534 0.00000000 니치콘 PLF 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 2.5 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 - - - - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
UPC6K391MPZ0508 Chinsan (Elite) UPC6K391MPZ0508 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPC 컷 컷 (CT) 활동적인 390 µF ± 20% 6.8 v 11mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.1 a @ 100 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPC6K391MPZ0508TB 귀 99 8532.22.0020 2,500
A750KK107M1EDAE040 KEMET A750KK107M1EDAE040 0.1760
RFQ
 ECAD 8106 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 399-A750KK17M1EDAE040TB 귀 99 8532.22.0020 500
EEH-ZA1V151P Panasonic Electronic Components EEH-ZA1V151P 2.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ZA 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 35 v 27mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 자동차 345 ma @ 100 Hz 2.3 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 eeh-za 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
A759KS227M1CAAE015 KEMET A759KS227M1CAAE015 0.7900
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 케멧 A759 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 16 v 15mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 221.45 MA @ 120 Hz 4.429 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A759ks 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 399-A759KS227M1CAAE015 귀 99 8532.22.0020 500
A750KW337M1VAAE020 KEMET A750KW337M1VAAE020 0.9900
RFQ
 ECAD 782 0.00000000 케멧 A750 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 35 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 205 ma @ 120 Hz 4.1 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A750kW 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 399-A750KW337M1VAAE020 귀 99 8532.22.0020 500
A771MS337M1VLAS014 KEMET A771MS337M1VLAS014 1.2300
RFQ
 ECAD 581 0.00000000 케멧 A771 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 35 v 14mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 148.5 ma @ 120 Hz 2.97 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
A766EB396M1CLAE037 KEMET A766EB396M1CLAE037 0.5000
RFQ
 ECAD 644 0.00000000 케멧 A766 테이프 & tr (TR) 활동적인 39 µF ± 20% 16 v 37mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 102.5 ma @ 120 Hz 2.05 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 A766EB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
HZA566M063G24T-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) HZA566M063G24T-F 4.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) hza 테이프 & tr (TR) 활동적인 56 µF ± 20% 63 v 30mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 자동차, 분리, 우회 180 ma @ 120 Hz 1.8 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
VHTC0771V101MVTM Yongming Electronic VHTC0771V101MVTM 0.7700
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 유밍 유밍 - 상자 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5011-VHTC0771V101MVTM 900
GYC1E151MCQ1GS Nichicon gyc1e151mcq1gs 1.3800
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 니치콘 GYC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 25 v 27mohm 4000 시간 @ 135 ° C -55 ° C ~ 135 ° C AEC-Q200 자동차 435 ma @ 120 Hz 2.9 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 500
EEF-UD0E221CX Panasonic Electronic Components eef-ud0e221cx -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 ud 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 220 µF ± 20% 2.5 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.118 "(3.00mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 eef-ud 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 3,500
URP1C821MNN1012U Chinsan (Elite) URP1C821MNN1012U 0.3795
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 Chinsan (엘리트) URP 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 16 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.3 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-urp1c821mnn1012u 귀 99 8532.22.0020 400
CS1608X7R224K500NRB Samwha Capacitor Group CS1608X7R224K500NRB 0.0300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Samwha 그룹 커패시터 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 5009-CS1608X7R224K500NRBTR 1
A700D187M004ATE018 KEMET A700D187M004ATE018 1.3200
RFQ
 ECAD 2216 0.00000000 케멧 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 399-A700D187M004ATE018TR 귀 99 8532.22.0020 500
PCF0G151MCL4GB Nichicon PCF0G151MCL4GB 1.0900
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 니치콘 PCF 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 4 v 22mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.8 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 1,000
2.5SLG180M Rubycon 2.5SLG180m -
RFQ
 ECAD 4639 0.00000000 루비콘 PC-Con, SLG 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 180 µF ± 20% 2.5 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.7 A @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.043 "(1.10mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
20SVPA47M Panasonic Electronic Components 20SVPA47m 1.5800
RFQ
 ECAD 884 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVPA 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 20 v 33mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 131.5 ma @ 120 Hz 2.63 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.276 "(7.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 20SVPA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
875075861004 Würth Elektronik 875075861004 4.8700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-PSLC 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 63 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 100 ma @ 120 Hz 2 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 400
APSG250ELL391MJB5S United Chemi-Con APSG250ELL391MJB5S 2.0600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 United Chemi-Con NPCAP ™ -PSG 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 25 v 14mohm 15000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
A750KV277M1VAAE020 KEMET A750KV277M1VAAE020 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 케멧 A750 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 35 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 200 ma @ 120 Hz 4 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A750KV 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 399-A750KV277M1VAAE020 귀 99 8532.22.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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