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![]() | EEH-ZT1J560P | 2.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | ZT | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 56 µF | ± 20% | 63 v | 25mohm | 4000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 420 MA @ 100Hz | 2.8 A @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.413 "(10.50mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | eeh-zt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | ||
![]() | 2R5SVPT2700M | 3.4800 | ![]() | 3819 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-CON ™, SVPT | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 2700 µF | ± 20% | 2.5 v | 12mohm | 20000 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 253.5 ma @ 120 Hz | 5.07 a @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.500 "(12.70mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 2R5SVPT | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | |||
![]() | 50SVT39m | 2.8800 | ![]() | 302 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-CON ™, SVT | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 39 µF | ± 20% | 50 v | 25mohm | 2000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 190 ma @ 120 Hz | 3.8 a @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.472 "(12.00mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 50SVT | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 |
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