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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)
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 | 4SXB150m | - | | 1881 | 0.00000000 | 루비콘 | PC-Con, SXB | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 µF | ± 20% | 4 v | 13mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3 a @ 100 kHz | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.075 "(1.90mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,500 | |||||
 | EEH-ZF1V101V | 2.5500 | | 1 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | zf, 진동 반 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 100 µf | ± 20% | 35 v | 30mohm | 150 ° C @ 150 ° C | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 115.5 ma @ 100 Hz | 770 ma @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.425 "(10.80mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | eeh-zf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||
 | 80SXV27m | 3.5800 | | 400 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SXV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 27 µF | ± 20% | 80 v | 35mohm | 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 39 ma @ 120 Hz | 780 ma @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.472 "(12.00mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 80SXV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | ||||
| MAL218697003E3 | 1.3922 | | 7446 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 186 CPNT | 상자 | 활동적인 | 33 µF | ± 20% | 35 v | 35mohm | 2000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 자동차 | 115 MA @ 120 Hz | 2.3 A @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.472 "(12.00mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 56-MAL218697003E3 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | ||||
 | NSPE-TC181M35V8X10.5NLBYF | - | | 7515 | 0.00000000 | Nic Components Corp | NSPE-TC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 180 µF | 35 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4835-NSPE-TC181M35V8X10.5NLBYFTR | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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